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新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊2025-05-13 17:04
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英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述(一)2025-05-12 17:06
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電力電子中的“摩爾定律”(1)2025-05-10 08:32
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英飛凌SiC超結技術樹立新標準,加速電動汽車普及與工業效率提升2025-05-08 17:05
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英飛凌推出新型CoolSiC™ JFET技術,實現更加智能、快速的固態配電2025-05-07 17:03
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英飛凌2EP EiceDRIVER™ Power系列全橋變壓器驅動器產品全員到齊,收藏這篇就夠了!2025-05-06 17:04
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新品 | 服務:InfineonSpice 離線仿真工具2025-04-30 18:21
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碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相2025-04-30 18:21
在碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續為您揭開這些誤區的真相(誤區一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2:“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp,電阻 -
機器人和自動化的未來(2)2025-04-26 08:33
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新品 | 驅動無刷直流 (BLDC) 電機用三相柵極驅動器評估板2025-04-25 17:05