動態

• 發布了文章 2023-12-22 17:21

  門極驅動器的重要性

  

  一個良好的功率電路不僅由靜態器件如SiC和GaN MOSFETs組成，還包含了門極驅動器。這是一個獨立的元素，位于電子開關之前，確保以最佳方式為其提供驅動能量。實際上，不能僅僅將方波或矩形波直接發送到器件的門極端子。另一方面，必須適當時序地發送正確的電位，以確保振蕩適用于各種組件，減少寄生元件，盡可能地取消功率損耗。

  SiC 開關器件 門極驅動器

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• 發布了文章 2023-12-22 17:16

  分流電阻器的應用

  

  盡管分流電阻器存在一定局限性，如引入寄生元素和缺乏內置隔離等，但通過精心設計和采取減輕措施可以解決這些挑戰。分流電阻器仍是電氣設計中的一種強大工具，提供高精度的電流測量和控制。通過充分利用其優勢，同時關注其局限性，設計者和研究人員可以在創新產品的性能和效率方面進行優化。

  二極管 分流電阻 電阻器

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• 發布了文章 2023-12-22 16:25

  電感器不同電流紋波比例的影響

  

  在開關調節器中，通過電感器實現瞬時儲存能量，以便將輸入電壓轉換為更高或更低的輸出電壓。電感器的大小取決于開關調節器的切換頻率和預期的電路電流流動。綜合權衡不同電流紋波比例的優缺點后，大約30%的值似乎對于大多數應用來說是一個不錯的折中。然而，在某些情況下允許偏差，只要結果影響可以接受。

  波紋 電壓 電感 電流

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• 發布了文章 2023-12-21 16:38

  功率設備提升功率密度的方法

  

  在電力電子系統的設計和優化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。

  功率器件 功率密度 晶體管 電子設備

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• 發布了文章 2023-12-20 17:00

  激光二極管的原理和應用

  

  通過對激光二極管的技術深入分析可知，它在現代電力電子和通信領域中的作用日益重要。雖然激光二極管的成本相對高昂，但在高端精密的應用中，其性能優勢明顯，預計在未來的光電子行業中將持續發揮巨大潛力。

  二極管 激光二極管 電流

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• 發布了文章 2023-12-19 11:59

  碳化硅MOSFET并聯運作提升功率輸出

  

  碳化硅（SiC）MOSFET以其正溫度系數的特性進行靜態電流的共享和負反饋。如果一個設備的電流更大，那么它就會加熱，相應地增加其RDS(on)。這樣，過境電流降低，熱失衡級別也降低。此外，他們在溫度增高后切換損耗的增加非常小。最后，碳化硅（SiC）MOSFET的跨導曲線更加平滑，柵極電壓的小變化對電流的影響較小，易于在多個設備間進行動態的電流共享。

  MOSFET 元器件 碳化硅

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• 發布了文章 2023-12-19 11:58

  英特爾有望于2024年領先芯片制造競爭對手

  

  近五年來，英特爾在高級芯片制造領域落后于臺積電和三星。如今，為重新贏得領先地位，英特爾正大膽而冒險地引入兩項全新技術，即新型晶體管技術和首創的電源交付系統，這兩項技術將被應用在計劃于2024年底發布的桌面和筆記本電腦的Arrow Lake處理器中。

  電源 芯片 英特爾

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• 發布了文章 2023-12-18 16:36

  了解電源管理的基礎

  

  在科技的進步引領下，電源管理電路已經從早期以分立元件為主（此類解決方案通常體積大、花費高、設計復雜）發展至現在的集成解決方式（以體積小、效率高、易于管理及配置應用需求為主）。目前，集成于單一芯片中的電源解決方案已往智能化、可編程的方向發展，使得設計工作大大簡化，物料清單成本顯著降低，整體系統效果得以提升，并大幅增加了系統的靈活性。

  PMIC 交流電源 電源管理

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• 發布了文章 2023-12-18 16:35

  悉尼研究員引入增強帶寬的樂高式新型芯片

  

  悉尼大學納米研究所的科研人員近期推出了一款新型的緊湊硅半導體芯片，能夠無縫集成電子元件和光子元件。這種創新帶來的射頻（RF）帶寬的大幅度擴展，以及對芯片內信息流動的準確控制，意味著澳大利亞有能力建立其自主的芯片制造體系，不再完全依賴國際上的晶圓廠進行增值處理。

  半導體芯片 晶圓 芯片

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• 發布了文章 2023-12-15 17:35

  使用GaN HEMT設備最大化OBCs的功率密度

  

  隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續航里程。因此，我們將探討如何設計、選擇拓撲結構，以及如何通過GaN HEMT設備最大化OBCS的功率密度。

  GaN HEMT 電動汽車 車載充電器

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