多晶硅原料是什么
多晶硅生產(chǎn)的原料是三氯氫硅和氫氣，按照一定的比例計入還原爐內(nèi)進行熱分解和還原反應(yīng)產(chǎn)生多晶硅棒。
三氯氫硅是用氯化氫和工業(yè)硅粉在合成爐內(nèi)反應(yīng)生成，氯化氫是用氫氣和氯氣在氯化氫合成爐內(nèi)燃燒生成，氯氣是氯化鈉工業(yè)鹽水通過通電反應(yīng)生成，氫氣即可以用氯化鈉工業(yè)鹽水通過通電反應(yīng)生成。也可以用水通電電解生產(chǎn)。工業(yè)硅粉是用石英礦與碳在通電的情況下還原反應(yīng)生成工業(yè)硅塊，經(jīng)粉碎變成工業(yè)硅粉。
現(xiàn)價段，中國的多晶硅廠家都是直接購進三氯氫硅，有合成三氯氫硅工序的很少。因為三氯氫硅的合成是氯氣和硅粉在高壓高溫下反應(yīng)生成，類似于合成氨。所以一方面危險性高，另一方面硅粉分離比較成問題，還有一方面投資也大。本來一個年產(chǎn)300噸多晶硅規(guī)模的不要合成三氯氫硅工序就要投資一億多，所以一般企業(yè)都不上。
多晶硅的生產(chǎn)工藝主要由高純石英（經(jīng)高溫焦碳還原）→工業(yè)硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（經(jīng)過粗餾精餾）→高純SiHCL3（和H2反應(yīng)CVD工藝）→高純多晶硅。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
多晶硅
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
248瀏覽量
29715
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
使用共聚焦拉曼顯微鏡進行多晶硅太陽能電池檢測
圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源，例如太陽能，預(yù)計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能，硅太陽能電池(晶體或
多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響，幫助讀者深入理解
芯片制造中的多晶硅介紹
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，
多晶硅錠定向凝固生長方法
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來，為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，通過控制模具中熔體凝固過程的溫度，創(chuàng)造定向散熱條件，從而
單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
為什么采用多晶硅作為柵極材料
本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
多晶硅的存儲條件是什么
在全球積極推動清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料，其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性。因此，了解并嚴(yán)格把控多晶硅的存儲條件顯得尤為重要。
今日看點丨美國宣布提高中國太陽能硅片、多晶硅關(guān)稅50%；聯(lián)發(fā)科天璣 8400 芯片詳細(xì)參數(shù)曝光
1. 美國宣布提高中國太陽能硅片、多晶硅關(guān)稅至50% 2025 年1 月1 日生效 ? 美國拜登政府周三（12月11日）宣布，將增加對中國太陽能硅片和多晶硅、鎢產(chǎn)品的進口關(guān)稅，作為其保護本國清潔
發(fā)表于 12-12 10:09
?903次閱讀
多晶硅生產(chǎn)過程中硅芯的作用
? ? ? ?多晶硅還原爐內(nèi)，硅芯起著至關(guān)重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中，硅芯的表面會逐漸被新沉積的硅層所覆蓋，形成
多晶硅柵工藝的制造流程
與亞微米工藝類似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過后續(xù)的源漏離子注入進行摻雜，PMOS 的柵是p型摻雜，NMOS 的柵是n型摻雜。
光伏多晶硅的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些
光伏多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料，它在太陽能電池的生產(chǎn)中扮演著重要角色。多晶硅太陽能電池因其成本相對較低、制造工藝成熟、穩(wěn)定性好等特點，在光伏市場中占有重要地位。 1. 住宅和商業(yè)建筑 1.1
光伏多晶硅的分片方法及優(yōu)缺點
光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料，其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。以下是一篇關(guān)于光伏多晶硅分片方法及其優(yōu)缺點
多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡述
當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶硅柵與柵氧化層之間產(chǎn)生一個額外的串聯(lián)電容。當(dāng)柵氧化層厚度減小到 2nm 以下
工商網(wǎng)監(jiān)
評論