動態

• 發布了文章 2023-09-21 13:48

  如何測試 NPN 和 PNP 晶體管

  

  介紹： 晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導體器件。它是一種三端口半導體器件，這些引腳分別標記為集電極（C）、基極（B）和發射極（E）。現在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。

  NPN型 pnp型 晶體管 檢測

  2.3k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-20 15:09

  如何用萬用表測試MOSFET

  

  MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。

  IGBT MOSFET 功率器件 測試

  1.5k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-20 15:02

  IGBT在電磁爐中的應用及解決方案

  

  分立式 IGBT 是現代基于逆變器的電磁烹飪產品的首選電源開關。隨著能源成本持續上升以及消費者對更小型烹飪解決方案的需求增加，IGBT 技術必須不斷發展以滿足這些需求。感應加熱的基本原理由邁克爾·法拉第 (Michael Faraday) 于 1831 年發現，并由海因里希·倫茨 (Heinrich Lenz) 進一步發展。

  IGBT MOSFET 電磁爐

  2.6k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-19 09:52

  什么是變頻器（VFD）？

  

  IGBT 通常不用于變頻器整流器前端。變頻器整流器通常使用 SCR 或類似的較慢開關組件。SCR 的優勢在于，其設計更簡單，在輸入電壓質量可變的情況下更加穩健，并且成本相對較低。然而，正如有人提到逆變器上 IGBT 的較高載波頻率可能會導致問題一樣，整流器前端的 SCR 頻率較低也會導致問題。前端的這些較慢的開關頻率可能會導致電壓源中出現過多的諧波失真。

  IGBT 變頻器 逆變器

  3.5k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-18 14:58

  IGBT的應用場景與應用實例

  

  自20世紀80年代末開始工業應用以來，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）經歷了快速發展。它不僅取代了工業應用中的MOS、GTR等器件，也逐漸取代了消費電子應用中廣泛使用的BJT、MOS等功率器件，甚至在原本由SCR、SCR為主的大功率領域占有一席之地。GTO、IGBT作為新型功率半導體器件的代表，是國際上廣泛認可的第三次電力電子技術革命的典型產物。

  IGBT MOSFET 晶體管

  3.1k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-15 14:22

  什么是SiC MOSFET？

  

  碳化硅，或SiC，作為一種半導體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。

  MOSFET SiC 半導體 材料 碳化硅

  2.3k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-14 11:29

  什么是快速恢復二級管（FRD）？

  

  快恢復二極管的應用包括整流器（尤其是高頻整流器）、各種工業和商業領域的電子電路以及汽車行業、用于檢測高頻射頻波的無線電信號檢測器，以及模擬和數字通信電路中用于整流和調制的目的。快恢復二極管之所以被稱為快恢復二極管，是因為其反向恢復時間極短，能夠快速從反向模式切換到正向模式。

  二級管 信號 整流器

  2.6k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-13 15:53

  iPhone 15系列發布，首款3nm手機芯片

  

  蘋果和NVIDIA主導著潮流 據CommercialTimes報道，臺積電的其中一位頂級客戶NVIDIA也在考慮預訂2納米制程的產能。雖然如此，蘋果仍然是臺積電最大的收入來源，為該晶圓廠年度總收入的25%，作出了非常令人印象深刻的貢獻。

  3nm iphone15 手機芯片 芯片

  1.5k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-13 15:47

  IGBT 晶體管選型解析

  

  選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設備設計中的重要任務，因為正確的IGBT選擇對于設備性能和可靠性至關重要。本文將介紹如何選擇適合您應用的IGBT，并解釋IGBT的關鍵特性以及如何閱讀IGBT的數據表。

  IGBT 晶體管 電子設備

  2.2k瀏覽量

• 發布了文章 2023-09-12 16:53

  什么是IGBT模塊（IPM Modules）

  

  IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀80年代，當時日本的電子工程師們致力于克服傳統功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應晶體管（FET）。IGBT模塊的出現正是為了綜合這兩者的優點，以滿足高功率、高電壓和高頻率的需求。 IGBT模塊的基本構成包括多個IGBT器件、驅動電路、保護電路和散熱結構。這些組件相互協作，使得IGBT模塊能夠在復雜的電力應用中發

  IGBT IGBT模塊 功率器件

  3.8k瀏覽量