韓媒每日經(jīng)濟新聞(MK NEWS)日文版3日報導(dǎo)，三星電子將大幅縮減DRAM、NAND Flash等半導(dǎo)體庫存。為了因應(yīng)截至去(2018)年第3季為止的半導(dǎo)體絕佳需求，三星將半導(dǎo)體庫存量維持在1.5-3個月左右水準(zhǔn)，不過自去年第4季開始，因供應(yīng)過剩導(dǎo)致存儲器景氣大幅減速，也讓三星決定縮減庫存量。

據(jù)多位三星相關(guān)人士指出，三星目前將DRAM、NAND Flash庫存量分別維持在1.5個月(45天)、3個月(90天)，不過三星內(nèi)部已敲定方針，計劃將DRAM、NAND Flash庫存量大幅縮減至0.5個月。

因半導(dǎo)體從接單到生產(chǎn)需要一定的時間，因此在需求旺盛時期，為了因應(yīng)來自客戶的急單，讓三星增加庫存量，不過自去年第4季以來，因DRAM價格下滑、半導(dǎo)體市場疲軟，也讓三星轉(zhuǎn)換方針，縮減庫存量。

根據(jù)三星公告的資料顯示，去年第3季時三星的半導(dǎo)體庫存額為10兆4542億韓元，三星DRAM全球市占率達(dá)45.5%、NAND Flash為35.6%，皆高居全球首位。

日本電子情報技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(JEITA)2018年11月27日發(fā)布新聞稿指出，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)在最新公布的預(yù)測報告中，將2019年全球半導(dǎo)體銷售額成長率預(yù)估值自2018年6月預(yù)估的年增4.4%下修至年增2.6%，年增幅將創(chuàng)3年來(2016年以來、年增1.1 %)新低水準(zhǔn)。

其中，WSTS預(yù)估2019年Memory銷售額將年減0.3%至1,645.43億美元，將3年來首度陷入萎縮，且遠(yuǎn)遜于6月時預(yù)估的年增3.7%。

日經(jīng)新聞2018年10月5日報導(dǎo)，韓國投資證券表示，三星電子2018年半導(dǎo)體設(shè)備投資額約27兆韓元，持平于2017年水準(zhǔn)，不過2019年預(yù)估將較2018年減少約8%。韓國投資證券預(yù)估，三星2019年對NAND Flash的投資雖將有所增加、不過對DRAM預(yù)估會減少2成以上。

日經(jīng)新聞2018年10月31日報導(dǎo)，全球第2大NAND Flash廠商東芝存儲(TMC)和其合作伙伴Western Digital(西部數(shù)據(jù))計劃將雙方共同營運的四日市工廠部分制造設(shè)備導(dǎo)入時間進(jìn)行延后。報導(dǎo)指出，四日市工廠內(nèi)的第6廠房(Fab 6)已完成廠房的興建，不過原先預(yù)計在2018年內(nèi)搬入的設(shè)備將延后數(shù)個月時間，于2019年春天才會進(jìn)行搬入，主因智能手機出貨量低迷，導(dǎo)致存儲器價格下滑，因此將放緩增產(chǎn)速度。