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• 發布了文章 2025-01-08 10:57

  氬離子切拋技術在簡化樣品制備流程中的應用

  

  在材料科學和工程領域，樣品的制備對于后續的分析和測試至關重要。傳統的制樣方法，如機械拋光和研磨，雖然在一定程度上可以滿足要求，但往往存在耗時長、操作復雜、容易損傷樣品表面等問題。隨著技術的發展，氬離子切拋技術應運而生，為材料制樣提供了一種更為高效、精細的選擇。傳統制樣方法的局限性1.EBSD樣品制備的挑戰電子背散射衍射（EBSD）技術在材料科學中具有廣泛的應

  半導體 材料 離子束

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• 發布了文章 2025-01-08 10:55

  灼熱絲試驗測試步驟詳解

  

  什么是灼熱絲測試？灼熱絲測試是一種評估電子電器產品在過熱情況下起火危險性的重要實驗。灼熱絲測試的目的與設備灼熱絲測試的目的是為了確保電子電器產品在設計和制造過程中考慮到了熱安全，防止因過熱引發火災。測試設備包括一個固定規格的電阻絲環，即灼熱絲，它通過大電流加熱至試驗規定的高溫，然后以規定的壓力大灼燒樣品一段時間，以此來模擬產品在實際使用中可能遇到的熱沖擊。灼

  測試 灼熱絲 試驗

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• 發布了文章 2025-01-08 10:54

  化學測試——含溴阻燃劑檢測

  

  溴化阻燃劑簡介溴系阻燃劑（BrominatedFlameRetardants，簡稱BFRs）是含溴有機化合物的一大類，包括多溴二苯醚（簡稱PBDEs）、六溴環十二烷（簡稱HBCDD）和多溴聯苯（簡稱PBBs）等。這類化合物憑借其出色的阻燃效能，被廣泛地應用于塑料制品、各種紡織品以及兒童相關產品中，主要目的是提升這些產品的耐火性能。應用與潛在風險溴化阻燃劑的使

  檢測 測試

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• 發布了文章 2025-01-07 11:20

  錫須生長現象

  

  在電子制造領域，錫須是一種常見的物理現象，表現為在錫質表面自發生長的細長晶體。這些晶體類似于晶須，能在多種金屬表面形成，但以錫、鎘、鋅等金屬最為常見。錫須的形成對那些選擇錫作為電路連接材料的制造商來說，是一個需要特別關注的問題。錫須生長的根源探究1.應力因素的探討錫須問題通常與電鍍層內部的壓縮應力有關。這種應力可能由多種因素引起，例如電鍍過程中的化學反應、鍍

  晶體 電子制造 錫須

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• 發布了文章 2025-01-07 11:19

  聚焦離子束（FIB）在加工硅材料的應用

  

  在材料分析中的關鍵作用在材料科學領域，聚焦離子束（FIB）技術已經成為一種重要的工具，尤其在制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品時顯示出其獨特的優勢。金鑒實驗室作為行業領先的檢測機構，能夠幫助研究人員準確評估FIB加工對材料的影響，確保樣品的質量和分析的可靠性。本文將深入探討FIB技術在TEM樣品制備中的應用，并分析由此產生的人工缺陷問題。FIB技術的卓越性能F

  fib 硅材料 離子束

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• 發布了文章 2025-01-07 11:17

  電子背散射衍射晶體學織構分析與數據處理

  

  晶體的取向，即晶體坐標系（CCS）相對于樣品坐標系（SCS）的定位，對于理解材料的物理和化學性質具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學性能，如強度、韌性、塑性等，還對電學、熱學、光學等性能產生深遠的影響。例如，在半導體材料中，晶體取向決定了載流子的遷移率和復合效率，從而影響器件的性能；在金屬材料中，晶體取向影響金屬的塑性變形機制和疲勞壽命等。1.旋轉矩

  數據處理 晶體 材料

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• 發布了文章 2025-01-07 11:13

  電氣安全測試項目詳解

  

  安全檢測認證的重要性在電子產品的設計與制造過程中，安全性是不可忽視的核心要素。安全檢測認證是確保電子產品在進入市場前滿足安全標準的關鍵步驟。這些認證過程涵蓋了模擬用戶可能的使用情況，包括正常使用和異常使用，以評估產品可能帶來的風險，如電擊、火災和機械傷害，并在產品出廠前通過設計預防這些風險。國際安規體系概覽IEC：國際電工委員會，負責制定國際電工標準。UL：

  檢測認證 測試 電氣安全 耐壓測試

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• 發布了文章 2025-01-06 12:29

  EBSD技術在氬離子截面切割制樣中的應用

  

  電子背散射衍射技術電子背散射衍射技術（ElectronBackscatterDiffraction，簡稱EBSD）是一種將顯微組織與晶體學分析相結合的先進圖像分析技術。起源于20世紀80年代末，經過十多年的發展，EBSD已經成為材料科學領域中不可或缺的分析工具。EBSD技術通過分析晶體的取向來成像，因此也被稱為取向成像顯微術。EBSD成像原理及其應用EBSD

  顯微鏡 材料

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• 發布了文章 2025-01-06 12:28

  半導體需要做哪些測試

  

  設計芯片：半導體制造的起點半導體產品的制造始于芯片設計。設計階段是整個制造過程的第一步，工程師們根據產品所需的功能來設計芯片。芯片設計完成后，下一步是將這些設計轉化為實體的晶圓。晶圓由重復排列的芯片組成，每個小格子狀的結構就代表一個芯片。芯片的體積大小直接影響到單個晶圓上可以產出的芯片數量。半導體制程工序概覽半導體制程工序可以分為三個主要階段：晶圓制作、封裝

  半導體 封裝測試 測試 芯片設計

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• 發布了文章 2025-01-06 12:26

  FIB-SEM技術全解析：原理與應用指南

  

  聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）雙束系統是一種集成了聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）功能的高科技分析儀器。它通過結合氣體沉積裝置、納米操縱儀、多種探測器和可控樣品臺等附件，實現了微區成像、加工、分析和操縱的一體化。這種系統在物理、化學、生物、新材料、農業、環境和能源等多個領域都有著廣泛的應用。FIB-SEM雙束系統1.系統結構與工作原

  fib SEM 顯微鏡

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