人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。 ? 從1971的10000nm制程到5nm，從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進(jìn)，芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來(lái)未曾停歇，到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。 ? 先進(jìn)制程工藝演
2023-08-20 08:32:07
2089 
使用電機(jī)MCSDK套件生成帶hall電機(jī)FOC控制程序，其中hall參數(shù)配置
HALL_Handle_t HALL_M1 =
{
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.bElToMecRatio
2024-03-22 06:56:25
英偉達(dá)GTC大會(huì)將在美西時(shí)間3月17日啟幕，市場(chǎng)認(rèn)為H200和B100可能會(huì)于大會(huì)期間提前公開(kāi)以搶占市場(chǎng)份額。據(jù)悉，這兩款產(chǎn)品將分別使用臺(tái)積電N4和N3制程，其中H200有望在今年Q2面市，而B(niǎo)100采用Chiplet設(shè)計(jì)架構(gòu)的消息已得到證實(shí)，并且已下單進(jìn)行投片。
2024-03-11 09:45:0381 臺(tái)積電設(shè)在日本熊本的工廠所生產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體雖然相對(duì)于先進(jìn)制程而言較為滯后，但卻在汽車(chē)和工業(yè)機(jī)械等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，成為經(jīng)濟(jì)安全保障中的重要戰(zhàn)略資源。
2024-03-06 09:38:3891 據(jù)悉，18A制程作為英特爾推動(dòng)至技術(shù)領(lǐng)先地位的第五個(gè)階段，盡管未采用1.8納米制造工藝，但宣稱(chēng)性能及晶體管密度均可與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的1.8納米工藝相媲美。
2024-03-01 16:14:47133 據(jù)悉，18A 制程是英特爾技術(shù)引領(lǐng)道路上的關(guān)鍵階段，雖非直接采用 1.8納米工藝，英特爾仍自豪宣稱(chēng)其性能與晶體管密度媲美友商的 1.8 nm制程。
2024-02-29 15:13:29139 英特爾公司近日宣布，將推出全新的系統(tǒng)級(jí)代工服務(wù)——英特爾代工（Intel Foundry），以滿足AI時(shí)代對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的需求。這一舉措標(biāo)志著英特爾在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的戰(zhàn)略擴(kuò)張，并為其客戶(hù)提供了更廣泛的制程選擇。
2024-02-23 18:23:321028 ，臺(tái)積電和三星已經(jīng)推出3納米制程芯片，而英特爾則剛剛實(shí)現(xiàn)了5納米制程。然而，這一決定表明英特爾有意在制程技術(shù)領(lǐng)域迎頭趕上，計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)推出更為先進(jìn)的1.4納米芯片。這一制程技術(shù)的推進(jìn)將是英特爾為實(shí)現(xiàn)2025年之前進(jìn)入2納米芯片生產(chǎn)
2024-02-23 11:23:04172 臺(tái)積電預(yù)期，目前營(yíng)收總額約 70% 是來(lái)自 16 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來(lái)幾年漸增，比重將會(huì)繼續(xù)增加，預(yù)估未來(lái)成熟制程技術(shù)占營(yíng)收總額將不超過(guò) 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 臺(tái)積電有先進(jìn)制程撐腰，可以和成熟制程綁在一起出售，加上先前成熟制程代工價(jià)格并未如其他相關(guān)業(yè)者漲勢(shì)驚人，客戶(hù)目前仍多可接受臺(tái)積電的策略，讓臺(tái)積電成熟制程價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定。
2024-02-19 18:14:49670 半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 16:43:38220 臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241 近日，有報(bào)道稱(chēng)臺(tái)積電已決定將其最先進(jìn)的1nm制程代工廠選址在嘉義科學(xué)園區(qū)，總投資額超萬(wàn)億新臺(tái)幣。對(duì)于這一傳聞，臺(tái)積電方面表示，選擇設(shè)廠地點(diǎn)是一個(gè)復(fù)雜的決策過(guò)程，需要綜合考慮諸多因素。
2024-01-23 15:20:39401 據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電已經(jīng)決定將其1nm制程廠選址在嘉義科學(xué)園區(qū)。為了滿足這一先進(jìn)制程技術(shù)的需求，臺(tái)積電已向相關(guān)管理局提出了100公頃的用地需求。
2024-01-23 15:15:27894 臺(tái)積電是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，也是三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。雙方都在積極爭(zhēng)取客戶(hù)，并計(jì)劃在上半年實(shí)現(xiàn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-01-22 15:53:26324 鑒于掩膜版制作技術(shù)難度大，故我國(guó)在 130nm 及其以下制程節(jié)點(diǎn)對(duì)國(guó)外進(jìn)口的依賴(lài)程度較深。據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)一網(wǎng)通辦公布的信息，江蘇路芯半導(dǎo)體科技是蘇州路行維遠(yuǎn)、蘇州產(chǎn)業(yè)基金和睿興投資三家機(jī)構(gòu)聯(lián)手打造的
2024-01-19 14:09:08432 按工藝來(lái)看，3 納米制程產(chǎn)品占當(dāng)期銷(xiāo)售額的 15%，5 納米產(chǎn)品占比達(dá)到了 35%，而 7 納米產(chǎn)品則占據(jù)了 17%；整體上看，先進(jìn)制程（包括 7 納米及以上）銷(xiāo)售額占總銷(xiāo)售額的比重達(dá)到了 67%。
2024-01-18 14:51:58389 
得益于2nm制程項(xiàng)目的順利推進(jìn)，寶山、高雄新晶圓廠的建造工程正有序進(jìn)行。臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步確定了A14與A10生產(chǎn)線的布局，具體是否增設(shè)2nm制程工藝將根據(jù)市場(chǎng)需求再定。
2024-01-16 09:40:51217 隨著GPU、CPU等高性能芯片不斷對(duì)芯片制程提出了更高的要求，突破先進(jìn)制程技術(shù)壁壘已是業(yè)界的共同目標(biāo)。目前放眼全球，掌握先進(jìn)制程技術(shù)的企業(yè)主要為臺(tái)積電、三星、英特爾等大廠。
2024-01-04 16:20:16314 
據(jù)盛劍環(huán)境官微消息，12月27日，上海盛劍環(huán)境系統(tǒng)科技股份有限公司在上海市嘉定工業(yè)區(qū)舉行“盛劍環(huán)境國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制程附屬設(shè)備及關(guān)鍵零部件項(xiàng)目”奠基儀式。 據(jù)悉，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資金額為人民幣6億元。為保障
2023-12-28 16:21:38273 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，清洗機(jī)與PFA閥門(mén)扮演著至關(guān)重要的角色。它們是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，對(duì)于提高產(chǎn)品質(zhì)量、確保生產(chǎn)效率具有舉足輕重的作用。 半導(dǎo)體清洗機(jī)是一種專(zhuān)門(mén)用于清洗半導(dǎo)體的設(shè)備。在半導(dǎo)體制
2023-12-26 13:51:35255 
受美國(guó)對(duì)高端設(shè)備出口限制影響，中國(guó)大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2027年在此類(lèi)制程上產(chǎn)能達(dá)到39%。
2023-12-15 14:56:35337 此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱(chēng)為A14。從技術(shù)角度來(lái)看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。
2023-12-15 10:23:12264 臺(tái)積電因部分制程設(shè)備可共享，加上部分遞延預(yù)算將在今年動(dòng)用，2024年資本支出恐降至280億~300億美元，較今年減少約6.3%~12.5%。外界預(yù)期，一旦滑落至300億美元大關(guān)，將是近4年來(lái)低點(diǎn)。
2023-12-06 10:37:0385 臺(tái)積電3nm制程家族在2024年有更多產(chǎn)品線，除了當(dāng)前量產(chǎn)的N3E之外，明年再度推出N3P及N3X等制程，讓3nm家族成為繼7nm家族后另一個(gè)重要生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。
2023-12-05 10:25:06117 據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，臺(tái)積電計(jì)劃真正降低其7nm制程的價(jià)格，降幅約為5%至10%。這一舉措的主要目的是緩解7nm制程產(chǎn)能利用率下滑的壓力。
2023-12-01 16:46:23508 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點(diǎn)在汽車(chē)芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計(jì)算機(jī)。
2023-12-01 10:33:451052 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
晶圓代工成熟制程廠商面臨產(chǎn)能利用率六成保衛(wèi)戰(zhàn)，聯(lián)電、世界先進(jìn)和力積電等指標(biāo)廠為搶救產(chǎn)能利用率，大砍明年首季報(bào)價(jià)，幅度達(dá)兩位數(shù)百分比，項(xiàng)目客戶(hù)降幅更高達(dá)15%-20%。
2023-11-28 09:38:21107 雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機(jī)，它的精度決定了制程的精度。光刻機(jī)的運(yùn)作原理是先把設(shè)計(jì)好的芯片圖案印在掩膜上，用激光穿過(guò)掩膜和光學(xué)鏡片，將芯片圖案曝光在帶有光刻膠涂層的硅片上，涂層被激光照到之處則溶解，沒(méi)有被照到之處保持不變，掩膜上的圖案就被雕刻到芯片光刻膠涂層上。
2023-11-24 12:27:061287 
有IC設(shè)計(jì)業(yè)者私下透露，晶圓代工業(yè)者告知，成熟制程生意不好，產(chǎn)能利用率直下，為了確保產(chǎn)能利用率與市占，維持一定的生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)規(guī)模，「報(bào)價(jià)大降是不得不的動(dòng)作」。
2023-11-22 17:19:14416 臺(tái)積電有先進(jìn)制程撐腰，可以和成熟制程綁在一起出售，加上先前成熟制程代工價(jià)并未如其他相關(guān)業(yè)者漲勢(shì)驚人，客戶(hù)目前仍多可接受臺(tái)積電的策略，讓臺(tái)積電成熟制程價(jià)格相對(duì)有撐。
2023-11-22 16:18:36209 英特爾執(zhí)行長(zhǎng)PatGelsinger 透露，18A 已取得三家客戶(hù)代工訂單，希望年底前爭(zhēng)取到第四位客戶(hù)，先進(jìn)制程18A 計(jì)劃于2024 年底開(kāi)始生產(chǎn)，其中一位客戶(hù)已先付款，外界預(yù)期可能是英偉達(dá)或高通。
2023-11-19 10:08:06796 
雙方的目標(biāo)是，確立設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)線寬為1.4m1納米的半導(dǎo)體所必需的基礎(chǔ)技術(shù)。這個(gè)節(jié)點(diǎn)需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，leti在該領(lǐng)域的膜形成等關(guān)鍵技術(shù)上占據(jù)優(yōu)勢(shì)。
2023-11-17 14:13:43414 氣態(tài)前驅(qū)體在晶圓上反應(yīng)，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。
2023-11-16 12:24:30548 
業(yè)界臺(tái)積電先進(jìn)的制程支援下成熟的工藝和一起可以出售，而且已經(jīng)成熟的公正的工資和其他相關(guān)企業(yè)一樣不大幅上升，客戶(hù)仍然臺(tái)積電的戰(zhàn)略可以接受，臺(tái)積電成熟的工程價(jià)格相對(duì)保持的。”
2023-11-13 09:39:07175 節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，即通過(guò)在（當(dāng)時(shí)的）未來(lái)四年內(nèi)推進(jìn)Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，于2025年重獲制程領(lǐng)先性。這一計(jì)劃也標(biāo)志著英特爾調(diào)整了其命名制程節(jié)點(diǎn)的方式，目前在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，制程節(jié)點(diǎn)的數(shù)字已不再表示芯片
2023-11-10 17:48:09238 回望過(guò)去，公司已累計(jì)長(zhǎng)達(dá)13年的技術(shù)沉淀及發(fā)展布局，由2011年1月8 日第一臺(tái)單一品種的半自動(dòng)曝光機(jī)（傳統(tǒng)鹵素?zé)簦┢鸺遥?年內(nèi)形成印制電路板工藝制作內(nèi)層/外層/防焊三個(gè)關(guān)鍵制程半自動(dòng)CCD全系列曝光機(jī)
2023-11-09 16:10:38655 
如何將stm32的控制程序轉(zhuǎn)成51的程序，用的是意法的傳感器，給的控制程序也是32的
2023-11-03 08:07:08
TrendForce統(tǒng)計(jì)，28納米以上的成熟制程及16納米以下的先進(jìn)制程，2023～2027年全球晶圓代工產(chǎn)能比重約維持7比3。其中，中國(guó)大陸因積極擴(kuò)增成熟制程產(chǎn)能，全球占比估自29％增至33％，臺(tái)灣則估自49％降至42％。
2023-11-02 16:04:0796 2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進(jìn)制程（16nm及以下）產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能
2023-11-02 09:58:23306 
BOM表是PCBA加工制程中必須要用到的生產(chǎn)資料，是記錄著電路板上所有零件的清單文件
2023-11-02 09:49:51524 來(lái)源：滿天芯 編輯：感知芯視界 系列芯片，為全球首發(fā)以3納米生產(chǎn)的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU），業(yè)界分析由臺(tái)積電獨(dú)家代工，看好蘋(píng)果新品有望掀起換機(jī)潮，推升臺(tái)積電先進(jìn)制程訂單動(dòng)能持續(xù)強(qiáng)勁。 業(yè)界分析
2023-11-02 09:32:47278 PCB分板制程ICT FCT測(cè)試應(yīng)力測(cè)試儀TSK-64-24CTSK-64是一款便攜式應(yīng)力測(cè)試儀，用于電路板ICT應(yīng)力測(cè)試、FCT應(yīng)力測(cè)試、組裝應(yīng)力測(cè)試、跌落應(yīng)力測(cè)試等等，也常用于空調(diào)管路應(yīng)力測(cè)試
2023-10-26 13:46:54
半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域，半導(dǎo)體制造過(guò)程中的熱處理是確保半導(dǎo)體器件性能和可靠性的重要步驟之一。熱處理設(shè)備在半導(dǎo)體工廠中扮演著關(guān)鍵角色，用于控制材料的結(jié)構(gòu)和性能，確保半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。本文將探討半導(dǎo)體行業(yè)常用的熱處理設(shè)備，以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體生產(chǎn)中的作用和重要性。
2023-10-26 08:51:381498 
在芯片制程中，介質(zhì)層起到了非常重要的作用。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)了信號(hào)的高效傳輸。那么目前芯片制程中常見(jiàn)的介質(zhì)材料有哪些？都有什么作用？怎么界定低k材料與高k材料？怎么制作出來(lái)的？
2023-10-19 10:47:212414 
近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實(shí)現(xiàn)，再次證明了英特爾正以強(qiáng)大的執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，并將
2023-10-13 21:20:02295 近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實(shí)現(xiàn)，再次證明了英特爾正以強(qiáng)大的執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，并將
2023-10-13 15:57:43214 高。由于半導(dǎo)體制造過(guò)程中需要嚴(yán)格控制雜質(zhì)和微粒的數(shù)量，因此對(duì)于承載半導(dǎo)體制程所需液體的PFA管來(lái)說(shuō)，必須保證其潔凈度。一般要求PFA管內(nèi)部無(wú)顆粒、無(wú)金屬離子殘留、無(wú)死角，同時(shí)還要具備優(yōu)良的耐腐蝕性和耐氧化性。為了達(dá)到這些要求，生產(chǎn)
2023-10-13 15:01:48151 在半導(dǎo)體制程中，為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號(hào)和為電路元件供電，需要使用導(dǎo)電金屬來(lái)形成互連結(jié)構(gòu)。
2023-10-12 16:15:551606 
新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程，提供了開(kāi)放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案
2023-10-10 18:22:21457 蘋(píng)果已經(jīng)發(fā)布了基于臺(tái)積電3nm制程的A17 Pro處理器。最近，有消息稱(chēng)，高通的下一代5G旗艦芯片也將采用臺(tái)積電3nm制程，并預(yù)計(jì)會(huì)在10月下旬公布，成為臺(tái)積電3nm制程的第三個(gè)客戶(hù)，可能是高通驍龍8 Gen3。
2023-09-26 16:51:311407 蘋(píng)果a16與a17芯片的區(qū)別 蘋(píng)果a16與a17芯片的區(qū)別主要表現(xiàn)在性能上、速度上、CPU等等方面。A17擁有臺(tái)積電3nm工藝的加持，而a16芯片采用了4納米工藝制程。 A17芯片的CPU配置
2023-09-26 14:16:226907 內(nèi)容提要 ● ?經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的接口 IP，可顯著提升 TSMC N3E 制程節(jié)點(diǎn)的性能和能效 ● ?224G-LR SerDes PHY IP 在 TSMC N3E 制程上實(shí)現(xiàn)一次性流片成功
2023-09-26 10:10:01320 在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過(guò)程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開(kāi)始，到最終的產(chǎn)品封裝階段，我們將沿著主流的半導(dǎo)體產(chǎn)品類(lèi)型，半導(dǎo)體晶體管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
在 20 世紀(jì) 60 年代，芯片制程技術(shù)還處于起步階段，當(dāng)時(shí)的制程尺寸達(dá)到了 10 微米。這種毫米級(jí)的制程技術(shù)雖然較為粗糙，但已經(jīng)為計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備的小型化奠定了基礎(chǔ)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，科學(xué)家們開(kāi)始研究如何減小制程尺寸，以提高芯片的性能和集成度。
2023-09-19 15:54:411613 合作伙伴關(guān)系。 英特爾和新思科技（Synopsys）近日宣布已經(jīng)達(dá)成最終協(xié)議，深化在半導(dǎo)體IP和EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）領(lǐng)域的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為英特爾代工服務(wù)的客戶(hù)開(kāi)發(fā)基于Intel 3和Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)的IP產(chǎn)品組合。提供基于英特爾先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵
2023-09-12 16:36:24175 
目前，英特爾量產(chǎn)的最先進(jìn)技術(shù)為Intel 7制程，比前一代Intel 10的SuperFin制程的每瓦效能提升約10%-15%，而Meteor Lake采用Intel 4制程生產(chǎn)，導(dǎo)入了極紫外光
2023-09-08 15:28:55749 上周我們講到了PCB基本概念和鉆孔的一些基本知識(shí)，那么本篇內(nèi)容，小編將以pcb圖形轉(zhuǎn)移和阻焊等方向，為大家詳細(xì)介紹其他PCB工藝制程能力。如果對(duì)該內(nèi)容感興趣的朋友可以關(guān)注公眾號(hào)【華秋電子】，并查看
2023-09-01 09:55:54
上周我們講到了PCB基本概念和鉆孔的一些基本知識(shí)，那么本篇內(nèi)容，小編將以pcb圖形轉(zhuǎn)移和阻焊等方向，為大家詳細(xì)介紹其他PCB工藝制程能力。如果對(duì)該內(nèi)容感興趣的朋友可以關(guān)注公眾號(hào)【華秋電子】，并查看
2023-09-01 09:51:11
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2023-08-31 15:54:291068 
上周我們講到了PCB基本概念和鉆孔的一些基本知識(shí)，那么本篇內(nèi)容，小編將以pcb圖形轉(zhuǎn)移和阻焊等方向，為大家詳細(xì)介紹其他PCB工藝制程能力。如果對(duì)該內(nèi)容感興趣的朋友可以關(guān)注公眾號(hào)【華秋電子】，并查看
2023-08-31 15:51:34614 
一個(gè)優(yōu)秀的工程師設(shè)計(jì)的產(chǎn)品一定是既滿足設(shè)計(jì)需求又滿足生產(chǎn)工藝。規(guī)范產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，輔助PCB設(shè)計(jì)的相關(guān)工藝參數(shù)，使得生產(chǎn)出來(lái)的實(shí)物產(chǎn)品滿足可生產(chǎn)性、可測(cè)試性、可維修性等的技術(shù)規(guī)范要求。本文將從初學(xué)者
2023-08-28 13:55:03
韓媒報(bào)導(dǎo)，三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等南韓晶圓代工廠近期產(chǎn)能利用率都僅介于40%至50%之間．因應(yīng)終端需求疲軟，上述三家南韓晶圓代工廠已決定關(guān)掉某些成熟制程設(shè)備電源，進(jìn)行「熱停機(jī)」，凸顯晶圓代工成熟制程景氣持續(xù)低迷。
2023-08-22 16:19:28445 半導(dǎo)體制程市況不佳，晶圓代工商降價(jià)效果差。為削減成本，韓國(guó)主要代工廠如三星，啟用“熱停機(jī)”策略。此趨勢(shì)蔓延至聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電等臺(tái)灣代工廠，揭示短期訂單前景黯淡，制程市況嚴(yán)峻。 據(jù)韓媒，三星
2023-08-22 09:58:53243 這是一種全新領(lǐng)域的薄形多層板做法，早啟蒙是源自 IBM 的SLC 制程，系于其日本的 Yasu 工廠 1989 年開(kāi)始試產(chǎn)的，該法是以傳統(tǒng)雙面板為基礎(chǔ)，自?xún)赏獍迕嫦热嫱坎家簯B(tài)感光
2023-08-21 14:34:12325 簡(jiǎn)介 在此示例中，將用于程序代碼可視化和監(jiān)控的對(duì)象連接到控制程序。您先前已在 STEP 7 中創(chuàng)建了一個(gè)程序（用于運(yùn)輸傳送帶上的生產(chǎn)單位）。您還創(chuàng)建了一個(gè) ProDiag 函數(shù)塊，在其中設(shè)置對(duì)操作數(shù)
2023-08-21 10:11:31606 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
本文轉(zhuǎn)自TechSugar 感謝TechSugar對(duì)新思科技的關(guān)注 雖然摩爾定律走到極限已成行業(yè)共識(shí)，但是在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中，先進(jìn)制程芯片的設(shè)計(jì)仍是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗和高可靠性的關(guān)鍵。芯片開(kāi)發(fā)者正在
2023-08-15 17:35:01712 
FPGA 非常適合精密電機(jī)控制，在這個(gè)項(xiàng)目中，我們將創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的電機(jī)控制程序，在此基礎(chǔ)上可以構(gòu)建更復(fù)雜的應(yīng)用。
2023-08-11 09:06:33752 
來(lái)源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息，臺(tái)積電近日宣布，為滿足先進(jìn)制程技術(shù)的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求，高雄廠確定以 2 納米的先進(jìn)制程技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)規(guī)劃。至此，臺(tái)積電將擁有三個(gè)2 納米生產(chǎn)基地。 據(jù)臺(tái)灣地區(qū)
2023-08-09 18:21:09640 雖然摩爾定律走到極限已成行業(yè)共識(shí)，但是在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中，先進(jìn)制程芯片的設(shè)計(jì)仍是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗和高可靠性的關(guān)鍵。
2023-08-08 09:15:40569 
如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說(shuō)的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸，會(huì)遇到兩個(gè)阻礙，首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。 經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大，導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。
2023-07-31 10:41:15711 
消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭(zhēng)愈演愈烈。
2023-07-17 18:24:151620 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門(mén)IFS后，將向三方開(kāi)放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶(hù)，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 生成接觸孔后，下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中，連接導(dǎo)線的過(guò)程與一般電線的生產(chǎn)過(guò)程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可。但在半導(dǎo)體制程中，需要先“制作電線”。
2023-07-11 14:58:221392 
異構(gòu)集成推動(dòng)面板制程設(shè)備（驅(qū)動(dòng)器）的改變
2023-07-10 14:54:30256 
顛覆傳統(tǒng)PFC制程工藝的FDC應(yīng)用于CCS
2023-07-10 10:00:208510 
在成熟制程緊缺時(shí)期，成熟制程芯片的報(bào)價(jià)大幅上漲約50%。然而，如今在與大量訂單洽談時(shí)，價(jià)格相對(duì)于高峰期已經(jīng)下降了20%至30%左右。因此，經(jīng)過(guò)一番討價(jià)還價(jià)之后，成熟制程芯片的報(bào)價(jià)僅略高于疫情爆發(fā)前的水平。
2023-07-03 17:43:471042 在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的成熟制程晶圓代工廠中，大摩最看好聯(lián)電，給予優(yōu)于大盤(pán)的評(píng)價(jià)，目標(biāo)價(jià)為53元新臺(tái)幣。至于大摩同業(yè)對(duì)于聯(lián)電的評(píng)等，73%為優(yōu)于大盤(pán)或買(mǎi)進(jìn)，12%為中性，15%為劣于大盤(pán)或賣(mài)出。
2023-07-03 16:11:47255 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車(chē)所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 關(guān)鍵詞：鋰電池，LFP磷酸鐵鋰，NCM三元鋰，制程工藝，國(guó)產(chǎn)高端新材料涂布工藝是一種基于對(duì)流體物性的研究，將一層或者多層液體涂覆在一種基材上的工藝，基材通常為柔性的薄膜或者襯紙，然后涂覆的液體涂層
2023-06-30 10:02:236682 在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱(chēng)的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類(lèi)似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:571177 
根據(jù)Revegnus 公布的第一張資料圖顯示，隨著臺(tái)積電制程工藝的持續(xù)推進(jìn)，其晶圓代工報(bào)價(jià)也是在持續(xù)加速上漲。比如以2020年的晶圓代工價(jià)格來(lái)看，臺(tái)積電于2004年四季度量產(chǎn)的9onm制程，2020年時(shí)的晶圓代工報(bào)價(jià)為每片晶圓1650美元
2023-06-11 10:05:41626 
在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001422 
晶圓切割是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。提升晶圓工藝制程需要綜合考慮多個(gè)方面，包括切割效率、切割質(zhì)量、設(shè)備性能等。針對(duì)這些問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體劃片機(jī)解決方案可以提供一些幫助。首先，在切割效率方面，國(guó)產(chǎn)
2023-06-05 15:30:447568 
“ 摩爾定律” 發(fā)展陷入瓶頸， 集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代。 從 1987 年的1um 制程至 2015年的14nm制程， 集成電路制程迭代大致符合“ 摩爾定律” 的規(guī)律。但自 2015 年以來(lái)，集成電路先進(jìn)制程的發(fā)展開(kāi)始放緩，7nm、 5nm、3nm 制程的量產(chǎn)進(jìn)度均落后于預(yù)期。
2023-05-25 16:44:531158 
基于89C51單片機(jī)的舵機(jī)按鍵控制程序源程序
2023-05-16 09:09:44
2 日本也傳出有意跟進(jìn)擴(kuò)大對(duì)陸銷(xiāo)售半導(dǎo)體設(shè)備的措施，包括東京威力科創(chuàng)（Tokyo Electron）在內(nèi)的約十家日企，若要出口晶圓制造、晶圓清洗、沉積、回火（annealing）、微影、蝕刻和測(cè)試等設(shè)備時(shí)，必須先取得許可。
2023-05-10 09:59:26537 最強(qiáng)品牌排名中，臺(tái)積電位列第一。
Brand Finance通過(guò)計(jì)算品牌價(jià)值，以及透過(guò)市場(chǎng)環(huán)境、股東權(quán)益、商業(yè)表現(xiàn)等諸多指標(biāo)，評(píng)估品牌的相對(duì)強(qiáng)度。最終，臺(tái)積電以品牌分?jǐn)?shù)78.9分的最高分，成為半導(dǎo)體
2023-04-27 10:09:27
PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT貼片加工制作流程包含哪些?SMT貼片加工注意事項(xiàng)。接下來(lái)為大家介紹SMT貼片加工流程中有哪些制程與注意事項(xiàng)。 不得不說(shuō)，SMT應(yīng)該是現(xiàn)代電子組裝工業(yè)中自動(dòng)化
2023-04-21 10:08:391045 來(lái)看 ，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn) 化率仍處于低位 ，對(duì)于量/檢測(cè) 、涂膠顯影 、離子注入設(shè)備等 ，我們預(yù)估 2022 年國(guó)產(chǎn)化率仍低于 10%， 國(guó)產(chǎn)替代空間較大 。在技術(shù)層面上 ， 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在薄膜沉積 、刻蝕 、量/檢測(cè) 、CMP、清洗等領(lǐng)域均已具備一定先進(jìn)制程設(shè)備技術(shù)
2023-04-17 13:07:06536 
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