LM2105 是一款緊湊型高壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管,從而節省了電路板空間并降低了系統成本。
*附件:lm2105.pdf
SH 引腳上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬態負電壓處理提高了高噪聲應用中的系統穩健性。小型熱增強型 8 引腳 WSON 封裝允許將驅動器放置在更靠近電機相位的位置,從而改善了 PCB 布局。LM2105 還采用與行業標準引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側和高側電源軌均提供欠壓鎖定 (UVLO),用于在上電和斷電期間提供保護。
特性
- 在半橋配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
- 集成自舉二極管
- GVDD 上的典型欠壓鎖定為 5V
- BST 上的最大電壓為 107V
- SH 上的最大絕對負瞬態電壓處理電壓為 –19.5V
- 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
- 115ns 典型傳播延遲
參數
方框圖
一、產品概述
LM5是一款高電壓半橋驅動器,專為驅動兩個N溝道MOSFET設計,適用于同步降壓或半橋配置。該驅動器集成了自舉二極管,并具備V欠壓鎖定(UVLO)保護功能。
二、主要特性
- ?驅動能力?:支持.A/0.8A的峰值源/漏電流。
- ?高電壓處理?:絕對最大電壓可達V(BST引腳),-.V的負瞬態電壓處理能力(SH引腳)。
- ?集成自舉二極管?:節省板級空間,降低系統成本。
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:在GVDD和BST電源軌上均提供UVLO保護,增強系統可靠性。
- ?緊湊封裝?:提供引腳SOIC和WSON封裝,適合高密度PCB布局。
三、應用領域
四、功能描述
1. 輸入與邏輯控制
- INH(高側控制輸入)和INL(低側控制輸入)兼容TTL和CMOS邏輯電平。
- 獨立的輸入控制信號,允許兩個輸出獨立工作。
2. 輸出驅動
- GL(低側柵極驅動輸出)和GH(高側柵極驅動輸出)分別驅動低側和高側MOSFET。
- 高側驅動通過自舉電容實現浮動電源供電。
3. 保護功能
- UVLO保護:在GVDD和BST電壓低于閾值時,禁止輸出,防止MOSFET不完全導通。
- SH引腳負瞬態電壓處理:允許SH引腳電壓低于地電位,增強系統魯棒性。
4. 自舉電路
- 集成自舉二極管,簡化外部電路設計。
- 需要外部自舉電容來維持高側柵極驅動電壓。
五、典型應用
文檔提供了LM5在半橋轉換器中驅動MOSFET的典型應用電路,包括設計要求和詳細設計步驟,如自舉電容和GVDD電容的選型、外部柵極驅動電阻的計算、驅動功率損耗的估計等。
六、電源推薦
- GVDD電源推薦電壓范圍為V至V,需考慮UVLO閾值和滯回電壓。
- 建議在GVDD和GND之間、BST和SH之間放置低ESR/ESL的旁路電容,以減小電源噪聲和電壓波動。
七、布局指南
- 柵極驅動器應盡量靠近被驅動的MOSFET,以減小柵極驅動回路的寄生電感。
- 自舉電容應盡可能靠近BST和SH引腳放置,提供低阻抗電源路徑。
- 輸入控制信號應保持良好的信號完整性,避免長距離傳輸和干擾。
八、文檔支持
文檔提供了詳細的規格表、特性曲線、應用信息和布局指南,幫助用戶正確選擇和使用LM。此外,還提供了設備支持資源,包括TI EE支持論壇和相關文檔更新通知。
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兼用UCC27301A-Q1高頻高側及低側半橋MOSFET柵極驅動器
基于600V系統級封裝集成半橋柵極驅動器和高壓接口設計

具有5V UVLO和集成式自舉二極管的107V、0.5A、0.8A半橋驅動器LM2105數據表

具有8V UVLO和集成式自舉二極管的107V、0.5A、0.8A半橋驅動器LM2005數據表

具有8V UVLO、死區時間和反相輸入引腳的107V、0.5A/0.8A半橋柵極驅動器LM2103數據表

LM2104系列 具有 8V UVLO、死區時間和關斷功能的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器數據手冊

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