LM2104 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。IN 引腳允許該器件用于單個(gè) PWM 輸入應(yīng)用，SD 引腳允許控制器在 SD 引腳為低電平時(shí)通過(guò)關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器的輸出來(lái)禁用驅(qū)動(dòng)器的輸出，而不管 IN 引腳狀態(tài)如何。
*附件：lm2104.pdf

SH 引腳上的固定死區(qū)時(shí)間以及 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理提高了高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。LM2104 采用與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定 （UVLO），用于在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

• 在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
• BST 上的最大電壓為 107V
• SH 上的最大絕對(duì)負(fù)瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
• 475 ns（典型值）固定內(nèi)部死區(qū)時(shí)間
• 內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防
• 115ns 典型傳播延遲
• 關(guān)斷邏輯輸入引腳 SD
• 單輸入引腳 IN

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

LM4是一款高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動(dòng)器具有V欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)、固定內(nèi)部死區(qū)時(shí)間、關(guān)斷邏輯輸入引腳（SD）和單輸入引腳（IN）等特點(diǎn)。

2. 主要特性

• ?高電壓能力?：支持最高V的BST電壓和-.V的負(fù)瞬態(tài)電壓處理。
• ?電流驅(qū)動(dòng)能力?：.A/0.8A的峰值源/沉電流。
• ?固定死區(qū)時(shí)間?：5ns典型固定內(nèi)部死區(qū)時(shí)間，防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：V典型低側(cè)和高側(cè)電源軌欠壓鎖定保護(hù)。
• ?關(guān)斷邏輯?：SD引腳允許控制器通過(guò)拉低該引腳來(lái)禁用驅(qū)動(dòng)器輸出。
• ?單輸入控制?：IN引腳支持TTL和CMOS輸入閾值，用于單PWM輸入應(yīng)用。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)
• 永磁同步電機(jī)（PMSM）
• 伺服和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• 無(wú)線吸塵器
• 無(wú)線園林和電動(dòng)工具
• 電動(dòng)車(chē)和電動(dòng)滑板車(chē)
• 電池測(cè)試設(shè)備
• 離線不間斷電源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)器

4. 功能描述

4.1 啟動(dòng)與UVLO

• LM在低側(cè)（GVDD）和高側(cè)（BST-SH）電源軌上均包含UVLO保護(hù)電路，確保在電源電壓足夠高以打開(kāi)外部MOSFET之前，輸出保持低電平。
• UVLO遲滯功能可防止電源電壓波動(dòng)時(shí)的顫振。

4.2 輸入階段

• IN引腳接收單個(gè)TTL/CMOS兼容的PWM信號(hào)，控制兩個(gè)輸出（GL和GH）。
• SD引腳為關(guān)斷控制輸入，當(dāng)SD引腳拉低時(shí)，無(wú)論IN引腳狀態(tài)如何，GH和GL輸出均關(guān)閉。

4.3 電平移位

• 內(nèi)置電平移位電路，將GND參考的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高側(cè)驅(qū)動(dòng)級(jí)所需的SH參考信號(hào)。

4.4 輸出階段

• GL和GH輸出級(jí)具有高斜率、低電阻和高峰值電流能力，支持高效切換功率MOSFET。
• 輸出級(jí)設(shè)計(jì)為低側(cè)（GL）參考GND，高側(cè)（GH）參考SH。

5. 典型應(yīng)用

文檔提供了LM4在半橋轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動(dòng)MOSFET的典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)討論了設(shè)計(jì)要求、設(shè)計(jì)步驟、應(yīng)用曲線和布局指南。

6. 電源推薦

• 推薦GVDD電源電壓范圍為9V至8V，以支持正常操作和UVLO功能。
• 建議在GVDD和GND引腳之間放置低ESR陶瓷旁路電容器，以支持高峰值電流并減少噪聲。

7. 布局指南

• 推薦將低ESR/ESL電容器放置在GVDD和GND引腳以及BST和SH引腳之間，以支持高峰值電流并減少串聯(lián)電感。
• 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近MOSFET放置，以最小化柵極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感。
• 特別注意高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)回路的布局，以減少電壓瞬變和噪聲耦合。