LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅動器用于雙通道或單通道 PWM 輸入應用。
*附件:lm2103.pdf
SH 引腳上的固定死區時間以及 –1V DC 和 –19.5V 瞬態負電壓處理提高了高噪聲應用中的系統穩健性。LM2103 采用與行業標準引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側和高側電源軌均提供欠壓鎖定 (UVLO),用于在上電和斷電期間提供保護。
特性
- 在半橋配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
- GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
- BST 上的最大電壓為 107V
- SH 上的最大絕對負瞬態電壓處理電壓為 –19.5V
- 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
- 475 ns(典型值)固定內部死區時間
- 內置交叉傳導預防
- 115ns 典型傳播延遲
- 反相輸入引腳 INL
參數
方框圖
一、產品概述
LM3是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高端和低端N溝道MOSFET。該驅動器具有V的欠壓鎖定(UVLO)保護、固定的內部死區時間、以及反相輸入等特性。
二、主要特性
- ?驅動能力?:能夠驅動兩個N溝道MOSFET,適用于半橋配置。
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:V典型UVLO保護,防止在低電壓條件下損壞MOSFET。
- ?電壓范圍?:BST引腳絕對最大電壓為7V,SH引腳絕對最大負瞬態電壓處理能力為-.V。
- ?電流能力?:0.5A/.A峰值源/漏電流。
- ?死區時間?:ns典型固定內部死區時間,防止交叉導通。
- ?輸入類型?:INL為反相輸入,兼容TTL和CMOS輸入閾值。
三、應用領域
四、功能描述
1. UVLO保護
- 高端和低端驅動級均包含UVLO保護電路,監測GVDD和BST-SH的供電電壓。
- 當供電電壓低于UVLO閾值時,輸出被抑制,防止MOSFET誤動作。
2. 輸入階段
- INH和INL輸入獨立工作,但具有防止交叉導通的邏輯。
- INL為反相輸入,允許驅動器在雙或單PWM輸入應用中使用。
3. 輸出階段
- 高端和低端輸出級獨立控制,具有高斯勒率、低電阻和高峰值電流能力。
- 內置的電平移位電路提供從控制邏輯到高端柵極驅動器的干凈電平轉換。
4. 死區時間
- 內置固定的ns死區時間,防止高端和低端MOSFET同時導通。
五、典型應用
文檔提供了LM3在半橋轉換器中驅動MOSFET的典型應用電路圖,并詳細討論了設計要求和布局指南。
六、電源推薦
- 推薦GVDD供電電壓范圍為V至V,需考慮UVLO保護特性。
- 建議在GVDD和GND之間以及BST和SH之間使用低ESR陶瓷旁路電容器。
七、布局指南
- 柵極驅動器應盡可能靠近MOSFET放置,以減小柵極驅動回路的寄生電感。
- 旁路電容器應盡可能靠近IC放置,以提供低阻抗路徑。
- 注意高端和低端MOSFET之間的布局,以最小化寄生電感。
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