優勢
采用獨立于邊界條件的降階模型(BCI-ROM)加速執行瞬態熱仿真,同時采用Package Creator輕松創建電子封裝熱模型。
- 求解速度比完整的3D詳細模型快40,000倍,且不折損精度
- 有效保持3D模型的高精度,廣泛適用于各種熱環境-用戶指定傳熱系數范圍
- 從3D分析中生成降階電子熱模型,旨在支持快速精準的獨立解決方案,有利于行電熱電路仿真或系統仿真建模
- 執行擴展瞬態熱分析以評估任務曲線,例如功率電子車輛駕駛循環
- 可提供精確的電熱電路仿真就緒模型,同時保護敏感的IP,為從半導體到電子供應鏈等各方面提供有力支持
- 通過Simcenter FLOEFD從完全校準的詳細3D熱模型生成BCI-ROM,進一步生成高精度降階模型。該模型已依據來自Simcenter Micred T3STER測試硬件的熱瞬態測量數據進行了自動校準
獨立于邊界條件的降階模型(BCI-ROM)
瞬態熱仿真在現代電子產品開發中相當熱門,可用于評估不同功率負載的性能、驗證控制策略,探索熱特性的穩定性?,F代電子設計需要考慮多個瞬態電源負載、各種電源控制策略和設備的各種預期工作條件。

BCI-ROM的空間溫度響應與詳細模型相同。
獨立于邊界條件的降階模型(BCI-ROM)是從Simcenter FLOEFD 3D熱模型生成的快速準確的降階模型。它們在各種熱環境中均可保持預測的高精度,求解速度提高了多個等級。
簡潔的工作流支持將BCI-ROM導出為矩陣、SPICE子電路或VHDL-AMS模型。
設備離散計算模型是個必須求解的n個聯立線性方程組。ROM提取過程旨在推導降階r方程組,該方程組會在原始n方程集的指定容差范圍內生成時空熱結果。如果r<
BCI-ROM 對復雜功率曲線的響應與詳細模型相同。
這種方法提供了提取熱電阻的替代方案—基于熱電容器的動態緊湊熱模型,該模型的表面積分割有限,通常僅適用于單個熱源封裝。BCI-ROM技術在解算有任意數量熱源的線性傳導問題時,精度達到全3D傳導模型相同級別,但速度要快得多。
FANTASTIC方法從數理上保證了精度。從Simcenter FLOEFD模型中提取BCI-ROM時,用戶將所需的精度設置為可接受的相對誤差,傳熱系數范圍亦是如此。
BCI-ROM能以下列格式導出:
Matrices:用于在MathWorks MATLAB或GNU Octave等工具中求解
VHDL-AMS:用于電路仿真工具(如PartQuest Explore或Xpedition AMS)中的電熱建模
FMU:用于通過支持FMI(功能模型接口)的工具執行系統仿真,例如Simcenter Amesim和Simcenter Flomaster
使用從Simcenter FLOEFD生成并以FMU格式導入的逆變器BCI-ROM的Simcenter Amesim車輛模型(右)。
應用示例包括:功率電子和電氣化:
- 在功率電子設備(例如電動汽車逆變器)中,存在用作固態開關的關鍵功率半導體元件,它們在運行期間發生熱循環。瞬態熱仿真對于預測給定任務曲線的結溫周期和評估穩定性至關重要。充分利用從3DSimcenter FLOEFD熱模型生成并以FMU格式導入的BCI-ROM,在系統仿真工具中執行的研究受益于高保真度的電子熱建模精度。
數字電子學:
- 從智能手機到服務器之類的現代電子產品通常具有很高的處理要求,需要復雜的電源管理策略來保障性能的穩定性。除了對功率控制執行建模(例如降低處理器時鐘頻率以降低結溫)之外,評估工作模式和功率變化的熱響應是利好之舉。具有復雜功率模式變化的長瞬態任務曲線的3D熱仿真可能相當耗時??焖偾蠼怆娐贩抡婀ぞ咄ǔH使用組件和系統的簡單R-C熱表征,無法達到足夠高的保真度。如今,使用從Simcenter FLOEFD生成并以VHDL-AMS格式導出的BCI-ROM模型,可以進行更高精度的電熱電路仿真,以預測結溫并全面評估產品性能。
以VHDL-AMS格式導出的BCI-ROM,用于汽車ADAS攝像頭模塊的PartQuest Explore電路仿真模型。
Package Creator
Simcenter FLOEFD Package Creator賦能您在幾分鐘內生成基于3D CAD幾何體的清晰詳細的電子封裝熱模型。

選擇16種常見的芯片封裝模板。
您可以通過基于分步式向導的界面,從常見的芯片封裝系列列表中快速生成詳細模型??蓪⑵渲苯訉隨imcenter FLOEFD,使用前無需清理。半導體公司和封裝公司可以使用Package Creator(封裝建模工具)為其客戶創建模型,而系統集成商可以使用Package Creator創建封裝的熱模型,這些模型無法通過供應鏈獲得。
支持的封裝系列邊孔封裝:
- LQFP、TQFP、MQFP、SSOP、TSOP、TSSOP、SOP、QFN
球柵陣列:
- FOWLP、引線鍵合PBGA、倒裝芯片PBGA
- 切屑盤
功率分立封裝:
- 薄型TO263、TO263、TO220、TO252

可進行詳細的封裝定義。將帶詳細項目定義的封裝導入Simcenter FLOEFD。


PCB Generator在工程數據庫中的雙軸熱導率定義?;谙驅У墓ぷ髁鱌ackage Creator基于向導的工作流程可幫助您創建封裝–只需選擇封裝樣式,輸入名稱、熱功率和可選的裸片尺寸(如已知)即可。系統會自動為所有其他參數配置默認值,但您可以更改它們。該向導可以訪問構成所選封裝系列結構的各種幾何特征,例如裸片、鍵合線、裸片貼裝等,這些特征可以按照不同的細化級別執行建模。例如,裸片可以是單個功率,也可以是指定為功率表格或從文件導入的功率圖。詳細模型熱校準使用Simcenter Micred T3STER或Simcenter Micred Power Tester硬件進行熱特性分析,可捕獲封裝IC和功率半導體模塊的瞬態響應。使用Simcenter FLOEFD Package Creator生成的詳細熱模型可依據測量數據進行自動校準。這是通過自動調整模型參數來實現的,因此整體模型響應與被測封裝的響應相匹配,從而確保瞬態結溫精度超過99%。(參見Simcenter FLOEFD T3STER自動校準模塊)材料庫該模塊還自帶材料庫,可以對其進行擴展。可以克隆和修改材料,或添加新材料。材料可以具有各向同性、雙軸或正交各向異性導熱系數,所有選項都支持通過表格定義的溫度函數的導熱系數,從而實現充分的靈活性。PCB生成器PCB發生器可用于獲取雙軸熱導率值。通過分析和理解PCB的結構,我們可以推導出其熱導率,并且還能夠獲取構成PCB的特定導體和介電材料的性能參數。
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