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Cree宣布投資10億美元 用于擴(kuò)大SiC(碳化硅)產(chǎn)能

電子工程師 ? 來源:yxw ? 2019-05-14 10:24 ? 次閱讀

先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si(硅)向SiC(碳化硅)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求

? 此次產(chǎn)能擴(kuò)大,將帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC(碳化硅)材料生產(chǎn)的30倍增長,以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長

? 5年的投資,充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab,并整新200mm設(shè)備,建造采用最先進(jìn)技術(shù)的滿足汽車認(rèn)證的生產(chǎn)工廠

? 投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入

Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC(碳化硅)產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動化200mm SiC(碳化硅)生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這項(xiàng)標(biāo)志著公司迄今為止最大的投資,將為WolfspeedSiC(碳化硅)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)業(yè)務(wù)提供動能。在2024年全部完工之后,這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC(碳化硅)材料性能和晶圓制造產(chǎn)能,使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC(碳化硅)的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對于SiC(碳化硅)的需求。今天,我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資,將大幅地提升供應(yīng),幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財年第一季度(也就是我們開始擴(kuò)大產(chǎn)能的第一階段)相比較,能夠帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足WolfspeedSiC(碳化硅)材料和器件在未來5年乃至更長遠(yuǎn)的預(yù)期增長。”

這項(xiàng)計(jì)劃將為業(yè)界領(lǐng)先的WolfspeedSiC(碳化硅)業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施,作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠,邁出滿足預(yù)期市場需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計(jì)成能夠全面滿足汽車認(rèn)證的工廠,其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍,剛開始階段將進(jìn)行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達(dá)勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣壒S。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時還表示:“這些SiC(碳化硅)制造超級工廠,將加速當(dāng)今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案,幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間,同時支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資,也是一種在財政上負(fù)責(zé)任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具,我們相信我們可以實(shí)現(xiàn)提供最先進(jìn)技術(shù)的200mm fab,并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

擴(kuò)大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機(jī)會,并提供先進(jìn)制造人才發(fā)展計(jì)劃。Cree計(jì)劃與州、當(dāng)?shù)睾退哪曛圃盒i_展培訓(xùn)項(xiàng)目,為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機(jī)遇提供人才儲備。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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