1. 傳ASML取消與三星合作的半導體研究設施，轉而尋求替代方案
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2023年末，三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協議，雙方將在韓國京畿道東灘投資建設半導體芯片研究設施，并在那里共同努力改進EUV光刻制造技術。與此同時，三星還獲得了High-NA EUV光刻設備技術的優先權。
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據外媒報道，ASML現在似乎放棄了與三星的合作建設半導體芯片研究設施，開始將早期購買的土地出售。據了解，ASML在去年購入了6塊土地，總面積達到了約19000平方米，其中2塊已經出售，另外2塊在掛牌出售。至于具體什么原因，或者雙方計劃有什么改變，暫時還不清楚。
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2. 虛假宣傳最高可判刑2年！中汽協發布關于規范駕駛輔助宣傳與應用的倡議書
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4月21日，中國汽車工業協會發布規范駕駛輔助宣傳與應用的倡議書，倡議：規范營銷宣傳行為。倡議書中指出，企業應嚴格依據《汽車駕駛自動化分級》（GB/T 40429—2021），杜絕虛假宣傳與過度營銷，避免使用模糊或誤導性表述，確保功能命名科學嚴謹，防止駕駛員誤用、濫用風險。對已發布的失實信息應及時澄清并整改，主動承擔企業主體責任和社會責任。切實履行告知義務。
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更早前，公安部道路交通安全研究中心官方公眾號發文稱，根據《中華人民共和國廣告法》第二十八條，若車企通過廣告或宣傳材料虛構、夸大輔助駕駛功能（如將2級輔助駕駛描述為 “自動駕駛”），誤導消費者購買，市場監管部門可依據《中華人民共和國廣告法》對虛假宣傳行為處以廣告費用5-10倍罰款，情節嚴重的吊銷營業執照。若虛假宣傳造成嚴重后果（如引發交通事故致人傷亡），可能觸犯《中華人民共和國刑法》第二百二十二條，可對責任人處2年以下有期徒刑或拘役，并處或單處罰金。
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3. 緊跟AMD、蘋果 傳英特爾下單臺積2納米
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臺積電二納米制程預計今年下半年進入量產，除了日前公開相關下單訊息的AMD，以及一般預期將采用的大客戶蘋果之外，市場最新傳出英特爾也已加入臺積二納米制程首批客戶行列，而這三大客戶的產品也正在臺積電新竹廠區緊鑼密鼓準備試產，以利后續調整良率。
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針對上述傳聞，臺積電表示，不評論市場傳聞，也不評論特定客戶業務。英特爾對于相關消息也不予置評。去年二月時任英特爾執行長的基辛格證實，英特爾將把兩款處理器關鍵的運算芯片塊（Compute tile）首度交給臺積電生產。
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4. 傳三星停產DDR4 6月截止訂單
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近日，業界消息指出，三星電子已正式通知客戶，將于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲器生產（EOL，End of Life），并要求客戶在6月前完成最后買進訂單，預計最遲于10月前出貨。
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廠商分析，主要是因為因為中國大陸低端手機用的LPDDR4訂單被當地存儲廠拿走，三星未來將聚焦LPDDR5以上的高端產品。業界人士稱，三星有意停產部分DDR4產品主要有兩個原因，一是，集中資源于獲利能力更高的HBM與DDR5產品線，二是中國大陸存儲廠持續擴張DDR4產能導致市場競爭加劇與利潤壓縮。
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5. 英特爾詳細展示Intel 18A工藝：性能提升25%，功耗降低36%
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英特爾將在即將舉行的2025年VLSI研討會上詳細介紹其Intel 18A制造技術（1.8nm）相對于Intel 3（7nm）工藝的優。正如預期的那樣，新的生產節點將在功耗、性能和面積（PPA）指標方面帶來顯著提升，從而為客戶端和數據中心產品帶來切實的優勢。
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英特爾聲稱，與采用Intel 3工藝技術制造的相同模塊相比，Intel 18A制造工藝在相同電壓（1.1V）和復雜度下，性能提升25%，在相同頻率和1.1V電壓下，功耗降低36%。在較低電壓（0.75V）下，Intel 18A工藝性能提升18%，功耗降低 38%。此外，與Intel 3相比，Intel 18A工藝的面積縮小率始終達到0.72倍。Intel 18A制造技術是該公司首個采用環繞柵極（GAA）RibbonFET晶體管并采用PowerVia背面供電網絡（BSPDN）的節點，這兩項特性使其在PPA方面具有顯著優勢。
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6. 美國宣布：征收高達3403%關稅！
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美國商務部周一（4月21日）宣布，將對從東南亞進口但主要由中國工廠生產的太陽能電池和電池板征收至高達3403.96%的關稅。反傾銷稅和反補貼稅將針對來自柬埔寨、泰國、越南和馬來西亞的太陽能電池（包括組件）。這些產品被發現受益于外國公司的不公平定價以及其政府向外國公司提供的不公平補貼。
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太陽能電池和電池板進口將面臨根據產品原產國而定的反補貼稅：柬埔寨最高3403.96%，泰國最高799.55%，越南最高542.64%，馬來西亞最高168.80%。中國的一些主要制造商，例如昊能光電、天合光能和晶科能源正面臨針對特定公司的關稅。這是繼去年一些公司提起的貿易訴訟之后，美國政府做出的最終裁定。
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