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三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

電子工程師 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-10-09 10:46 ? 次閱讀

三星前幾天發(fā)布了Q3季度財報預(yù)告,指出Q3季度運營利潤可達(dá)154.7億美元,同比大漲20%以上,將創(chuàng)造歷史新高。由于智能手機業(yè)務(wù)下滑,三星盈利大漲主要是靠內(nèi)存及閃存芯片,這部分貢獻(xiàn)的利潤占了80%以上。

現(xiàn)在形勢不同了,今年Q4季度預(yù)期內(nèi)存價格會下滑,而三星為了阻止內(nèi)存價格下滑將采取措施,日媒報道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價位。

日經(jīng)新聞日前報道稱三星預(yù)估2019年DRAM內(nèi)存價格會下滑,因此為了延緩內(nèi)存降價的時間,三星將采取更為保守的政策,市場預(yù)估三星2019年在半導(dǎo)體設(shè)備上的投資額會比2018年下降。

從他們采訪的5位韓國分析師的表態(tài)來看,其中4位都認(rèn)為三星明年會砍半導(dǎo)體設(shè)備投資,另外1位認(rèn)為三星會增加投資,但增加的投資主要是面向晶圓代工業(yè)務(wù)的,針對存儲芯片業(yè)務(wù)的投資還是減少的。

雖然針對存儲芯片的投資總體會減少,但在DRAM內(nèi)存及NAND閃存上還是有區(qū)別的。SK證券分析師認(rèn)為三星明年的半導(dǎo)體投資將減少8%,但NAND閃存投資是增加的,DRAM內(nèi)存則是大減20%,因為三星在這兩個產(chǎn)品上的策略是不同的。

在NAND閃存上,三星要拼市場占有率,增加投資擴大產(chǎn)能以便跟其他廠商搶市場,但在DRAM內(nèi)存上,三星不擔(dān)心市場占有率的問題(三星在DRAM市場上已經(jīng)是45%占有率,三家廠商中最高的了),他們的目標(biāo)是盡可能減緩內(nèi)存降價的趨勢,維持高價位,畢竟三星DRAM內(nèi)存的毛利率超過70%,降價會影響盈利,因此減少20%的投資有利于減緩內(nèi)存降價的速度,維持高價位。

三星在DRAM內(nèi)存上的的態(tài)度及減少投資的做法也不讓人意外,早前就有報道稱三星一直在努力減緩內(nèi)存降價的趨勢,該公司高管在采訪中也不斷否認(rèn)內(nèi)存需求下降的消息,力圖維持供應(yīng)緊張之態(tài)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:三星明年DRAM內(nèi)存投資大砍20%:想降價,沒門!

文章出處:【微信號:IC-008,微信公眾號:半導(dǎo)體那些事兒】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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