LM5106 是一款高壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓或半橋配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè) 驅(qū)動器能夠在高達 100V 的電源軌電壓下工作。單控制輸入兼容 具有 TTL 信號電平和單個外部電阻器來設置開關轉(zhuǎn)換死區(qū)時間 通過緊密匹配的導通延遲電路。強大的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)在高 速度,同時功耗低,并提供干凈的輸出轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 當?shù)蛡?cè)或自舉高側(cè)電源電壓 低于運行閾值。LM5106 采用 VSSOP-10 或熱增強型 10 引腳封裝 WSON 塑料封裝。
*附件:lm5106.pdf
特性
- 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道
MOSFET - 1.8A 峰值輸出灌電流
- 1.2A 峰值輸出源電流
- 自舉電源電壓范圍高達 118V DC
- 單 TTL 兼容輸入
- 可編程導通延遲 (死區(qū)時間)
- 啟用輸入引腳
- 快速關斷傳播延遲(典型值為 32 ns)
- 以 15ns 的上升時間和 10ns 的下降時間驅(qū)動 1000pF
- 電源軌欠壓鎖定
- 低功耗
- WSON-10(4 mm × 4 mm)和 VSSOP-10 封裝
參數(shù)
方框圖
一、產(chǎn)品概述
LM6是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,設計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動器具有可編程死區(qū)時間、低功耗、高電壓自舉能力和欠壓鎖定(UVLO)保護功能。
二、主要特性
- ?高電壓能力?:支持高達V的電源電壓。
- ?可編程死區(qū)時間?:通過外部電阻設置死區(qū)時間,優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動信號時序。
- ?低功耗?:在禁用狀態(tài)下具有較低的待機功耗。
- ?高速響應?:具有快速的關斷傳播延遲(典型值為ns)。
- ?UVLO保護?:在電源電壓或自舉電壓低于閾值時禁用柵極驅(qū)動輸出。
- ?單輸入控制?:通過單個TTL兼容輸入控制高側(cè)和低側(cè)MOSFET的開關。
三、引腳配置與功能
- ?VDD?:正柵極驅(qū)動電源引腳。
- ?HB?:高側(cè)柵極驅(qū)動器自舉電源引腳。
- ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出引腳。
- ?HS?:高側(cè)MOSFET源極引腳。
- ?IN?:柵極驅(qū)動器邏輯輸入引腳。
- ?EN?:使能輸入引腳,TTL兼容,帶滯回。
- ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出引腳。
- ?VSS?:地返回引腳,所有信號均參考此地。
- ?RDT?:死區(qū)時間編程引腳,通過連接電阻到VSS設置死區(qū)時間。
- ?NC?:未連接引腳。
四、電氣特性
- ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB為HS+8V至HS+4V。
- ?輸入閾值?:IN和EN引腳的低電平輸入電壓閾值為0.8V至.V,高電平輸入電壓閾值為.V至2.2V。
- ?輸出電流?:LO和HO引腳的峰值拉電流和灌電流均為1.2A和.A。
- ?傳播延遲?:LO和HO引腳的關斷和開啟傳播延遲典型值為2ns至6ns。
- ?死區(qū)時間?:可通過RDT引腳上的電阻調(diào)節(jié),范圍從ns至0ns。
五、功能描述
- ?啟動與UVLO保護?:在VDD或HB電壓低于UVLO閾值時,驅(qū)動器禁用輸出,防止MOSFET誤動作。
- ?可編程死區(qū)時間?:通過RDT引腳上的外部電阻設置死區(qū)時間,優(yōu)化驅(qū)動信號時序,減少MOSFET間的穿透電流。
- ?使能控制?:EN引腳允許通過外部信號啟用或禁用驅(qū)動器。
- ?高速響應?:快速的關斷和開啟傳播延遲,適合高頻應用。
六、應用信息
- ?典型應用?:適用于固態(tài)電機驅(qū)動、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、雙開關正向功率轉(zhuǎn)換器等。
- ?設計要點?:包括自舉電容和VDD旁路電容的選擇、柵極驅(qū)動電阻的選取、布局和接地考慮等。
- ?應用曲線?:提供了不同條件下的輸出特性曲線,幫助設計者優(yōu)化電路性能。
七、封裝與訂購信息
- ?封裝類型?:提供0引腳VSSOP和WSON封裝選項。
- ?訂購代碼?:提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼選項。
八、文檔與支持
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