TPS22966-Q1 器件是一款小型、超低 R 上 ，雙通道負載開關，上升時間可調。該器件包含兩個 N 溝道 MOSFET，可在 0 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作，并支持每通道高達 4 A 的最大連續電流。每個開關都由一個開/關輸入（ON1 和 ON2）獨立控制，該輸入可以直接與低壓控制信號接口。TPS22966-Q1 包括一個 230-Ω 的片上電阻器，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。
*附件：tps22966-q1.pdf

TPS22966-Q1 采用小型、節省空間的 2mm × 3mm 14-SON 封裝 （DPU），并帶有集成導熱墊，可實現高功率耗散。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件溫度等級 2：-40°C 至 105°C 環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 H1C
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
• 集成雙通道負載開關
• 輸入電壓范圍：0 V 至 5.5 V
• 超低導通電阻 （R 上 )
  • R上V 時 = 16 mΩ 在 = 5 V （V 偏見 = 5 V）
  • R上V 時 = 16 mΩ 在 = 3.3 伏 （V 偏見 = 5 V）
  • R上V 時 = 16 mΩ 在 = 1.8 伏 （V 偏見 = 5 V）
• 每個通道的最大連續開關電流為 4A
• 低靜態電流
  • 80 μA（兩個通道）
  • 80 μA（單通道）
• 低控制輸入閾值支持使用
  1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 邏輯
• 可配置的上升時間
• 快速輸出放電 （QOD）
• SON 14 引腳封裝，帶導熱墊

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS22966-Q1是一款專為汽車電子應用設計的雙通道超低導通電阻（R_ON）負載開關。它集成了兩個N溝道MOSFET，支持高達4A的最大連續開關電流，適用于需要嚴格控制電壓跌落和功耗的應用場景。

2. 主要特性

• ?汽車級認證?：符合AEC-Q100標準，適用于汽車電子應用。
• ?超低導通電阻?：R_ON = 16mΩ（在V_IN = 5V，V_BIAS = 5V時）
• ?高電流能力?：每通道最大連續開關電流為4A。
• ?低靜態電流?：80μA（典型值，雙通道同時開啟）
• ?低控制輸入閾值?：支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯電平。
• ?可調上升時間?：通過CT引腳外接電容實現上升時間的調整。
• ?快速輸出放電?：集成230Ω下拉電阻，實現快速輸出放電。
• ?小型封裝?：2mm x 3mm的14引腳SON封裝，帶熱焊盤。

3. 應用領域

• 信息娛樂系統
• 高級駕駛輔助系統（ADAS）

4. 功能描述

• ?雙通道控制?：兩個獨立的開關通道，通過ON1和ON2引腳分別控制。
• ?低泄漏電流?：在關斷狀態下，具有極低的泄漏電流，減少功耗。
• ?輸出保護?：集成快速輸出放電功能，防止輸出懸浮。
• ?集成度高?：包含控制邏輯、驅動器和電荷泵，無需外部組件。

5. 電氣特性

• ?工作電壓范圍?：V_IN = 0V至5.5V，V_BIAS = 2.5V至5.5V。
• ?R_ON變化?：隨V_IN和V_BIAS的變化而變化，具體值請參考數據表。
• ?靜態電流?：I_IN(VBIAS-ON)在-40°C至105°C的溫度范圍內，典型值為80μA至120μA。
• ?關斷電流?：I_IN(VBIAS-OFF)和I_IN(VIN-OFF)在-40°C至105°C的溫度范圍內，均低于8μA。

6. 熱特性

• ?熱阻?：R_θJA = 52.3°C/W
• ?最大結溫?：T_J(max) = 150°C

7. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：14引腳SON封裝（DPU），帶熱焊盤。
• ?尺寸?：3.00mm x 2.00mm x 0.75mm（最大高度）

8. 布局指南

• ?輸入和輸出電容?：建議在VIN和GND、VOUT和GND之間分別放置低ESR陶瓷旁路電容。
• ?熱焊盤?：必須將熱焊盤焊接到電路板上，以實現最佳的熱性能。
• ?走線?：VIN和VOUT走線應盡可能短且寬，以適應高電流。

9. 應用曲線與典型應用

• 提供了多種應用曲線，包括R_ON與溫度、V_IN的關系，以及不同條件下的開關特性。
• 典型應用示例展示了如何使用TPS22966-Q1為具有大容性負載的下游模塊供電，并通過調整CT引腳電容來控制上升時間，從而減少電源壓降。