LM5106 是一款高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓或半橋配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè) 驅(qū)動器能夠在高達 100V 的電源軌電壓下工作。單控制輸入兼容 具有 TTL 信號電平和單個外部電阻器來設置開關轉(zhuǎn)換死區(qū)時間 通過緊密匹配的導通延遲電路。強大的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)在高 速度，同時功耗低，并提供干凈的輸出轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 當?shù)蛡?cè)或自舉高側(cè)電源電壓 低于運行閾值。LM5106 采用 VSSOP-10 或熱增強型 10 引腳封裝 WSON 塑料封裝。
*附件：lm5106.pdf

特性

• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道
  MOSFET
• 1.8A 峰值輸出灌電流
• 1.2A 峰值輸出源電流
• 自舉電源電壓范圍高達 118V DC
• 單 TTL 兼容輸入
• 可編程導通延遲 （死區(qū)時間）
• 啟用輸入引腳
• 快速關斷傳播延遲（典型值為 32 ns）
• 以 15ns 的上升時間和 10ns 的下降時間驅(qū)動 1000pF
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• WSON-10（4 mm × 4 mm）和 VSSOP-10 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM6是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET，適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動器具有可編程死區(qū)時間、低功耗、高電壓自舉能力和欠壓鎖定（UVLO）保護功能。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：支持高達V的電源電壓。
• ?可編程死區(qū)時間?：通過外部電阻設置死區(qū)時間，優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動信號時序。
• ?低功耗?：在禁用狀態(tài)下具有較低的待機功耗。
• ?高速響應?：具有快速的關斷傳播延遲（典型值為ns）。
• ?UVLO保護?：在電源電壓或自舉電壓低于閾值時禁用柵極驅(qū)動輸出。
• ?單輸入控制?：通過單個TTL兼容輸入控制高側(cè)和低側(cè)MOSFET的開關。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動電源引腳。
• ?HB?：高側(cè)柵極驅(qū)動器自舉電源引腳。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出引腳。
• ?HS?：高側(cè)MOSFET源極引腳。
• ?IN?：柵極驅(qū)動器邏輯輸入引腳。
• ?EN?：使能輸入引腳，TTL兼容，帶滯回。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出引腳。
• ?VSS?：地返回引腳，所有信號均參考此地。
• ?RDT?：死區(qū)時間編程引腳，通過連接電阻到VSS設置死區(qū)時間。
• ?NC?：未連接引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB為HS+8V至HS+4V。
• ?輸入閾值?：IN和EN引腳的低電平輸入電壓閾值為0.8V至.V，高電平輸入電壓閾值為.V至2.2V。
• ?輸出電流?：LO和HO引腳的峰值拉電流和灌電流均為1.2A和.A。
• ?傳播延遲?：LO和HO引腳的關斷和開啟傳播延遲典型值為2ns至6ns。
• ?死區(qū)時間?：可通過RDT引腳上的電阻調(diào)節(jié)，范圍從ns至0ns。

五、功能描述

• ?啟動與UVLO保護?：在VDD或HB電壓低于UVLO閾值時，驅(qū)動器禁用輸出，防止MOSFET誤動作。
• ?可編程死區(qū)時間?：通過RDT引腳上的外部電阻設置死區(qū)時間，優(yōu)化驅(qū)動信號時序，減少MOSFET間的穿透電流。
• ?使能控制?：EN引腳允許通過外部信號啟用或禁用驅(qū)動器。
• ?高速響應?：快速的關斷和開啟傳播延遲，適合高頻應用。

六、應用信息

• ?典型應用?：適用于固態(tài)電機驅(qū)動、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、雙開關正向功率轉(zhuǎn)換器等。
• ?設計要點?：包括自舉電容和VDD旁路電容的選擇、柵極驅(qū)動電阻的選取、布局和接地考慮等。
• ?應用曲線?：提供了不同條件下的輸出特性曲線，幫助設計者優(yōu)化電路性能。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供0引腳VSSOP和WSON封裝選項。
• ?訂購代碼?：提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼選項。

八、文檔與支持

• ?相關文檔?：提供了數(shù)據(jù)手冊、應用筆記和其他相關文檔的鏈接。
• ?社區(qū)資源?：鏈接到TI的支持社區(qū)，用戶可以在此獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。