7月11日,2025年度中國創(chuàng)新IC-強芯獎頒獎典禮在ICDIA創(chuàng)芯展上揭曉獲獎名單。奇異摩爾申報的Kiwi 3D Base Die產品從申報的142款產品中脫穎而出,榮獲創(chuàng)新突破獎。據(jù)悉,“強芯評選”作為一年一度的國產IC權威推優(yōu)平臺,始終致力于鼓勵設計創(chuàng)新、推動“國芯國用”、促進整機聯(lián)動、加速成果轉化,為國產集成電路產業(yè)的蓬勃發(fā)展注入強勁動力。
有源基板Base Die的架構創(chuàng)新
一種基于Silicon的Chiplet技術能讓高性能芯片獲得更高的傳輸速度并降低各個模塊之間的傳輸功耗;它就是Active Silicon Interposer 又名有源基板 Base Die。舉例說明,Intel 的Lakefield運用Base Die充當Compute Die的傳輸通道;此外與Passive Interposer有所不同的是:Base Die 集成了類似PCH的邏輯電路。由于Base Die需要很多過孔TSV,其技術難度較大。
(圖: Intel LakeField CPU架構)
AMD MI350:
3.5D IC 繼續(xù)沿用Base Die
(來源:The serverhome)
今年在Advancing AI大會上,AMD 重磅發(fā)布下一代3.5D GPU MI350 ; AMD利用MI300發(fā)布后的兩年時間對芯粒架構進行了優(yōu)化。從晶圓布局可見,芯片設計進行了微調:The Base Active Interposer Dies (即 3D Base Die)從四個象限合并為兩個光罩尺寸的半?yún)^(qū),HBM存儲器的位置調整使得結構支撐硅片從HBM堆棧之間轉移到了邊角位置。
(來源:AMD Advancing AI 2025)
這種布局顯著優(yōu)化了芯粒間的通信——直接消除了整個2.5D Infinity Fabric先進封裝連接的軸向傳輸,減少芯片邊界穿越次數(shù)從而節(jié)省功耗與面積。同時解決了MI300時代對角象限芯片需要兩次跨芯片跳轉通信的問題。
“
上述the Base Active Interposer Die 和奇異摩爾Central IOD互聯(lián)系列3D Base Die 互聯(lián)芯粒如出一轍。Kiwi 3D Base Die是用于高性能chiplet 芯片的片內互聯(lián)芯粒,支持 3D封裝方式。該系列以高性能片上網絡為互聯(lián)核心,通過3D Die2Die 接口和封裝,實現(xiàn)遠超平面芯片的互聯(lián)效率。并整合了多種等高速互聯(lián)接口,搭配大容量的片上近存,可實現(xiàn)高效的片內數(shù)據(jù)傳輸調度與存儲,成為高性能3D芯片的基礎底座。
這種設計對3D堆疊良率提出了更高要求。AMD繼續(xù)采用臺積電SoIC混合鍵合工藝,現(xiàn)在每個基礎芯片需要鍵合兩倍數(shù)量的加速器復合芯片(XCD),若出現(xiàn)缺陷將導致更嚴重的良率損失和硅片浪費。AMD敢于選擇這種方案,印證了臺積電SoIC工藝的成熟度,以及雙方長達五年(AMD作為SoIC首位客戶)的深度合作。
雖然仍采用臺積電N6工藝,但基礎芯片已獲得多項速度升級:剩余芯片間互連帶寬從4.8TB/s雙向等效提升至5.5TB/s;縱向擴展的Infinity Fabric速度提升20%;更重要的是內存控制器現(xiàn)已支持更快的HBM3E。AMD堅持使用經過驗證的CoWoS-S封裝技術連接3D Base Die和HBM,強調其封裝尺寸與MI300保持一致。
計算芯片方面,XCD從N5工藝升級至臺積電N3P節(jié)點。此次AMD僅啟用了芯片上36個CU中的32個(MI300為40個啟用38個)。值得注意的是,XCD在Base Die上的朝向發(fā)生變化,數(shù)據(jù)焊盤現(xiàn)在位于Base Die中央?yún)^(qū)域,數(shù)據(jù)經256MB末級內存附加緩存(MALL)后最終抵達HBM。
創(chuàng)始人田陌晨在2021年奇異摩爾創(chuàng)立之初就秉承為國創(chuàng)業(yè)的精神,深耕Chiplet賽道,奇異摩爾是國內最早布局3D Base Die 互聯(lián)芯粒的科創(chuàng)企業(yè)之一,憑借在有源基板3D base tile的設計能力以及先進封裝方面的資源整合成功聯(lián)合學術界在國內首次實現(xiàn)三維存算一體芯片技術突破。
此次獲得 “2025 中國創(chuàng)新 IC 強芯 - 創(chuàng)新突破獎”,既是對奇異摩爾的肯定,也在實際應用潛力上取得了業(yè)界的高度認可。未來公司將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅動,不斷探索技術新場景,構建半導體產業(yè)新生態(tài),為高性能 AI 計算領域的發(fā)展持續(xù)貢獻力量,助力國產集成電路產業(yè)邁向新的高度。
關于我們
AI網絡全棧式互聯(lián)架構產品及解決方案提供商
奇異摩爾,成立于2021年初,是一家行業(yè)領先的AI網絡全棧式互聯(lián)產品及解決方案提供商。公司依托于先進的高性能RDMA 和Chiplet技術,創(chuàng)新性地構建了統(tǒng)一互聯(lián)架構——Kiwi Fabric,專為超大規(guī)模AI計算平臺量身打造,以滿足其對高性能互聯(lián)的嚴苛需求。我們的產品線豐富而全面,涵蓋了面向不同層次互聯(lián)需求的關鍵產品,如面向北向Scale-out網絡的AI原生超級網卡、面向南向Scale-up網絡的GPU片間互聯(lián)芯粒、以及面向芯片內算力擴展的2.5D/3D IO Die和UCIe Die2Die IP等。這些產品共同構成了全鏈路互聯(lián)解決方案,為AI計算提供了堅實的支撐。
-
chiplet
+關注
關注
6文章
459瀏覽量
12994 -
奇異摩爾
+關注
關注
0文章
61瀏覽量
3729 -
芯粒
+關注
關注
0文章
65瀏覽量
275
原文標題:奇異摩爾榮獲2025中國創(chuàng)新IC強芯-創(chuàng)新突破獎,助力國產化芯片技術突破
文章出處:【微信號:奇異摩爾,微信公眾號:奇異摩爾】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
榮譽時刻 | 美芯晟DTOF傳感器榮膺2025中國創(chuàng)新IC-優(yōu)秀芯擎獎

翱捷科技ASR1806平臺獲“2025 中國創(chuàng)新IC-優(yōu)秀芯擎獎”
炬芯科技榮登“2025中國集成電路創(chuàng)新百強企業(yè)”
帝奧微榮獲2025年度創(chuàng)新力汽車芯片獎
英諾達榮獲2025年中國IC設計成就獎之年度技術突破EDA公司獎
紫光國芯車規(guī)級LPDDR4(x)榮獲第八屆“IC創(chuàng)新獎”成果產業(yè)化獎
砥礪創(chuàng)新 芯耀未來——武漢芯源半導體榮膺21ic電子網2024年度“創(chuàng)新驅動獎”
午芯芯科技國產電容式MEMS壓力傳感器芯片突破卡脖子技術
兆芯榮獲2025 IC風云榜“年度技術突破獎”
紫光國芯榮獲2024中國汽車芯片創(chuàng)新成果獎
國芯科技榮獲2024中國汽車芯片創(chuàng)新成果獎
RISC-V應用落地生花,昉·驚鴻-7110斬獲“強芯中國-創(chuàng)新應用獎”

評論