UCC21551x-Q1 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，用于驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管。

UCC21551x-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 （CMTI）。DFJ28 封裝提供 >5.3mm CH 到 CH 爬電距離，以支持高壓系統。
*附件：ucc21551-q1.pdf

保護功能包括：電阻器可編程死區時間、同時關閉兩個輸出的禁用功能，以及拒絕短于 5ns 的輸入瞬變的集成去毛刺濾波器。所有電源均具有 UVLO 保護。

憑借所有這些高級 特性，UCC21551x-Q1 器件可在各種電源應用中實現高效率、高功率密度和穩健性。

特性

• 通用：雙低側、雙高側或半橋驅動器
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下
  • 設備溫度等級 1
• 結溫范圍 –40 至 +150°C
• 高達 4A 的峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
• 共模瞬態抗擾度 （CMTI） 大于 125V/ns
• CH 到 CH 爬電距離：

  • 5.3mm，采用 DFJ28 封裝

  • 3.3mm，采用 DWK 封裝

• 高達 25V VDD 輸出的驅動電源
  • 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 選項
• 切換參數：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 5ns 最大脈寬失真
  • 10μs 最大 VDD 上電延遲
• 所有電源的 UVLO 保護
• 快速使能，用于上電排序

參數

方框圖

一、產品概述

UCC1-Q是一款雙通道隔離柵極驅動器，專為驅動N溝道MOSFET或IGBT設計。它采用5kV RMS隔離屏障，提供高共模瞬態免疫能力（CMTI），支持高電壓系統應用。

二、主要特性

• ?雙通道隔離?：輸入側與兩個輸出驅動器之間通過kV RMS隔離屏障隔離。
• ?高CMTI?：最小5V/ns的共模瞬態免疫能力，確保在惡劣電磁環境下的可靠工作。
• ?寬電壓范圍?：支持VCCI輸入電壓范圍為.V至5.5V，VDDA/VDDB輸出電壓范圍為5V至5V。
• ?強驅動能力?：每個通道提供高達A的峰值源電流和6A的峰值漏電流。
• ?靈活配置?：通過DT引腳編程死區時間，支持多種電源和電機驅動拓撲。
• ?保護功能?：包括輸入欠壓鎖定（UVLO）、輸出主動下拉等，保護系統免受異常條件影響。

三、應用領域

• 同步降壓/升壓轉換器
• 半橋/全橋隔離拓撲
• 三相電機驅動應用
• 太陽能逆變器
• 工業電源

四、功能描述

1. 輸入與隔離

• 輸入側與輸出側通過kV RMS隔離屏障隔離，提供高電氣隔離。
• 輸入信號INA和INB兼容TTL/CMOS邏輯電平，具有寬輸入閾值和內部下拉電阻。

2. 輸出驅動

• 每個輸出通道具備獨立的驅動能力，支持高達A的峰值源電流和6A的峰值漏電流。
• 輸出階段采用混合上拉結構，提供在Miller平臺區域所需的最高峰值源電流。

3. 保護功能

• ?UVLO保護?：輸入側和輸出側均具備UVLO保護，防止在低電壓條件下工作。
• ?輸出主動下拉?：在VDDA/VDDB未上電時，將輸出主動下拉至VSSA/VSSB，防止誤動作。
• ?可編程死區時間?：通過DT引腳編程死區時間，防止上下橋臂直通。

4. 模擬信號隔離傳輸

• 支持隔離的模擬到PWM信號轉換，可用于溫度、電壓等參數的隔離監測。

五、典型應用

文檔提供了UCC1-Q在半橋電路中的典型應用示例，包括設計要求、設計步驟、元件選型和布局建議等，幫助用戶快速設計可靠的系統。

六、電源推薦

• 推薦在VCCI、VDDA和VDDB電源引腳附近放置低ESR/ESL的旁路電容器，以減小電源噪聲和電壓波動。
• 對于半橋應用，建議使用自舉電路為高端驅動器供電。

七、布局指南

• 柵極驅動器應盡量靠近被驅動的功率器件，以減小柵極驅動回路的寄生電感。
• 旁路電容器應盡可能靠近電源引腳放置，提供低阻抗電源路徑。
• 注意隔離區域的布局，避免在隔離柵極驅動器下方放置PCB走線或銅皮，以確保隔離性能。