動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-03-15 17:57

  蝕刻技術(shù)蝕刻工藝及蝕刻產(chǎn)品簡(jiǎn)介

  

  關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻(dryetching)兩類。最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(WeightReduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之

  材料 蝕刻

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 17:54

  微電子封裝熱界面材料研究綜述

  

  摘要：隨著半導(dǎo)體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發(fā)展，其發(fā)熱量急劇增大，熱失效已經(jīng)成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問(wèn)題。高性能的熱管理材料能有效提高微電子封裝內(nèi)部元器件散熱能力，其中封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑上的熱界面材料（ThermalInterfaceMaterial,TIM）便是熱管理中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。通過(guò)熱界面材料填充器件熱源和散熱單元之間的空

  封裝 材料

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 17:54

  卡脖子技術(shù)材料---動(dòng)力電池外殼耐高溫1800C 導(dǎo)熱絕緣UV快速固化無(wú)色透明保護(hù)涂層

  

  關(guān)鍵詞：卡脖子技術(shù)材料，半導(dǎo)體芯片，新能源，高分子材料，國(guó)產(chǎn)替代材料引言：聚硅氮烷（PSZ）是一類主鏈以Si-N鍵為重復(fù)單元的無(wú)機(jī)聚合物。聚硅氮烷可分為有機(jī)聚硅氮烷（OPSZ）和過(guò)水聚硅氮烷（PHPS）兩大類。由于其結(jié)構(gòu)特殊，聚硅氮烷高溫條件下可轉(zhuǎn)化為SiCNO、SiCN或二氧化硅陶瓷等，固化后硬度可達(dá)8H以上。聚硅氮烷具有優(yōu)異的耐腐蝕、抗氧化、耐輻射、耐高

  材料 電池

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 17:53

  半導(dǎo)體芯片光刻制程工藝的關(guān)鍵步驟

  

  集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻。正因?yàn)橛辛怂覀儾拍茉谖⑿〉男酒蠈?shí)現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephoreniepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開(kāi)始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，不透光部分瀝

  半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 17:53

  GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

  

  GaN功率器件是雷達(dá)T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來(lái)越高,器件的長(zhǎng)期可靠性成為瓶頸。文章對(duì)雷達(dá)脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機(jī)理進(jìn)行了分析和研究,指出高漏源過(guò)沖電壓、柵源電壓的穩(wěn)定性以及GaN管芯的溝道溫度的高低是影響GaN功率器件長(zhǎng)期應(yīng)用可靠性的主要因素,同時(shí)給出了降低漏源過(guò)沖電壓、提高柵源電壓穩(wěn)定性以及改善Ga

  GaN 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 17:52

  超小尺寸低電阻替代PCB鈹銅彈片SMT鍍金導(dǎo)電硅膠彈片

  

  關(guān)鍵詞：SMT貼片，EMC，ESD，國(guó)產(chǎn)高端新材料導(dǎo)語(yǔ)：SMT導(dǎo)電硅膠泡棉是一種可通過(guò)SMT回流焊接在PCB板上,具有優(yōu)異彈性的導(dǎo)電接觸端子，用于EMI、接地或者導(dǎo)電終端。填充體為硅膠成分，以金屬鍍層為內(nèi)外層的薄膜，經(jīng)過(guò)高溫加工而成。它表面光滑，回彈性優(yōu)越，耐高溫，具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和抗氧化性，焊接強(qiáng)度較好，產(chǎn)品符合歐盟ROSH要求。在回流焊接時(shí)使用的焊料和錫

  pcb PCB smt 電阻

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• 發(fā)布了文章 2023-02-21 17:56

  高端國(guó)產(chǎn)替代---耐溫1200C 超薄0.8毫米碳纖維復(fù)合材料（聚硅氮烷）

  

  關(guān)鍵詞：新材料聚硅氮烷，半導(dǎo)體芯片，新能源，高分子材料，國(guó)產(chǎn)高端材料引言：聚硅氮烷（PSZ）是一類主鏈以Si-N鍵為重復(fù)單元的無(wú)機(jī)聚合物。聚硅氮烷可分為有機(jī)聚硅氮烷（OPSZ）和過(guò)水聚硅氮烷（PHPS）兩大類。由于其結(jié)構(gòu)特殊，聚硅氮烷高溫條件下可轉(zhuǎn)化為SiCNO、SiCN或二氧化硅陶瓷等，固化后硬度可達(dá)8H以上。聚硅氮烷具有優(yōu)異的耐腐蝕、抗氧化、耐輻射、耐高

  半導(dǎo)體 材料

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• 發(fā)布了文章 2023-02-21 17:55

  超薄50um高粘結(jié)力絕緣高導(dǎo)熱雙面膠帶

  

  關(guān)鍵詞：TIM熱界面材料，雙面膠帶，膠粘劑（膠水，黏結(jié)劑、粘接劑）導(dǎo)言：雙面膠帶是以紙、布、薄膜、泡棉等為基材，再把膠粘劑均勻涂布在上述基材兩側(cè)表面上而制成的卷狀膠粘帶，是由基材、膠粘劑、隔離紙（離型膜）三部分組成。根據(jù)基材的不同，有些基材在涂膠前需進(jìn)行表面處理。由于基材及膠粘劑的選材廣泛且能進(jìn)行不同的組合，故雙面膠帶的種類比其他類型的膠帶種類更多。雙面膠帶

  材料 膠帶

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• 發(fā)布了文章 2023-02-21 17:54

  六方氮化硼納米片導(dǎo)熱復(fù)合材料及高品質(zhì)氮化硼粉的介紹

  

  關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電，高端材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要原料之一,而類似石墨烯結(jié)構(gòu)的六方氮化硼納米片(BNNS)具有比h-BN更加優(yōu)異的性能。本文綜述了BNNS的制備方法、表面修飾以及其聚合物基導(dǎo)熱復(fù)合材料類型,并展望了

  導(dǎo)熱 材料

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• 發(fā)布了文章 2023-02-21 17:54

  電子芯片散熱技術(shù)及其發(fā)展研究

  

  ?摘要：隨著電子芯片的集成化和微型化發(fā)展，對(duì)電子芯片的功能進(jìn)行進(jìn)一步升級(jí)和強(qiáng)化勢(shì)在必行，由于現(xiàn)階段大多數(shù)電子芯片的功耗持續(xù)提升并在工作中產(chǎn)生了大量熱量，從而影響到正常工作，所以對(duì)芯片的散熱技術(shù)進(jìn)行深入研究非常必要。鑒于此，本文從主動(dòng)式散熱和被動(dòng)式散熱兩個(gè)層面出發(fā)進(jìn)行分析研究，以期探究更加行之有效的散熱技術(shù)應(yīng)用措施?關(guān)鍵詞：電子芯片；散熱技術(shù)；發(fā)展基于現(xiàn)階段電

  散熱 芯片

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