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      JSAB安建科技

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      安建半導體推出第二代30V SGT MOSFET產品平臺

      安建半導體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產品平臺，融合國內尖端技術與設計，開....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 02-07 11:26 ?507次閱讀
      安建半導體推出第二代30V SGT MOSFET產品平臺

      安建半導體持續擴充中高壓MOSFET產品平臺

      安建半導體 (JSAB) 繼年初推出業界領先的150V SGT MOSFET 產品平臺，同年已將中高....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 11-12 14:00 ?611次閱讀
      安建半導體持續擴充中高壓MOSFET產品平臺

      安建團隊赴廣汽集團拜訪交流

      2024年7月17日，安建董事長兼總經理單建安教授與投資人代表胡強先生帶隊拜訪廣汽集團，與廣汽集團馮....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 07-19 11:36 ?769次閱讀

      JSAB推出700V-400A/450A/500A I型三電平模塊

      JSAB正式推出700V-400A/450A/500A的 I 型三電平模塊，產品型號為 JG6R40....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 07-12 09:47 ?1041次閱讀
      JSAB推出700V-400A/450A/500A I型三電平模塊

      安建半導體出席第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會

      在前不久結束的ISPSD2024 征稿評比中，安建半導體以工作單位獨立參加碳化硅領域投稿，在口頭報告....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 06-12 10:29 ?814次閱讀

      安建半導體推出針對大電流高功率應用的SGT MOSFET器件

      近年來，工業及消費市場對于系統的要求不斷提高，為達到更優秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 05-06 15:52 ?1686次閱讀

      安建半導體獲得超過2億元人民幣的C1輪融資

      安建半導體C1輪融資圓滿收官，公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 04-08 14:02 ?659次閱讀

      安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產品平臺

      安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 01-23 13:36 ?1085次閱讀
      安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產品平臺

      安建半導體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

      安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 01-20 17:54 ?1727次閱讀
      安建半導體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

      JSAB瑞出應用于乘用車電驅的750V-340A IGBT

      產品特點 ● 第7代溝槽-場截止設計，實現更低的VCE(sat) ● 低開關損耗 ....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 12-07 09:21 ?868次閱讀
      JSAB瑞出應用于乘用車電驅的750V-340A IGBT

      JSAB正式推出1200V-900A模塊

      JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊，產品....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 12-05 10:46 ?1231次閱讀
      JSAB正式推出1200V-900A模塊

      應用于200kW及以上光伏逆變系統的1000V-400A ANPC三電平模塊

      JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊，產品型號為 ....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 11-20 17:25 ?969次閱讀
      應用于200kW及以上光伏逆變系統的1000V-400A ANPC三電平模塊

      安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

      依托于光刻機的光罩(Litho)工藝是半導體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數是影響半導體芯片工藝....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 09-21 11:40 ?1175次閱讀
      安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

      1200V-150A/225A/300A儲能用三電平模塊簡介

      JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1200V-150A/225A/300....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 08-25 15:42 ?1372次閱讀
      1200V-150A/225A/300A儲能用三電平模塊簡介

      采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

      JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產品型號為 ....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 08-25 15:40 ?2450次閱讀
      采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

      1200V-600A/450A IGBT模塊產品性能

      1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業電機變頻及....
      的頭像 JSAB安建科技 發表于 06-20 11:26 ?2971次閱讀
      1200V-600A/450A IGBT模塊產品性能
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