Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅動器集成在8mm x 5.3mm QFN封裝中,從而簡化了設計并減少了元件數量。可編程導通壓擺率提供電磁干擾和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻器相比,電流檢測仿真降低了功率損耗,并允許低側散熱墊連接到冷的PCB電源地。
數據手冊:*附件:Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數據手冊.pdf
Texas Instruments LMG3624支持突發模式運行,具有低靜態電流、轉換器輕載效率要求和快速啟動時間。保護功能包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱保護。過熱保護通過開漏FLT引腳報告。
特性
- 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET)
- 集成柵極驅動器,具有低傳播延遲和可調開啟壓擺率控制功能
- 高帶寬、高精度的電流感應仿真
- 逐周期過流保護
- 通過FLT引腳報告實現過熱保護
- AUX靜態電流:240μA
- AUX待機靜態電流:50μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
- 8mm × 5.3mm QFN封裝,帶隔熱墊
應用
功能框圖
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