為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布與GE Vernova公司（美國馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強(qiáng)化雙方在高壓直....

截至2025年3月31日的財(cái)年，半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)了2863億日元的營收實(shí)績，占三菱電機(jī)全業(yè)務(wù)線的5.2....

在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流....

通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了....

量子科技、具身智能、6G等未來產(chǎn)業(yè)，都依賴半導(dǎo)體技術(shù)的支撐，頭部半導(dǎo)體企業(yè)擁有長期高增長前景。三菱電....

柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和....

柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和....

三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布，將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的....

近日，在“智慧新生態(tài)，共贏新時(shí)代”2025海爾智家全球供應(yīng)商合作伙伴大會上，三菱電機(jī)憑借為其變頻空調(diào)....

本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)....

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚....

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率....

SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持17....

三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si....

三菱電機(jī)株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）....

三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家....

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封....

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)....

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8....

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的....

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其....

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本....

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....