動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-02 15:24

  電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）：原理、測(cè)試方法與應(yīng)用領(lǐng)域

  

  電子背散射衍射電子背散射衍射技術(shù)（EBSD），作為一種尖端的材料分析手段，融合了掃描電子顯微鏡（SEM）的精細(xì)成像與電子衍射的晶體學(xué)分析技術(shù)。電子束與樣品的相互作用在EBSD測(cè)試中，首先利用SEM產(chǎn)生的高能電子束照射到材料表面。當(dāng)電子束與樣品原子相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生多種信號(hào)，其中包括背散射電子。衍射現(xiàn)象電子束與樣品中的晶體結(jié)構(gòu)相互作用時(shí)，會(huì)發(fā)生衍射現(xiàn)象。衍射電

  SEM 探測(cè)器 顯微鏡

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• 發(fā)布了文章 2024-12-02 15:23

  X射線熒光光譜分析儀（XRF）：高效能譜分析技術(shù)

  

  元素檢測(cè)需要擁有先進(jìn)的能量色散X熒光光譜儀，能夠?yàn)榭蛻籼峁└呔鹊脑胤治龇?wù)，確保您的產(chǎn)品符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。元素檢測(cè)范圍可以針對(duì)多種元素進(jìn)行精準(zhǔn)檢測(cè)，確保您的產(chǎn)品符合RoHS指令的要求。1.RoHS指令限制物質(zhì)：包括鉛、鎘、汞、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚。2.鹵素族元素：如溴、氯等。3.其他元素：涵蓋銅、鐵、錫、鎳、錳、鉍、銻、銀、砷、鉻、鈷、鋁、汞、鋅等。

  分析儀 檢測(cè) 電氣設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-02 15:21

  LED燈珠變色與失效原因分析

  

  LED光源發(fā)黑現(xiàn)象LED光源以其高效、節(jié)能、環(huán)保的特性，在照明領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，LED光源在使用過(guò)程中出現(xiàn)的發(fā)黑現(xiàn)象，卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED光源的黑化現(xiàn)象是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，可能由多種因素引起。這些因素包括硫化、氯化、溴化、氧化、碳化以及化學(xué)不兼容化等。這些化學(xué)作用可能導(dǎo)致LED光源的表面出現(xiàn)黑色物質(zhì)，影

  led LED燈珠 光源

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• 發(fā)布了文章 2024-11-29 17:32

  SMT中的離子污染檢測(cè)：ROSE、離子色譜法(IC)與C3方法比較

  

  貼裝技術(shù)離子清潔度的重要性在電子制造領(lǐng)域，表面貼裝技術(shù)（SMT）是一種關(guān)鍵的組裝方法，它涉及到將電子元件精確地放置在印刷電路板（PCB）上。為了確保這些電路板和組件的長(zhǎng)期可靠性和性能，離子清潔度的控制至關(guān)重要。離子殘留物可能會(huì)導(dǎo)致電路短路、腐蝕和電氣性能下降，從而影響產(chǎn)品的壽命和可靠性。離子清潔度測(cè)試方法概述為了評(píng)估SMT產(chǎn)品的離子清潔度，行業(yè)內(nèi)采用了多種測(cè)

  smt 檢測(cè) 表面貼裝

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• 發(fā)布了文章 2024-11-29 17:31

  三維電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)：FIB-SEM與EBSD的結(jié)合應(yīng)用案例

  

  三維電子背散射衍射技術(shù)（3D-EBSD）在材料科學(xué)領(lǐng)域，對(duì)材料的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確分析是至關(guān)重要的。傳統(tǒng)的電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)主要提供樣品表面的晶體學(xué)信息，但對(duì)于三維物體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這些信息就顯得不夠全面。為了深入研究晶粒組織、晶粒尺寸和界面等三維特征，科學(xué)家們發(fā)展了一種新的技術(shù)——三維電子背散射衍射（3D-EBSD）。從二維到三維的跨越對(duì)于大尺度區(qū)

  fib SEM 三維電子

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• 發(fā)布了文章 2024-11-29 17:29

  FIB-SEM方法分析BlackPad的優(yōu)缺點(diǎn)

  

  BlackPad簡(jiǎn)介目前以ENIG為表面處理方式所占比例較大，ENIG金屬Ni層以NiP成分為主，在生產(chǎn)中易發(fā)生鎳腐蝕（后面稱blackpad）。退金后的Blackpad通常表現(xiàn)為晶格線間的黑線（如下圖A）和晶格上的黑點(diǎn)（如下圖B）。SEM方法分析BlackPad的優(yōu)缺點(diǎn)為了方便大家對(duì)材料進(jìn)行深入的失效分析及研究，具備DualBeamFIB-SEM業(yè)務(wù)，包括

  fib SEM 電鏡

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• 發(fā)布了文章 2024-11-29 17:28

  什么是氨氣試驗(yàn)？

  

  植物照明中的氨氣問(wèn)題在通用照明領(lǐng)域，LED器件的耐氨氣性能通常不是關(guān)注焦點(diǎn)，因?yàn)闊艟叩拿芊獾燃?jí)較高，足以抵御氨氣的侵蝕。然而，隨著植物照明技術(shù)的興起，這一情況發(fā)生了變化。植物照明，尤其是溫室補(bǔ)光，由于植物的土培特性，不可避免地會(huì)產(chǎn)生氨氣。當(dāng)植物葉片腐爛或施用氮肥時(shí)，燈具周圍的氨氣濃度可能會(huì)顯著升高，這對(duì)LED器件的耐氨氣性能提出了新的要求。某植物照明燈具廠氨

  led LED器件 植物照明 試驗(yàn)

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:14

  LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)四大問(wèn)題匯總

  

  LED驅(qū)動(dòng)電源的質(zhì)量好壞將會(huì)直接影響LED的壽命，因此如何做好一個(gè)LED驅(qū)動(dòng)電源是LED電源設(shè)計(jì)者的重中之重。在現(xiàn)代生活中，節(jié)能和環(huán)保日益受到重視，LED照明因其高效節(jié)能的特性而廣泛被采用。LED燈具的使用壽命不僅取決于其自身的質(zhì)量，還與其電源驅(qū)動(dòng)的性能密切相關(guān)。一個(gè)穩(wěn)定可靠的LED驅(qū)動(dòng)電源對(duì)于延長(zhǎng)LED的使用壽命至關(guān)重要。LED驅(qū)動(dòng)電源直接影響壽命LED驅(qū)

  led 電源設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電源

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:13

  EBSD技術(shù)在樣品制備中的應(yīng)用：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具

  

  EBSD技術(shù)概述電子背散射衍射技術(shù)（ElectronBackscatterDiffraction，EBSD）是一種高精度的材料表征手段，常作為掃描電子顯微鏡（SEM）的補(bǔ)充設(shè)備使用。它能夠詳細(xì)分析材料的晶體取向、晶界特性、再結(jié)晶行為、微觀結(jié)構(gòu)、相態(tài)識(shí)別以及晶粒尺寸等關(guān)鍵信息。金鑒織構(gòu)取向分析示意圖設(shè)備與服務(wù)高性能的TF20場(chǎng)發(fā)射透射電鏡，這些電鏡配備了能譜儀

  顯微鏡 材料

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• 發(fā)布了文章 2024-11-28 17:12

  解析電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)

  

  電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)（VoltageDipsandShortInterruptionImmunityTest）是用于評(píng)估電子設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)電力系統(tǒng)中電壓暫降和短時(shí)中斷的抗擾度的測(cè)試方法。該測(cè)試方法旨在模擬電力系統(tǒng)中可能發(fā)生的電源故障，以驗(yàn)證設(shè)備在這些故障下的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性。電壓暫降是指電力系統(tǒng)中電源電壓短時(shí)間內(nèi)降低到較低水

  抗擾度試驗(yàn) 電壓暫降 電子設(shè)備

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