LM5060 高側(cè)保護控制器可在正常開/關(guān)轉(zhuǎn)換和故障條件下對高側(cè) N 溝道 MOSFET 進行智能控制。浪涌電流由輸出電壓的幾乎恒定的上升時間控制。POWER GOOD輸出指示輸出電壓何時達到輸入電壓,并且MOSFET完全導通。提供輸入 UVLO (帶滯后) 以及可編程輸入 OVP。使能輸入提供遠程開或關(guān)控制。可編程 UVLO 輸入可用作第二個使能輸入,以實現(xiàn)安全冗余。單個電容器對初始啟動 V 進行編程GS系列故障檢測延遲時間,轉(zhuǎn)換 VDS 系列故障檢測延遲時間和連續(xù)過流 VDS 系列故障檢測延遲時間。當檢測到的故障情況持續(xù)超過允許的故障延遲時間時,MOSFET 將被鎖定,直到使能輸入或 UVLO 輸入先切換為低電平,然后再切換為高電平。
*附件:lm5060.pdf
特性
- 提供汽車級 / AEC Q-100
- 寬工作輸入電壓范圍:
5.5 V 至 65 V - 功能安全能力
- 提供有助于功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
- 禁用模式下的靜態(tài)電流小于 15μA
- 受控的輸出上升時間,用于安全連接電容負載
- 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動器
- 帶遲滯的可調(diào)欠壓鎖定 (UVLO)
- UVLO 用作需要安全冗余的系統(tǒng)的第二個使能輸入
- 可編程故障檢測延遲時間
- 檢測到負載故障后 MOSFET 閉鎖
- 低漏極有效開路 POWER GOOD (nPGD) 輸出
- 可調(diào)輸入過壓保護 (OVP)
- 過壓關(guān)斷后立即重啟
- 10 引腳 VSSOP
參數(shù)
方框圖
概述
LM5060是一款高側(cè)保護控制器,適用于需要低靜態(tài)電流的應用場景,如汽車電子和工業(yè)電源分配與控制。該器件通過智能控制外部高側(cè)N溝道MOSFET,在正常開關(guān)轉(zhuǎn)換和故障條件下提供保護。
主要特性
- ?寬輸入電壓范圍?:支持5.5V至65V的輸入電壓。
- ?低靜態(tài)電流?:在禁用模式下,靜態(tài)電流小于15μA。
- ?功能安全?:提供文檔支持功能安全系統(tǒng)設(shè)計。
- ?可編程電流限制?:通過外部電阻設(shè)置。
- ? 可編程欠壓鎖定(UVLO) ?:具有遲滯功能,可作為系統(tǒng)的冗余使能輸入。
- ? 可編程過壓保護(OVP) ?:通過外部電阻分壓器設(shè)置。
- ?故障檢測延遲時間可編程?:通過外部電容設(shè)置。
- ?POWER GOOD輸出?:活動低電平開漏輸出,指示外部MOSFET的狀態(tài)。
- ?熱關(guān)斷保護?:防止器件過熱損壞。
應用場景
- ?汽車電子?:如車身電子系統(tǒng)。
- ?工業(yè)電源分配和控制?。
功能描述
- ?電流保護?:通過檢測MOSFET的漏源電壓降實現(xiàn)過流保護,當超過設(shè)定的閾值時,延時后關(guān)斷MOSFET。
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:當輸入電壓低于設(shè)定閾值時,關(guān)斷MOSFET。
- ? 過壓保護(OVP) ?:當輸入電壓高于設(shè)定閾值時,關(guān)斷MOSFET。
- ? 使能輸入(EN) ?:允許遠程開關(guān)控制,當EN引腳電壓低于0.8V時,LM5060進入低電流關(guān)斷狀態(tài)。
- ?故障檢測延遲?:通過外部電容設(shè)置故障檢測延遲時間,以避免誤動作。
- ?熱關(guān)斷?:當器件溫度超過設(shè)定閾值時,自動關(guān)斷輸出。
電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:5.5V至65V。
- ? 靜態(tài)電流(禁用模式) ?:小于15μA。
- ? 輸出電流(典型值) ?:由外部MOSFET決定。
- ? UVLO閾值(典型值) ?:1.6V,具有遲滯。
- ? OVP閾值(典型值) ?:2.0V,具有遲滯。
- ? GATE引腳輸出電壓(典型值) ?:16.8V以上(相對于OUT引腳)。
封裝與尺寸
- ?封裝類型?:10引腳VSSOP封裝。
- ?尺寸?:3.00mm x 3.00mm。
典型應用
- ?LM5060EVAL設(shè)計?:提供了評估模塊的基本設(shè)計過程。
- ?反向極性保護?:通過二極管或電阻實現(xiàn)反向極性保護。
設(shè)計指南
- ?GATE引腳控制?:詳細介紹了GATE引腳的充電和放電過程,以及如何通過外部電容調(diào)整輸出電壓的上升時間。
- ?故障檢測延遲?:解釋了如何通過外部電容設(shè)置故障檢測延遲時間,以避免在啟動或負載瞬變時誤觸發(fā)故障保護。
- ?MOSFET選擇?:提供了選擇外部MOSFET時的考慮因素,包括BVDSS、RDS(ON)、最大瞬態(tài)電流等。
- ?輸入和輸出電容?:建議根據(jù)實際應用添加輸入和輸出電容,以限制電壓尖峰和噪聲。
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