霍耳器件
Hall device

　　利用霍耳效應原理工作的半導體器件稱為霍耳器件。它是一塊有四個歐姆接觸的長方形半導體晶片，稱為霍耳片。其中兩個歐姆接觸在霍耳片的兩端，稱為控制電流極，另外兩個點狀歐姆接觸對稱地位于兩側面的中點，稱為霍耳電勢極。當從控制電流極通以電流（稱為控制電流），并在霍耳片的垂直方向加磁場時，則在霍耳電勢極之間產生電勢，稱為霍耳電勢。

　　霍耳器件所用的材料有：鍺、硅、銻化銦、砷化銦、砷化鎵等。霍耳器件按制作工藝可分為兩大類：一類是用半導體單晶加工而成，稱為體型霍耳器件；另一類是利用真空蒸發或外延、擴散等工藝在適當襯底上制成半導體單晶或多晶薄膜，稱為薄膜霍耳器件。薄膜霍耳器件并可制作在集成電路中。

　　霍耳器件具有以下的功能：（1）磁場比例性：它能夠在靜止狀態下感受磁場的大小及方向，并且在控制電流恒定時，霍耳電壓與外加磁感應強度成正比；（2）乘法作用：當控制電流和外加磁場都可改變時，霍耳電壓與控制電流和外加磁感應強度之積成正比；（3）非互易性：其控制電流與霍耳電壓之間具有非可逆性。因此，霍耳器件在測量技術、自動控制及信息處理等方面有廣泛的用途。

　　霍耳器件的優點是：結構簡單、堅固、體積小、壽命長、頻率響應寬（從直流到微波）、動態范圍大；其缺點是：轉換效率低、溫度影響大、要求高時必須進行溫度補償。