IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備，其工作原理主要基于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和對(duì)正弦波信號(hào)....

在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行....

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?...

在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域，中頻電源應(yīng)用廣泛，而 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為中頻電源的核心器件，起著....

在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件，發(fā)揮著不....

IGBT的溫度及安全運(yùn)行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式： Rthj....

IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； ....

IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主....

在1字形二極管鉗位三電平電路中，當(dāng)發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí)，傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是，檢測(cè)到故障的....

日前，中科知慧(北京)科技成果評(píng)價(jià)有限公司組織專家，對(duì)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200....

隨著功率器件的發(fā)展，正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，SPWM 控制是在逆變器輸出交流....

單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結(jié)構(gòu)如圖1所示，由兩個(gè)半橋 圖1單相....

通過(guò)以上方程，現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來(lái)計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間，需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量....

各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同，比如： 兩電平拓?fù)渫ǔＲ蠖搪繁Ｗo(hù)和過(guò)壓保護(hù)即可。常用的短路....

IGBT絕緣特性 電子元器件（半導(dǎo)體模塊）中，隔離帶電部分和底板的材料，被稱作絕緣材料。在大功率半導(dǎo)....

計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時(shí)間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中，IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來(lái)越廣泛。為了....

采用模擬電路方式測(cè)量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度：這個(gè)基本的方法是基于一個(gè)分壓器作為熱敏裝置。

IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖，主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、P....

IGBT模塊采用吸收電路時(shí)，典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨....

在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場(chǎng)合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。....

IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主....

功率器件的正常運(yùn)行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。

以IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例。

IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)....

5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式....

圖5-14所示是采用IGBT過(guò)流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路，該電路采用IGBT專用驅(qū)動(dòng)器EXB....

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量，因此需要盡量對(duì)稱；

IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個(gè)IGB....