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• 發布了文章 2023-10-13 15:08

  智能功率模塊 (IPM)：概念、特性和應用

  

  “功率模塊”是指存在功率開關元件（通常是 IGBT），該模塊是“智能”的，因為它包含額外的控制和保護電路。目標是優化性能并使整體解決方案更易于設計和實施。

  IPM 模塊 驅動

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• 發布了文章 2023-10-12 11:59

  智能功率模塊（IPM）為工業設備提供卓越保護

  

  高集成度IPM是逆變器的好伙伴，IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開關元件，并集成電流傳感器、保護電路和柵極驅動電路。IPM以其高可靠性和易用性贏得了越來越大的市場，特別適用于驅動電機的變頻器和各種逆變器，是變頻調速、冶金機械、電力牽引的理想電力電子裝置。

  IGBT IPM 設備

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• 發布了文章 2023-10-11 13:50

  智能功率模塊市場，2031年預測

  

  2021年全球智能功率模塊市場估值為16億美元，預計到2031年將達到37億美元，2022年至2031年復合年增長率為8.7%。

  IPM 功率模塊 晶體管

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• 發布了文章 2023-10-10 16:02

  GaN 技術能否縮小 5G 毫米波的性能差距？

  

  毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現這些改進帶來了挑戰。因此，功率 IC 制造商正在尋求更高效的技術，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體，以提高這些新網絡的性能并降低成本。

  5G GaN 射頻 毫米波 氮化鎵

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• 發布了文章 2023-10-09 14:21

  如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅動器

  

  額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設計通常選擇專用的 SiC 核心驅動器，這會考慮到更快的開關、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標準柵極驅動器，但你必須用額外的電路來補充它，通常這就是權衡。”

  IGBT MOSFET SiC 半導體

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• 發布了文章 2023-10-09 14:20

  如何使用萬用表測試 IGBT

  

  通過目視檢查、測量電氣參數、評估柵極驅動和開關特性以及在應力條件下進行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關 IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估，建議進行柵極驅動測試、開關性能分析等額外測試。

  IGBT 萬用表 測試

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• 發布了文章 2023-10-08 15:24

  SiC 和 GaN：兩種半導體的發展

  

  在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設計中，可以降低系統級成本，因為需要更少的組件，從而節省了空間和重量。

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅 第三代半導體

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• 發布了文章 2023-10-07 11:34

  GaN技術：電子領域的下一波浪潮

  

  GaN技術正在電力電子領域嶄露頭角，受到了廣泛的關注和投資。這一前沿技術在汽車、消費電子和航空航天等領域，特別是在功率轉換應用中，展現了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力，推動更高效的電力轉換和電氣化，為未來的電子器件設計師提供了全新的可能性。

  GaN 氮化鎵 電動汽車

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• 發布了文章 2023-09-28 11:31

  英飛凌、TI、NXP等芯片大廠最新市場行情

  

  芯片市場一直備受矚目，2023年馬上過去的9月的市場情況也吸引了廣泛的關注。9月芯片市場行情仍在緩慢復蘇，需求大多集中在汽車領域，消費類物料則因庫存充足需求疲軟，導致部分產品價格倒掛。

  NXP ti 芯片 英飛凌

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• 發布了文章 2023-09-28 11:23

  碳化硅（SiC）需求迎來指數級增長

  

  由于政府對氣候變化的要求以及可能更重要的是消費者需求呈指數級增長，汽車原始設備制造商（OEMs）計劃將電池電動車型轉為未來10至15年主要銷售的汽車。這種電氣化轉型正日益定義了汽車動力半導體的整體市場需求。最初，汽車動力半導體市場主要由硅IGBT和MOSFET主導，而SiC和氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體的機會僅限于早期采用者，如特斯拉。

  MOSFET SiC 碳化硅

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