動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-10-13 15:08

  智能功率模塊 (IPM)：概念、特性和應(yīng)用

  

  “功率模塊”是指存在功率開關(guān)元件（通常是 IGBT），該模塊是“智能”的，因?yàn)樗~外的控制和保護(hù)電路。目標(biāo)是優(yōu)化性能并使整體解決方案更易于設(shè)計(jì)和實(shí)施。

  IPM 模塊 驅(qū)動(dòng)

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• 發(fā)布了文章 2023-10-12 11:59

  智能功率模塊（IPM）為工業(yè)設(shè)備提供卓越保護(hù)

  

  高集成度IPM是逆變器的好伙伴，IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開關(guān)元件，并集成電流傳感器、保護(hù)電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路。IPM以其高可靠性和易用性贏得了越來(lái)越大的市場(chǎng)，特別適用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器和各種逆變器，是變頻調(diào)速、冶金機(jī)械、電力牽引的理想電力電子裝置。

  IGBT IPM 設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2023-10-11 13:50

  智能功率模塊市場(chǎng)，2031年預(yù)測(cè)

  

  2021年全球智能功率模塊市場(chǎng)估值為16億美元，預(yù)計(jì)到2031年將達(dá)到37億美元，2022年至2031年復(fù)合年增長(zhǎng)率為8.7%。

  IPM 功率模塊 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2023-10-10 16:02

  GaN 技術(shù)能否縮小 5G 毫米波的性能差距？

  

  毫無(wú)疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。因此，功率 IC 制造商正在尋求更高效的技術(shù)，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，以提高這些新網(wǎng)絡(luò)的性能并降低成本。

  5G GaN 射頻 毫米波 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2023-10-09 14:21

  如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

  

  額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器，這會(huì)考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說(shuō)：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器，但你必須用額外的電路來(lái)補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡。”

  IGBT MOSFET SiC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2023-10-09 14:20

  如何使用萬(wàn)用表測(cè)試 IGBT

  

  通過目視檢查、測(cè)量電氣參數(shù)、評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測(cè)試，可以識(shí)別潛在故障。然而，這種萬(wàn)用表測(cè)試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對(duì) IGBT 進(jìn)行更全面的評(píng)估，建議進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)測(cè)試、開關(guān)性能分析等額外測(cè)試。

  IGBT 萬(wàn)用表 測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2023-10-08 15:24

  SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

  

  在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)計(jì)中，可以降低系統(tǒng)級(jí)成本，因?yàn)樾枰俚慕M件，從而節(jié)省了空間和重量。

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅 第三代半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2023-10-07 11:34

  GaN技術(shù)：電子領(lǐng)域的下一波浪潮

  

  GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力，推動(dòng)更高效的電力轉(zhuǎn)換和電氣化，為未來(lái)的電子器件設(shè)計(jì)師提供了全新的可能性。

  GaN 氮化鎵 電動(dòng)汽車

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• 發(fā)布了文章 2023-09-28 11:31

  英飛凌、TI、NXP等芯片大廠最新市場(chǎng)行情

  

  芯片市場(chǎng)一直備受矚目，2023年馬上過去的9月的市場(chǎng)情況也吸引了廣泛的關(guān)注。9月芯片市場(chǎng)行情仍在緩慢復(fù)蘇，需求大多集中在汽車領(lǐng)域，消費(fèi)類物料則因庫(kù)存充足需求疲軟，導(dǎo)致部分產(chǎn)品價(jià)格倒掛。

  NXP ti 芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-09-28 11:23

  碳化硅（SiC）需求迎來(lái)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)

  

  由于政府對(duì)氣候變化的要求以及可能更重要的是消費(fèi)者需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，汽車原始設(shè)備制造商（OEMs）計(jì)劃將電池電動(dòng)車型轉(zhuǎn)為未來(lái)10至15年主要銷售的汽車。這種電氣化轉(zhuǎn)型正日益定義了汽車動(dòng)力半導(dǎo)體的整體市場(chǎng)需求。最初，汽車動(dòng)力半導(dǎo)體市場(chǎng)主要由硅IGBT和MOSFET主導(dǎo)，而SiC和氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)僅限于早期采用者，如特斯拉。

  MOSFET SiC 碳化硅

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