LM5105 是一款高壓柵極驅動器，旨在驅動高側和 采用同步降壓或半橋配置的低側 N 溝道 MOSFET。浮動的 高側驅動器能夠在高達 100 V 的電源軌電壓下工作。單個控制輸入是 兼容 TTL 信號電平，單個外部電阻器可設置開關轉換 死區時間通過緊密匹配的導通延遲電路。提供高壓二極管進行充電 高側柵極驅動自舉電容器。強大的電平轉換技術在高 速度，同時功耗低，并提供干凈的輸出轉換。欠壓鎖定 當低側或自舉的高側電源電壓 低于運行閾值。LM5105 采用熱增強型 WSON 塑料 包。
*附件：lm5105.pdf

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET
• 1.8A 峰值柵極驅動電流
• 自舉電源電壓范圍高達 118V DC
• 集成自舉二極管
• 單 TTL 兼容輸入
• 可編程導通延遲 （死區時間）
• 啟用輸入引腳
• 快速關斷傳播延遲（典型值為 26 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時間驅動 1000pF
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 封裝：耐熱增強型 10 引腳 WSON
  （4 mm × 4 mm）

參數

方框圖

一、產品概述

LM5是一款半橋柵極驅動器，專為驅動高側和低側N溝道MOSFET設計，適用于同步降壓或半橋配置。它提供了可編程的死區時間、高電壓自舉功能以及低功率消耗。

二、主要特性

• ?高電壓支持?：高側驅動器支持高達V的電源電壓。
• ?可編程死區時間?：通過單個外部電阻器編程，死區時間可調范圍為0ns至ns。
• ?高電流驅動能力?：峰值柵極驅動電流達1.8A。
• ?自舉二極管?：集成自舉二極管，簡化了外部電路設計。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：獨立監控高側和低側電源電壓，確保在電壓不足時禁用柵極驅動器。
• ?低功率消耗?：采用低功耗設計，適合高效電源管理應用。

三、引腳功能

• ?VDD?：正柵極驅動電源引腳。
• ?HB?：高側柵極驅動器自舉軌引腳。
• ?HO?：高側柵極驅動器輸出引腳。
• ?HS?：高側MOSFET源極連接引腳。
• ?RDT?：死區時間編程引腳。
• ?EN?：使能輸入引腳，用于禁用或啟用驅動器。
• ?IN?：柵極驅動器邏輯輸入引腳。
• ?LO?：低側柵極驅動器輸出引腳。
• ?VSS?：地返回引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V。
• ?靜態電流?：VDD靜態電流為0.mA至0.6mA，高側自舉靜態電流為0.mA至0.2mA。
• ?輸出特性?：LO和HO引腳的高電平輸出電壓可達VDD或HB-HO，低電平輸出電壓低至0.V至0.4V。
• ?傳播延遲?：快速關斷傳播延遲典型值為6ns。

五、應用信息

• ?典型應用?：包括固態電機驅動器、半橋和全橋功率轉換器等。
• ?設計注意事項?：需正確設計自舉電容和旁路電容，以確保高側驅動器的可靠工作。同時，應注意布局和接地設計，以最小化噪聲和干擾。

六、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL的電容，并盡量靠近IC放置，以支持高峰值電流。高側MOSFET和低側MOSFET應盡可能靠近柵極驅動器放置，以減小環路電感。
• ?熱管理?：LM5采用熱增強型WSON封裝，有助于改善散熱性能。在設計時，應考慮散熱路徑和散熱片的使用。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：引腳熱增強型WSON封裝（4mm x 4mm）。
• ?訂購代碼?：具體訂購代碼請參考數據手冊中的訂購信息部分。

八、文檔與支持

• ?數據手冊?：提供了詳細的技術規格、電氣特性、應用信息和封裝尺寸等。
• ?應用指南?：可能包含額外的設計考慮、布局示例和故障排除技巧。
• ?社區資源?：TI提供了EE在線社區和其他支持資源，方便用戶交流問題和經驗。

九、安全警示

• ?靜電放電（ESD）防護?：提醒用戶在存儲或處理過程中注意靜電防護，以防止損壞器件。
• ?使用注意事項?：用戶應仔細閱讀數據手冊中的安全警示和使用注意事項，確保正確、安全地使用產品。