英飛凌工業半導體文章

• 柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用2025-05-26 18:07

  

  碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiCMOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

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• 一枚葉片的獨白2025-05-24 08:32

  

  我是一枚發電機上的葉片。出生不久，我就開始審視自己的身體：身上滿是絕妙飄逸的曲線，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開始無限自戀起來。如果看一下自己的體重，說實話愛上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片，從超過35米長的風力發

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• 新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板2025-05-22 17:03

  

  新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網，導致電網失真，威脅著供電系統的穩定性和效率。為此，電源設計中需要采用先進的功率因數校正（PFC）電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數。通過使用PFC，電源系統可以減少失真，保持穩定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

  SiC MOSFET 碳化硅 評估板 驅動器 422瀏覽量

• 新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側柵極驅動器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比，提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅動器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關。設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術，1ED

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• 英飛凌攜手優優綠能，助力電能轉換效率新突破2025-05-20 10:35

  

  在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下，充換電行業正迎來高質量發展的關鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優優綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT，CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驅動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優優綠能新一

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• 英飛凌碳化硅產品創新的四大支柱綜述(二)2025-05-19 17:32

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿第二部分，第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術創新到豐富產品的四大支柱SiC技術創新到豐富產品的四個支柱簡單講，就是技術，質量，產量和產品。技術優勢要做好碳化硅MOSFET，在技術上需要做好兩件事情：性能穩定的體二極管垂直結構的功率MOSFE

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• 電力電子中的“摩爾定律”(2)2025-05-17 08:33

  

  04平面磁集成技術的發展在此基礎上，平面磁集成技術開始廣泛應用于高功率密度場景，通過將變壓器的繞組(winding)設計在pcb電路板上從而代替利茲線，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會超過4oz（140μm）,因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為

  電力電子 電流 磁集成技術 184瀏覽量

• 新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊2025-05-16 17:08

  

  新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備NTC溫度傳感器，并針對儲能應用進行了優化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統。產

  IGBT 三電平 儲能 237瀏覽量

• IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？2025-05-15 17:05

  

  直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預約！520碳化硅首場直播，帶你直擊可靠性核心戰場！平面柵和溝槽柵，簡約設計與繁復工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領域持續“占鰲”，成為行業標桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會成為其可靠性路上的“絆腳石”？低

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• 英飛凌與美的簽署戰略合作協議：聚焦技術創新與智能綠色生活2025-05-14 10:08

  

  近期，英飛凌科技與美的集團簽署戰略合作協議。通過深度整合各自優勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產品與服務。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝，美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林代表雙方正式簽署戰略合作協議。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝

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