臺工研院攜手 LED 驅(qū)動 IC 廠聚積科技、PCB 廠欣興電子與半導體廠錼創(chuàng)科技，四方合力研發(fā)的次世代顯示技術微發(fā)光二極管（Micro LED）又有新進展。繼去年展出全球第一個直接轉(zhuǎn)移至 PCB 基板的 Micro LED 顯示模塊后，時隔一年再公開的合作結(jié)晶成功實現(xiàn)了「RGB」全彩，但小小一塊板子背后所要解決的技術問題盡是挑戰(zhàn)。

01

紅光良率不比藍綠，弱化結(jié)構(gòu)更是難題

Micro LED 技術談了好多年，眾所周知這是一門需要顛覆傳統(tǒng)制程、牽涉產(chǎn)業(yè)領域甚廣的破壞式創(chuàng)新技術，各個技術環(huán)節(jié)對領域?qū)＜叶远加胁灰淄黄频钠款i。去年臺工研院與三廠合作開發(fā)的被動矩陣式驅(qū)動超小間距 Micro LED 顯示模塊，成功將 Micro LED 陣列芯片直接轉(zhuǎn)移到 PCB 基板，只是RGB 全彩獨缺紅光。經(jīng)過一番努力，今年總算是讓紅光「亮」了相。

有別于先前 6 cm x 6 cm 的 Micro LED 顯示模塊，間距（Pitch）小于 800 μm、分辨率 80 x 80 pixel，新版模塊尺寸為 6 cm x 10 cm，間距約在 700 μm 以下、分辨率 96 x 160 pixel，LED 芯片尺寸則同樣在 100 μm內(nèi)。從前端制程到后端轉(zhuǎn)移，臺工研院電光所智能應用微系統(tǒng)組副組長方彥翔博士提到兩大技術難題，一是紅光芯片利用率與良率不足，二是「弱化結(jié)構(gòu)」。

「以芯片利用率和良率來看，紅光還是問題，」方彥翔以 4 英寸 LED 晶圓為例指出，晶圓扣除 2 mm 外徑后，可用區(qū)域的良率在單一標準值下或許可達 99％，也就是單看波長（Dominant Wavelength，Wd）、驅(qū)動電壓（Forward Voltage，Vf）或反向漏電（流）（Reverse Leakage (Current)，Ir）；但若三項數(shù)值標準都要兼?zhèn)洌w良率很可能不到 60％，尤其紅光受限于材料與特性，或許連 50％ 良率都未必能達到。

光看可用區(qū)域的良率并不夠，方彥翔表示，Micro LED 制程下需要針對轉(zhuǎn)移的面積去定義良率。簡單來說，假設巨量轉(zhuǎn)移模塊的轉(zhuǎn)移面積是 6 cm x 3 cm，就表示在該矩形區(qū)域（block）里的 Micro LED 陣列芯片都必須符合前述三項良率標準，不能有壞點才能進行轉(zhuǎn)移，也就是說整片晶圓里可能只有某個特定區(qū)塊符合所有標準，良率不夠穩(wěn)定導致能轉(zhuǎn)移的區(qū)域少、整片利用率也大幅下降。以目前產(chǎn)業(yè)最頂尖的技術來說，晶圓芯片要做到超高均勻度都還有很大努力空間。

不僅 Micro LED 紅光良率有待改善，具有弱化結(jié)構(gòu)的 Micro LED 更是難求。

弱化結(jié)構(gòu)是巨量轉(zhuǎn)移成功與否的一大關鍵。方彥翔說明，Micro LED 芯片在制程階段得先跟硅或玻璃等材質(zhì)的暫時基板接合，再透過雷射剝離（laser lift-off）去除藍寶石基板，接著以覆晶形式將原本的 LED 結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)、正面朝下，并使 P 型與 N 型電極制作于同一側(cè)，對于微縮到微米等級的 Micro LED 來說又更具難度。

為了讓 Micro LED 在巨量轉(zhuǎn)移的吸取過程中，能夠順利脫離暫時基板又不至破片，因此得在 LED 下方制作中空型的弱化結(jié)構(gòu)，也就是以小于 1 μm 的微米級柱子支撐。當轉(zhuǎn)移模塊向上吸取 LED 時，只要斷開柱子便能將 Micro LED 脫離暫時基板，再轉(zhuǎn)移下壓至 TFT 或 PCB 板上，但這一步驟也考驗 LED 本身夠不夠強固、承受壓力時是否仍能保持完好，而紅光比起藍光和綠光相對更脆弱易破，加上 PCB 板粗糙度（roughness）較大、上下高低差大于 200 μm，稍微施壓不當就可能降低紅光轉(zhuǎn)移成功率。

至于玻璃基板則因為粗糙度沒有 PCB 板來得大，Micro LED 轉(zhuǎn)移難度也相對較低。去年臺工研院便展出過一款 6 cm x 6 cm、間距約 750 μm、分辨率 80 x 80 pixel 的 Micro LED 透明顯示模塊，所采用的就是超薄玻璃基板，技術上成功實現(xiàn)了 RGB 三色；而今年所制作的新版 Micro LED 透明顯示模塊，尺寸為 4.8 cm x 4.8 cm，間距約 375 μm、分辨率 120 x 120 pixel，明顯比前一款的顯示效果更為細致。

02

聚焦三大應用：電競屏幕、AR、透明顯示器

Micro LED 具備高亮度、高效率低功耗、超高分辨率與色彩飽和度、使用壽命較長等特性，在電競屏幕（Gaming Monitor）、擴增實境（AR）、透明顯示器等應用領域，要比 OLED、LCD 更能發(fā)揮優(yōu)勢，而這三大應用也是臺工研院最為看好也正積極發(fā)展的方向。

以電競屏幕應用來看，方彥翔提到目前市場上雖然已有次毫米發(fā)光二極管（Mini LED）技術切入，但始終是做為顯示器背光，Micro LED 則可直接做為 pixel 顯示不需背光源。相較于 Mini LED 或同樣為自發(fā)光顯示技術的 OLED，Micro LED 對比度更高更純凈、顯色表現(xiàn)也更佳，在最關鍵的刷新率表現(xiàn)上也優(yōu)于 OLED，而且無烙印或衰退問題，未來在高端消費市場的發(fā)展?jié)摿ο喈斂善凇?/p>

提到 Micro LED 應用于 AR 的發(fā)展機會，方彥翔已不只一次表達過正面看法。他認為 Micro LED 有機會在 AR 領域發(fā)展為顯示光源主流技術，但就技術而言還有很多難題有待克服，除了 Micro LED RGB 三色良率和效率問題需要重新調(diào)整外，若以單色 Micro LED 結(jié)合量子點（QD）色轉(zhuǎn)換材料的方式，也還有其他問題存在。

而且，AR 成像目前遇到的問題為系統(tǒng)光波導（Optical Waveguide）吸收率極高，因此若要在系統(tǒng)要求的低功耗前提下，Micro LED 所需要的亮度將高達 100 萬 nits，別說 Micro LED 現(xiàn)在還很難做到，連技術成熟的 OLED 和 LCD 都無法達到，更何況 AR 畫素密度約 2,000 ppi 以上，間距在 12.8 μm 左右，單一子畫素（Sub-pixel）必須微縮到 4 μm 以下，Micro LED 若以傳統(tǒng)制程進行制作，效率將大幅下降，在一定功耗要求下，光要達到 10 萬 nits 就已經(jīng)非常困難。

「所以 LED 小于 10 μm 以后，亮度就是另一個世界，」方彥翔說，「要提升 LED 在 AR 上的效率，就必須從半導體的結(jié)構(gòu)和制程去改變，要有突破才有辦法達到」。盡管 AR 應用可能還需要五年才有機會實現(xiàn)，但他認為這確實是***地區(qū)可以發(fā)展的 Micro LED 利基市場。

至于臺工研院所開發(fā)的透明顯示器采被動式無 TFT，主要以 3 到 4 英寸模塊拼接形式，聚焦車載和被動式應用。提到透明顯示器車載應用，方彥翔指出，OLED 透明度雖然可達 60％ 到 70％，但分辨率難做高；Micro LED 透明度可達 70％ 以上，顯示也相對更清晰。目前臺工研院正與廠商進行產(chǎn)品試做，也會持續(xù)發(fā)展有關應用。

方彥翔直言，Micro LED 就技術開發(fā)來說還需要一段時間，若朝 OLED 和 LCD 現(xiàn)有市場發(fā)展替代應用已經(jīng)太晚，也不一定會有競爭優(yōu)勢，加上良率有限、成本難降，要跟技術成熟的 LCD 和 OLED 競爭并不容易。但他相信，OLED 或 LCD 達不到的技術就是 Micro LED 的機會，尤其電競屏幕、AR 和透明顯示器等高技術門檻的利基應用，或許可為***地區(qū)發(fā)展 Micro LED 的路上亮起希望。