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• 發布了文章 2023-12-15 17:18

  SK海力士希望將存儲器和邏輯半導體集成在HBM4的芯片上

  

  一旦SK海力士獨特的設計理念變為現實，將引發整個芯片工業的重大影響。這樣的設計不但能大幅提升性能和工作效率，還可能將處理功率和生產效率提高到更高的水平。有一天，存儲和邏輯半導體之間的界限可能會被淡化到幾乎不存在。雖然這可能還需要一些時間，但當它到來時，整個行業必須為大變革做好準備。

  SK海力士 半導體 存儲器

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• 發布了文章 2023-12-15 17:16

  選擇合適的設備實現ESD抗干擾

  

  隨著互聯網物聯網（IoT）的擴展，預計未來將有數十億電子設備接入網絡。它們將在我們生活中發揮重要的作用，比如家庭自動化的消費設備，或深藏不露如車內和智能建筑中的設備，所有這些設備都將對靜電放電（ESD）敏感。有限主板（PCB）經過組裝并裝置在設備后，ESD仍然是主要故障源之一。而對于設備的ESD保護設計，適當的抗干擾設備的選擇顯得尤為重要。

  ESD 抗干擾 物聯網

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• 發布了文章 2023-12-15 16:55

  電動汽車和數據中心的熱管理的未來

  

  在電動車電池領域，盡管浸沒式冷卻技術提高了熱均衡性，省去了冷板和TIMs的需要，但由于液體的熱導率低及電池密封難度等因素，其應用面臨挑戰，預計僅在特殊領域（如高性能或高成本的電動車）采用。盡管如此，隨著電動車市場的增長，IDTechEx預測到2027年，浸沒式冷卻液體的需求將比去年增長8倍。

  數據中心 熱管理 電動汽車

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• 發布了文章 2023-12-14 16:59

  三星與ASML將聯手在韓國投資76億美元建設先進芯片工廠

  

  他說：“這次將是韓荷半導體聯盟的重要轉折點。”他表示在半導體成為戰略資產和全球供應鏈圍繞地緣政治風險增長的情況下，此次訪問荷蘭將幫助兩國，“建立一個有組織的制度框架，密集解決全球半導體供應鏈問題。”

  ASML 三星 半導體

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• 發布了文章 2023-12-14 16:58

  碳化硅的挑戰與機遇

  

  可能的解決方案是降低電極偏壓并減小氧化物厚度。Cooper解釋道，薄氧化物提高了對通道的控制——要知道在硅MOSFET中就運行在低電壓下。這種解決方案需要對制造過程進行微調。雖然關于薄介質碳化硅器件的研究較少，但硅器件使用的氧化物厚度薄達到5nm，且沒有引發過多的隧道效應。如上所述，使用高介電常數適宜可以在保持物理厚度的同時提供更好的通道控制。

  功率半導體 電動汽車 碳化硅

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• 發布了文章 2023-12-13 15:14

  碳化硅（SiC）技術在伺服器領域的潛力

  

  正在被廣泛使用的伺服技術使60年代的自動化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動的技術反映了我們現在可以使用的半導體控制、傳感器和電力技術的緊湊性。今天的最大挑戰仍然是伺服和其控制器之間的布線。由于必須承受來自電機和控制信號的高電流，布線成本昂貴，且是電磁干擾（EMI）的重要源頭。阻抗不匹配引發的反射波經常成為問題，對電機繞組的絕緣產生了破壞性壓力。

  IGBT 伺服器 硅基 碳化硅

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• 發布了文章 2023-12-13 15:11

  日本計劃為電動汽車和芯片生產提供10年稅收優惠

  

  這些稅收優惠將包括每臺電動汽車40萬日元（2749美元），每升可持續航空燃料30日元，以及每噸綠色鋼鐵2萬日元。優惠將持續10年，從業務計劃獲得批準開始。政府將要求企業在2026財年結束之前提交其計劃。

  半導體 電動汽車 芯片

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• 發布了文章 2023-12-12 15:44

  AMD印度重視數據中心及電信業作為戰略增長領域

  

  AMD，全球半導體領先企業，在印度呈現強勁影響力，確認數據中心和電信部門作為未來增長的核心良機。AMD印度銷售總監Vinay Sinha在與《亞洲電子時報》對話中指出，由政府數字化推動的數據飛速增長、5G的興起及AI、大數據以及業務中機器學習的應用等因素，闡釋了印度市場對于AMD的重要性。

  amd 半導體 數據中心

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• 發布了文章 2023-12-12 15:42

  電動汽車發展推動高壓器件的要求

  

  隨著電動汽車市場的發展，設備的電壓需求不斷提升，甚至一些被認為是相對低電壓的設備也正在突破已有的基線。處理高電壓的技術不是新的話題，但由于新的需求的數量和種類的增加，無論是晶圓廠還是測試公司，高電壓測試都被置于了首要優先級。例如，汽車現在已經成為了多領域系統，電壓需求范圍大約在40伏特到2千伏特之間。

  電動汽車 電壓 高壓器件

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• 發布了文章 2023-12-11 16:10

  英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術的開發

  

  英特爾在2023年國際電子設備制造大會上宣布，他們已經成功完成了一項名為PowerVia的背面供電技術的開發。這個技術是基于英特爾的最新晶體管研究成果，它實現了互補金屬氧化物半導體場效應晶體管（CFET）的60納米柵極間距垂直堆疊。通過堆疊晶體管，該技術提高了面積效率和性能，同時還結合了背面供電和直接背面接觸這兩種技術。

  三星 晶體管 芯片 英特爾

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