2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
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288 位置 DIMM DDR5 SDRAM 個插口 表面貼裝型
2024-03-14 20:41:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 該內(nèi)存速度高達5600MT/s，并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:0591 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34118 據(jù)介紹，這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術(shù)應(yīng)用于超頻內(nèi)存中。該技術(shù)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存的運行速率提升至每秒8000兆次以上，同時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-03-07 14:21:35155 而作為一款給力的主板，映泰A620MH Aurora為M-ATX板型設(shè)計，具備雙DDR5內(nèi)存插槽；同時搭配了瑞昱RTL8111H千兆網(wǎng)卡以及ALC897音頻芯片。
2024-03-01 13:51:57158 推廣多元產(chǎn)品種類，推動企業(yè)級市場。在中國內(nèi)陸芯片存儲品牌商陣營中，江波龍所研發(fā)的RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品頗具市場聲譽，頻繁亮相各大RDIMM推薦排行榜單，憑借卓越品質(zhì)贏得廣大消費者信任。
2024-02-03 15:00:03308 將隨著支持內(nèi)存速率6400MT/S的新一代服務(wù)器CPU平臺的發(fā)布而開始規(guī)模出貨。此外，DDR5第四子代RCD芯片的工程樣片已經(jīng)送樣給主要的內(nèi)存廠商進行評估。
2024-02-02 10:27:35232 截至目前，健鼎已經(jīng)開始供應(yīng)DDR5內(nèi)存條使用的PCB板，其業(yè)務(wù)涵蓋存儲模組與汽車、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板等多個領(lǐng)域。其中，汽車板比重高達25%，服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板比重為20%，DRAM及DDR模組板比重超過18%。
2024-01-29 14:18:24218 的型號。 首先，我們來看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場上最新的內(nèi)存技術(shù)，它在DDR5的基礎(chǔ)上進行了一些改進。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點如下： 1. 帶寬更大：DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達到每秒14.4 GB，而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:052854 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來了豐富的存儲方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等，包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
瀾起科技，一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新，近日再次實現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級，他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片（DDR5 RCD04），進一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:11457 瀾起科技，這一在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位的公司，近日發(fā)布了一款引人注目的新產(chǎn)品——DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04）。這款新產(chǎn)品的最大亮點在于其高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較于DDR5第一子代的RCD，速率提升了驚人的50%。
2024-01-07 16:28:24442 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場景，并且在設(shè)計上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061156 近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 關(guān)于2023年第三季度毛利率增長原因，瀾起科技指出，主要是因為 DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量占比提升，特別是 DDR5 第二子代 RCD 芯片出貨量及其占比顯著提升。
2024-01-03 13:52:11270 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01193 
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
年第四季度開始向主要 DDR5 內(nèi)存模塊 (RDIMM) 制造商提供樣品。Rambus 第四代 RCD 將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 7200 MT/s，設(shè)立了新的性能標(biāo)桿，相比目前的 4800 MT
2023-12-28 11:21:57211 ）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
三大存儲巨頭的限產(chǎn)有助于穩(wěn)定市場環(huán)境以及減少虧損。產(chǎn)品供應(yīng)的限制使得HBM、DDR5以及LPDDR5這些高端和先進產(chǎn)品的售價上調(diào)。據(jù)消息人士透露，盡管存在供需矛盾，但需求依然強勁。
2023-12-20 14:38:07337 公司保持著在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的相對領(lǐng)先態(tài)勢。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國際標(biāo)準(zhǔn)，研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先。
2023-12-19 12:44:06247 如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306 
DDR5加速更高速、更高效、更智能的數(shù)字化未來
2023-12-07 15:07:34185 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時獲得更快速、更流暢的電腦體驗。
2023-12-05 15:52:49411 
為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40214 
為SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37470 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
在性能方面，美光公司表示，將128gb ddr5 rdimm產(chǎn)品的單位容量提高了45%以上，能源效率提高了24%，延時率大幅減少到16%，ai訓(xùn)練效率提高到了28%。
2023-11-29 14:08:51343 ，2020-2023 年平均市場規(guī)模超 300 億元。
在本輪動力電池擴展中，國內(nèi)外主流廠商擴產(chǎn)意愿更加明確。根據(jù)寧德時代、比亞迪、LG、SKI 和 Northvolt等主流電池廠擴產(chǎn)規(guī)劃來看，到
2023-11-24 11:00:55
對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 在今年的 DesignCon 2023 活動中，美光科技（Micron）展示了所有關(guān)于 DDR5 設(shè)計挑戰(zhàn)的演講，例如DRAM 內(nèi)部對決策反饋均衡器 （ DFE ）的需求。西門子EDA
2023-11-16 17:42:11252 
撕裂者PRO 7000WX系列擁有最多96核心192線程、八通道DDR5內(nèi)存、144條可用PCIe 5.0通道，撕裂者7000系列則最多64核心128線程、四通道DDR5內(nèi)存、88條可用PCIe 5.0通道。
2023-11-14 15:51:27242 英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
2023-11-10 10:29:51279 近期，半導(dǎo)體市場開始傳遞復(fù)蘇信號，國內(nèi)大型半導(dǎo)體制造商紛紛提到明年將迎來多款消費性電子產(chǎn)品的需求回升，這表明半導(dǎo)體設(shè)計庫存的去化即將進入尾聲。另一個重要的跡象是內(nèi)存市場，自去年以來，國外許多記憶體
2023-11-03 18:05:19547 ? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計算機內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5， 數(shù)據(jù)傳輸速度高達5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，帶寬從 8GB
2023-11-02 16:26:56537 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003886 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的DDR（DoubleDataRate）技術(shù)作為動
2023-10-28 08:13:26624 
2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務(wù)器平臺對容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:41508 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174 。美光 1β DDR5 DRAM 可擴大運算能力，并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺，支持 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲器資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中，速率可達 4800MT/s 至 7200MT/s，適用于資料中心及客戶端應(yīng)用。
2023-10-19 16:03:00387 的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000?年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020?年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。 如今，無論是
2023-10-19 11:00:01313 
拓展，如在國內(nèi)MOSFET市場排名第一的華潤微，IGBT 產(chǎn)品已從 6 吋產(chǎn)線升級到 8 吋產(chǎn)線，未來逐步升級到 12 吋產(chǎn)線，并擴充相應(yīng)產(chǎn)能，IGBT產(chǎn)品的85%應(yīng)用在汽車電子和工控領(lǐng)域；
終端廠商向
2023-10-16 11:00:14
隨著數(shù)據(jù)中心工作負載所需cpu核心數(shù)量的增加，對更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加，克服了“內(nèi)存墻”問題，優(yōu)化了總擁有費用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以進一步擴展性能，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺之間的人工智能（ai）訓(xùn)練和推理
2023-10-13 10:55:04615 美光公司的1β制造工藝使用本公司的新一代高k金屬柵極工程（hkmg）， 16gb芯片的比特密度和能源效率分別比1a節(jié)點提高35%和15%。新技術(shù)有助于制造ddr5、lpddr5x芯片。
2023-10-11 14:34:37782 遇到一個比較有意思的問題。一個朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13606 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 從而確保內(nèi)存穩(wěn)定，另外，DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當(dāng)然，DDR4最重要的使命還是提高頻率和帶寬，總體來說，DDR4具有更高的性能，更好的穩(wěn)定性和更低的功耗，那么從SI的角度出發(fā)，主要有下面幾點, 下面章節(jié)對主要的幾個不同點進行說明。
2023-09-19 14:49:441484 
在全默認設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
sk海力士負責(zé)市場營銷的管理人員表示：“一臺ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動內(nèi)存需求的強大力量。”sk海力士預(yù)測，到2027年，隨著人工智能的發(fā)達，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:59566 瀾起科技還介紹說，根據(jù)存儲接口芯片的價格規(guī)律，一般來說，新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級，其起銷價格會比上一代有所提高，上一代產(chǎn)品的售價會逐漸降低。為了保持存儲接口芯片產(chǎn)品的平均售價，使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比，ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:34705 金泰克在存儲領(lǐng)域不斷追求創(chuàng)新和突破，致力于提高產(chǎn)品性能、效能和用戶體驗。9月6日，金泰克新品超頻DDR5 SODIMM內(nèi)存正式發(fā)布上市，該內(nèi)存基頻為5600MT/s，容量為16GB，并支持Intel
2023-09-07 09:50:07627 
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！
2023-09-04 14:28:11264 設(shè)計、存儲器先進封裝與測試等核心技術(shù)與能力，公司推出了一系列消費級存儲產(chǎn)品，獲得用戶及權(quán)威評測機構(gòu)的廣泛認可與好評。 文 章 轉(zhuǎn)載自什么值得買，評測博主硬核君 前言： DDR5內(nèi)存條是目前PC時代的主流，性能優(yōu)異，對于追求高性能的用戶，DDR5肉眼可見
2023-08-31 18:00:04460 
下，內(nèi)存的性能就成了一個核心關(guān)注點。今天，我們來分析一下兩種主流的內(nèi)存技術(shù)——LPDDR4X和LPDDR5的區(qū)別，同時也探討一下LPDDR4X和DDR5的比較。 一、LPDDR4X和LPDDR5的介紹
2023-08-21 17:28:2919681 調(diào)查機構(gòu)trendforce的最新報告警告說，傳統(tǒng)服務(wù)器市場狀況不佳，給同步存儲器產(chǎn)業(yè)帶來沖擊，因此，最新ddr5存儲器產(chǎn)品的滲透率擴大速度將達不到預(yù)期。
2023-08-17 09:35:26295 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512805 隨著制程工藝的進步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設(shè)備實在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061883 
由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求不斷增長。
2023-07-21 18:13:27415 在數(shù)據(jù)量龐大的今天，人們希望用更少的資源，管理更多的數(shù)據(jù)，各種消費電子、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、數(shù)據(jù)中心的迅猛發(fā)展，產(chǎn)生更多存儲需求，從而不斷地拉動存儲芯片、存儲器的發(fā)展。 我國存儲領(lǐng)域有許多公司，小編簡要地盤點國內(nèi)存儲廠商里上市企業(yè)，如以下名錄有所遺漏，歡迎到芯查查公眾號后臺留言補充。 審核編輯 黃宇
2023-07-03 17:06:301433 
新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。憑借這些全新
2023-06-29 18:15:03359 高速先生成員--姜杰
大家都在關(guān)注DDR5跑的有多快，高速先生卻在關(guān)心它為什么能夠跑的穩(wěn)……
內(nèi)存的穩(wěn)定性，離不開RAS功能。提起RAS，熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號（Row
2023-06-28 09:09:11
內(nèi)存的穩(wěn)定性，離不開RAS功能。提起RAS，熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號（Row Address Strobe, RAS），不過這個信號跟本文沒啥關(guān)系，為了避免大家概念混淆，先說明一哈。
2023-06-28 09:07:36288 
今天我們測試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存，在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻，時序也控制在CL36-46-46-115 CR2，并且單條容量達到了24GB。
2023-06-26 10:39:41869 
本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
1.SK 海力士1a 節(jié)點14nm 級DDR5 產(chǎn)品良率達90% ? 韓媒報道，SK海力士一直主導(dǎo)著DDR5內(nèi)存顆粒市場，目前1a工藝節(jié)點（14nm）DDR5 DRAM的良率已達90%，明顯領(lǐng)先于
2023-06-20 10:55:02504 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類產(chǎn)品減少磨損，達到更高的機械
2023-06-15 15:45:22
業(yè)界對DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。
2023-06-05 10:36:31302 
倚天710支持支持最先進的DDR5 DRAM，為云計算和HPC提供巨大的內(nèi)存帶寬。
2023-05-30 15:09:002017 
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級拉動相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
數(shù)據(jù)中心、存儲、汽車和其他新興市場應(yīng)用的增長正在推動下一代內(nèi)存技術(shù)（DDR5、LPDDR5）的發(fā)展。與其前輩一樣，最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI，以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:401827 
SDRAM是動態(tài)隨機存取存儲器，與CPU的時鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個讀/寫操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
DDR5 具有更高的速度和更小的占用空間。由于電壓要求從1.2V降低到1.1V，它還有望提高電源效率。電壓要求的降低給DIMM供應(yīng)商帶來了額外的抗噪性復(fù)雜性。它將需要額外的功能，例如決策反饋均衡
2023-05-25 18:08:55545 
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441331 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計算機等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
Rambus預(yù)計服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。市場調(diào)研機構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5的拐點可能會在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342 
DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進一步擴大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471604 DDR5在服務(wù)器市場的滲透率正在進一步提高，進入放量期。
2023-04-15 10:23:171779 RISC-V發(fā)展迅速，國內(nèi)廠商也紛紛入局，目前國內(nèi)RISC-V內(nèi)核MCU廠商主要有哪些呢，前景如何？
2023-04-14 10:02:07
? ? ? ? 原文標(biāo)題：本周五｜6400Mbps！DDR5系統(tǒng)超越速度極限全靠TA 文章出處：【微信公眾號：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-04-11 04:50:06232 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：下周五｜6400Mbps！DDR5系統(tǒng)超越速度極限全靠TA 文章出處：【微信公眾號：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-04-08 01:40:07221 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：6400Mbps！DDR5系統(tǒng)超越速度極限全靠TA 文章出處：【微信公眾號：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-04-07 01:10:08535 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
通過 JTAG 手動初始化 DDR 控制器后，我試圖訪問 DDR 內(nèi)存區(qū)域，但它總是失敗據(jù)我了解，必須使用信任區(qū)地址空間控制器映射區(qū)域，因此我嘗試執(zhí)行 lsdk2012 中的 u-boot 所做
2023-03-29 07:58:56
各家的Intel 600、700系列主板都已陸續(xù)更新BIOS，搭檔12代、13代酷睿，可以順利使用24GB、48GB內(nèi)存，AMD平臺呢？
2023-03-27 14:27:49294 我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動程序，并注意到 *** 設(shè)置了對內(nèi)存區(qū)域的訪問，在研究 CW 腳本時也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問 DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
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