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還進(jìn)行了一次簡單的基準(zhǔn)測試，在100kHz時運行全橋電焊平臺，以檢查其在高頻率運轉(zhuǎn)時的性能。測試范圍是在保持IGBT外殼與周圍環(huán)境之間的相同溫度波動的同時，測量最大輸出電流。與此同時還監(jiān)測系統(tǒng)效率和最大的集電極－發(fā)射極和柵極－發(fā)射極電壓過沖。為了進(jìn)行正確的比較，驅(qū)動設(shè)置始終保持不變，直至系統(tǒng)不穩(wěn)定或引發(fā)故障。表1對測試結(jié)果進(jìn)行了總結(jié)。
- 利用TRENCHSTOP5 IGBT提高焊機功率密度
- 焊機(26184)
- TRENCHSTOP5(1364)
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2020-08-25 14:36:01
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1859德州儀器：功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
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2020-08-20 11:12:141171
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提高信息娛樂系統(tǒng)功率密度的設(shè)計考慮
在本文中，我們將討論一些設(shè)計技術(shù)，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186
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使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助
2023-11-16 13:28:337015
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如何實現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計與開發(fā)呢？
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2024-03-13 10:34:03379
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功率擴展：TRENCHSTOP? IGBT7 Easy產(chǎn)品系列推出新的電流額定值模塊
相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現(xiàn)對電機驅(qū)動應(yīng)用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00721
721金升陽推出DC/DC模塊電源寬壓高功率密度產(chǎn)品——URA/B_YMD-30WR3 系列
URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
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2021-03-24 16:58:211425
1425功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能
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功率MOSFET技術(shù)提升系統(tǒng)效率和功率密度
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提高IPM系統(tǒng)級功率密度以應(yīng)對新壓力
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BLDC功率密度大于PMSM的原因
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
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GaN功率IC實現(xiàn)4倍功率密度150W AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
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LTC7820是如何實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案的？
能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠(yuǎn)高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅(qū)動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應(yīng)用。LTC7820
2018-10-31 11:26:48
【深圳】誠聘硬件工程師（高功率密度ACDC硬件）
獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件） （薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責(zé)：1、負(fù)責(zé)采用軟開關(guān)拓?fù)?kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計；2、負(fù)責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)
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中科君芯1200V系列IGBT在工業(yè)焊機電源中的應(yīng)用
前言相對傳統(tǒng)工頻焊機，逆變焊機在變壓器體積、有效功率輸出及焊機輸出電壓、電流穩(wěn)定性方面都具先天優(yōu)勢，在可預(yù)見的未來將逐步占領(lǐng)焊機行業(yè)的主導(dǎo)地位。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:01:33
借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高
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2022-06-14 10:14:18
基于GaN器件的電動汽車高頻高功率密度2合1雙向OBCM設(shè)計
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
基于GaN電源集成電路的超高效率、高功率密度140W PD3.1 AC-DC適配器
了功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
基于德州儀器GaN產(chǎn)品實現(xiàn)更高功率密度
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
如何利用CPLD實現(xiàn)直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計
本文充分利用CPLD的特點，設(shè)計了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強和可靠性高等優(yōu)點的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個SSPC，各個功率開關(guān)問相互獨立工作，進(jìn)一步提高了功率密度。
2021-04-30 06:08:29
如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設(shè)計
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
權(quán)衡功率密度與效率的方法
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
氮化鎵GaN技術(shù)怎么實現(xiàn)更高的功率密度
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2019-08-06 07:20:51
用什么方法提高功率密度？
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池數(shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
英飛凌第四代IGBT—T4在軟開關(guān)逆變焊機中的應(yīng)用
工作可靠性大大提高，并且有進(jìn)一步提升功率密度的可能。FF300R12KS4FF300R12KT4圖9FF300R12KS4和FF300R12KT4散熱器表面溫度場分布仿真圖5 結(jié)論軟開關(guān)逆變焊機正成為逆
2018-12-03 13:47:57
設(shè)計精選：18 W/in3 功率密度的AC-DC 電源技巧
分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對設(shè)備
2018-12-03 10:00:34
逆變和可控硅和igbt焊機用途的區(qū)別有哪些
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常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆
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逆變和可控硅和igbt焊機用途的區(qū)別有哪些
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常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆
2012-07-09 10:21:16
集成MOSFET如何提升功率密度
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
高功率密度的解決方案
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
高功率密度高頻電源變壓器的應(yīng)用方案
，上世紀(jì)80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計算機的開關(guān)電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
中紅外激光功率密度探測單元的研制
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
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10英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中
IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。
2018-06-04 08:31:002054
2054英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級換代了？
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361
12361如何利用英飛凌最新一代1200V TRENCHSTOP?IGBT6單管設(shè)計400ADC三相便攜式逆變焊機
，結(jié)溫只有130℃左右，還是有一定余量的。可以預(yù)期，開關(guān)頻率還可以進(jìn)一步提高，或者，利用傳統(tǒng)方案（通過絕緣墊片安裝IGBT單管，散熱器不用做系統(tǒng)隔離），設(shè)計350ADC-400ADC逆變焊機還是完全有可能的。
2018-07-25 10:31:598636
8636
高功率密度DC/DC模塊電源——寬壓URB_YMD-30WR3 系列
URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:241750
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提高開關(guān)電源功率密度和效率的方法
開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計算機中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:005477
5477功率密度的基礎(chǔ)技術(shù)簡介
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15579
579IGBT單管TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述
TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現(xiàn)簡單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303193
3193功率密度的解決方案詳細(xì)說明
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇，有效的散熱，通過機電
2020-11-19 15:14:0011
11最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
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2023-12-06 14:39:00308
308探究功率密度基礎(chǔ)技術(shù)
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：
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最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇
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2022-01-14 17:10:261733
1733實現(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/a>
在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951
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如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:061907
1907
基于GaN功率器件的大功率和高功率密度EV逆變器
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46488
488如何實現(xiàn)電機驅(qū)動系統(tǒng)功率密度
一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價，電機本體以有效比功率指標(biāo)評價，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。
2022-10-31 10:11:213718
3718功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能
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2022-12-26 07:15:02724
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基于TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK的兆瓦級T型三電平橋臂模塊
新的PrimePACK? 2300V IGBT模塊主要是為1500V逆變器開發(fā)的。它的特點是在1500V工作電壓下，直流穩(wěn)定性比較好，即在宇宙輻射下具有很高的魯棒性，以及175℃的過載結(jié)溫可以支持LVRT等故障模式。此外，與IGBT4解決方案相比，該模塊實現(xiàn)了更高的功率密度，從而在系統(tǒng)層面上性價比。
2023-02-01 15:18:13461
461功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201161
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功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49711
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您知道超高功率密度的電源怎么設(shè)計嗎？
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04636
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如何提高系統(tǒng)功率密度
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741
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碳化硅模塊提高電機驅(qū)動器的功率密度
800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠(yuǎn)超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231162
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用于提高功率密度的無源元件創(chuàng)新
為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員的重要目標(biāo)？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡單。
2023-07-08 11:14:00344
344如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31396
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功率設(shè)備提升功率密度的方法
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277
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激光功率密度計算公式
? 在處理激光光學(xué)時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術(shù)語經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167
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工商網(wǎng)監(jiān)
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