行業背景 隨著工業技術的不斷發展，物聯網作為新興生產力正在改變許多行業的工作方式。在半導體芯片行業，自動蝕刻機的物聯網應用正在助力企業達到監控設備更加便利、故障運維更加高效、數據分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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濕電子化學品屬于電子化學品領域的一個分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個百分點。
2024-02-21 09:17:41303 根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產與銷售事業，10余載研發歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備，廣泛應用于各種高尖端產品領域。
2024-01-12 14:55:23636 最后的拋光步驟是進行化學蝕刻和機械拋光的結合，這種形式的拋光稱為化學機械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉支架上并且要降低到一個墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
至純科技旗下的至微科技是國內濕法設備市場主流供應商之一，在28納米節點實現了全覆蓋，全工藝機臺亦均有訂單。在更為尖端的制程中，至微科技已有部分工藝獲得訂單。
2024-01-12 09:29:45234 會通股份公司在安徽蕪湖市三山經濟開發區舉行了盛大的鋰電池濕法隔離膜項目開工儀式。這個基地總投資高達20億元，一旦建成，將具備每年生產17億平方米濕法隔離膜的能力。
2024-01-02 16:41:52357 在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
LabVIEW開發新型電化學性能測試設備
開發了一種基于Arduino和LabVIEW的新型電化學性能測試裝置，專門用于實驗電池，特別是在鋰硫（Li-S）技術領域的評估。這種裝置結合了簡單、靈活
2023-12-10 21:00:05
SCK-Y玻璃瓶耐內壓力測試儀適用于各種啤酒瓶、酒瓶、飲料瓶、輸液瓶、西林瓶等各類玻璃瓶耐內壓力測試，產品依據GB/T 4546-2008(玻璃容器 耐內壓力試驗方法)標準中實驗項目規定，全自動
2023-12-08 13:11:41
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
電子玻璃激光加工方式主要有：激光切割、鉆孔、標記、炫彩、焊接幾種，其中電子玻璃生產過程中，原片階段應用較少。本文也主要從電子玻璃深加工階段去講解激光應用。
2023-11-20 14:20:41482 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動蝕刻機是利用電解作用或化學反應對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設備，廣泛應用于芯片、數碼、航空、機械、標牌等領域中。現有一家蝕刻機設備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設
2023-11-08 13:59:52146 
一、玻璃瓶端蓋脫離力測試儀概述玻璃瓶端蓋脫離力測試儀是一種專門用于測試玻璃瓶端蓋脫離力的設備。該設備通過模擬實際使用中玻璃瓶端蓋可能受到的脫離力，對玻璃瓶端蓋的脫離力進行全面評估，以確保玻璃瓶在存儲
2023-10-27 16:09:55
引言玻璃制品在各個領域都有廣泛的應用，如建筑、光學、電子等。然而，玻璃制品在使用過程中可能會受到各種應力的作用，這些應力可能導致材料變形、破裂等問題。因此，對玻璃制品進行應力測試是非常重要的。玻璃
2023-10-23 15:06:53
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產品質量合格率重要的工序之一。現有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數都只停留在表象的研究中，并沒有從本質上認識噴淋蝕刻中出現的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
2023深圳國際全觸與顯示展即將于10月13日拉開帷幕。國產玻璃蓋板龍頭虹科創新將攜帶“王者熊貓”系列自主研發的一批高端玻璃蓋板產品亮相，包括高鋁硅玻璃、鋰鋁硅玻璃、超強透明納米微晶玻璃、超薄玻璃
2023-10-11 17:47:35843 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
輸液瓶玻璃顆粒耐水性測試設備 在國家藥包材標準中，《YBB00252003-2015 玻璃顆粒在121℃耐水性測定法和分級》、《YBB00362004-2015 玻璃
2023-09-28 13:34:40
是測試玻璃瓶的耐熱沖擊性能，即其抵抗冷熱交替的能力。將一定數量的玻璃瓶樣品在高溫槽中加熱后，迅速放入低溫槽中，然后取出觀察其冷熱沖擊后的破損率。 實驗設
2023-09-28 13:27:34
抗生素玻璃瓶壁厚測量儀 在醫藥行業中，玻璃瓶作為常用的包裝容器，其質量與安全性倍受關注。而藥用玻璃瓶測厚儀，則是確保瓶壁厚度均勻性、一致性的關鍵檢測工具。 壁厚測厚儀的基本原理
2023-09-28 13:25:56
鈉鈣玻璃熱沖擊強度測試儀 玻璃瓶熱沖擊試驗儀是一種專門用于測試玻璃瓶在瞬間高溫和低溫環境下的熱沖擊性能的設備。它能夠模擬實際使用中可能出現的各種熱沖擊情況，例如冷熱溫度的交替、室外和室內
2023-09-27 15:51:22
玻璃瓶抗沖擊性測試儀 在藥品包裝中，玻璃瓶是一種廣泛使用的容器，其質量直接關系到藥品的安全性。藥用玻璃瓶抗沖擊試驗儀就是為了測試和確保玻璃瓶的質量而設計的。 抗沖擊試驗是檢驗
2023-09-27 15:23:31
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
;它依據GB/T 4546-2008（玻璃容器 耐內壓力試驗方法）標準中實驗項目規定，能夠全自動顯示整個實驗過程壓力變化，是各啤酒廠、玻璃瓶廠家、質檢機構、制藥生
2023-09-26 13:49:01
瓶內應力分布和大小。 內應力是藥用玻璃瓶質量的重要指標之一，過大的內應力會導致玻璃瓶的破裂和化學性能不穩定。因此，使用藥用玻璃瓶偏光應力儀對藥用玻璃瓶進行檢測是
2023-09-26 13:43:53
4546-2008 （玻璃容器 耐內壓力試驗方法）標準中實驗項目規定，能夠全自動顯示整個實驗過程壓力變化，滿足各容量玻璃保壓試驗和爆破壓力試驗要求。 玻
2023-09-25 15:49:14
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
服務內容廣電計量是國內鹽霧試驗能力較完善的權威檢測認證服務機構之一，為您提供專業的耐化學試劑試驗和產品評價。服務范圍本商品可提供針對汽車零部件、電動工具、家用電器、信息技術設備、醫療設備、電源設備
2023-09-21 16:55:57
玻璃瓶壁厚測試儀 瓶罐容器大家庭涵蓋了玻璃瓶、安瓿瓶、西林瓶、輸液瓶、啤酒瓶、塑料瓶、瓶胚等成員。談到玻璃瓶，我們不得不重點談談在輕量化過程中，壁厚指標這一重要的物理性檢測項目。生產線
2023-09-19 15:02:04
玻璃瓶抗沖擊儀 玻璃瓶罐抗沖擊儀是一種專門用于測試玻璃瓶罐抗沖擊能力的設備。在食品、飲料、醫藥等行業，玻璃瓶罐是常用的包裝容器，其抗沖擊能力對于產品的質量和安全性至關重要。因此，對玻璃瓶罐
2023-09-19 14:59:12
玻璃瓶冷熱急變試驗箱 熱沖擊是玻璃容器在短時間內經受一定溫度劇變沖擊的能力，是玻璃容器的一個重要性能指標。在釀酒、飲料和制藥行業中，玻璃容器內需要進行滅菌處理，而熱沖擊能力是評價容器質量
2023-09-19 14:56:34
玻璃應力偏光儀 在玻璃制品的生產和加工過程中，精確且可靠的應力測試儀器對于產品的質量保證起到了至關重要的作用。其中，玻璃偏光內應力測試儀有著其卓越的性能和廣泛的應用范圍。玻璃
2023-09-19 14:46:37
玻璃瓶冷熱沖擊測試儀 熱沖擊試驗設備，它是玻璃容器行業中的“精密儀器”，是品質控制的核心理念。它憑借其精確的測試技術和嚴謹的試驗流程，成為了行業內不可或缺的“質量守護神”。這款
2023-09-19 14:40:28
外力沖擊，因此其抗沖擊能力直接關系到產品的質量和安全性。這種設備的設計原理主要是基于玻璃制品在實際情況中可能會遭受的各種外力沖擊，因此需要通過試驗來驗證其抗沖擊能力
2023-09-19 14:36:47
玻璃瓶軸偏差測定儀 在玻璃制造業中，瓶子的設計和制造不僅需要美觀，更要求高度的實用性和精密度。其中，玻璃瓶的垂直軸偏差是評價其質量的重要指標之一。為了確保玻璃瓶垂直軸的偏差在規定范圍內
2023-09-19 14:31:35
玻璃瓶壁厚測量儀 玻璃瓶在我們的日常生活和工業生產中有著廣泛的應用。從食品包裝到化學試劑，再到醫療用品，玻璃瓶在其中都扮演著重要角色。為了確保玻璃瓶的品質和安全性，對其壁厚的精確測量顯得
2023-09-19 14:28:48
玻璃瓶抗沖擊試驗儀 玻璃瓶抗沖擊試驗儀是專門用于測試各種玻璃瓶的抗沖擊性能的儀器，具有擺錘沖擊的功能。通過測試，可以評估玻璃瓶在受到沖擊時的抗沖擊能力，從而確保玻璃瓶在使用過程中的安全性
2023-09-19 14:25:12
玻璃瓶耐熱沖擊試驗儀 熱沖擊是評估玻璃容器在短時間內承受一定溫度劇變沖擊的能力的重要指標。這對于玻璃容器內需要進行滅菌的釀酒、飲料和制藥行業至關重要。由于玻璃容器的熱穩定性對于產品質量
2023-09-19 14:20:31
玻璃瓶耐內壓測試機 在玻璃瓶檢測標準中，玻璃瓶的耐內壓力是一項至關重要的指標。這是因為玻璃瓶的耐內壓力直接關系到其易破碎程度，對于保證玻璃瓶在使用過程中的安全性和可靠性具有重要意義。根據
2023-09-19 14:19:04
納米級[1] 。傳統的平面化技術如基于淀積技術的選擇淀積、濺射玻璃 SOG、低壓 CVD、等離子體增強 CVD、偏壓濺射和屬于結構的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積 —腐蝕 —淀積等 , 這些技術在 IC
2023-09-19 07:23:03
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發形成的鈍化膜而具有優異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內部活性鈦金屬免受侵蝕性介質的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經常被用于各種應用，包括光催化劑、化學傳感器和醫療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學品。氫氟酸能夠與SiO2發生反應，生成揮發性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國內半導體產業的行業盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領先的濕法解決方案，并攜泛半導體濕法裝備服務平臺亮相SEMICON China，與上下游企業進行一對一交流，為企業發展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
電子玻璃主要為顯示玻璃基板與蓋板玻璃，顯示玻璃基板是手機、電視等電子設備中顯示面板常規有TFT-LCD和OLED及MiniLED、Micro LED等類型；蓋板玻璃位于顯示玻璃外或電子設備后蓋、模組外殼，起到保護支撐作用。玻璃激光切割精度更高，效率更好。
2023-07-03 10:55:54732 
都使用Cl基蝕刻化學物質。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
初始厚度跟樹脂含量（RC%）及玻璃布的型號相關，不同品牌PP片，含膠量和玻璃布厚度有一定的差異，從產品的穩定可靠而言，在滿足客戶需求的情況下，華秋PCB一般會選用固定的品牌廠商PP片，跟工廠壓機形成一個
2023-06-25 10:25:55
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
二強玻璃應力儀SLP-2000是一種利用光彈性力學原理，測量應力變化的光彈性應力分析計，可用于測量化學強化玻璃的強化深度與內部應力分布。對于表面有鉀離子層的產品，可以使用PMC軟件與應力計測量的表面應力值數據相結合，準確分析判斷玻璃內部應力分布。
2023-05-23 10:30:57372 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 浮法玻璃是一種常見的玻璃制造工藝，其生產過程中將玻璃原料（例如硅砂、碳酸鈉、石灰石等）融化后，從玻璃熔浴上方均勻地流出，經冷卻固化成薄片狀玻璃。這種技術可以制造出高質量、均勻厚度的玻璃，用途廣泛。
2023-04-25 11:18:471262 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 鉆孔的沒有貫穿基材的孔。過孔是可以從基板的兩個表面都能看到，是先壓合再鉆孔的貫穿基材的孔。如圖12所示?！ ∷^沉銅就是化學鍍銅。它是一種自催化氧化還原反應，在化學鍍銅過程中Cu2+得到電子還原為金屬銅
2023-04-20 15:25:28
[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統。 由于半導體行業中芯片生產線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074 】 濕法清洗 有機藥液 槽式 單片式 滾筒式在集成電路生產過程中，WET ?濕法工藝主要是指使用超純水及超純酸堿 , 有機等化學藥液 , 完成對晶圓的清洗刻蝕及光刻膠剝離等工藝 ??[1]。伴隨著集成電路設計線寬越來越窄，使得集成電路高
2023-04-20 11:45:00823 
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
可能的放電率。每種電池化學物質也有特定的工作溫度。在高溫下，電池組件可能會損壞并發生放熱反應。電池應有足夠的間距以獲得更好的熱穩定性。可能需要提供液體冷卻或空氣冷卻等機制來管理設備中的熱量。注意不同放電
2023-03-29 15:47:44
經過多年的研發，隨著該行業在內存和邏輯方面面臨新的挑戰，一種稱為低溫蝕刻的技術正在重新出現，成為一種可能的生產選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導體的物理特性會根據其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402 
。3-2um,重量增加較少，目的是在不導電的環氧玻璃布基材（或其他基材）通過化學方法沉上一層銅，便于后面電鍍導通形成線路；④ 全板鍍銅：主要是為加厚保護那層薄薄的化學銅以防其在空氣中氧化，形成孔內無銅或
2023-03-24 11:24:22
當今世界信息社會的發展在很大程度上依賴于高比特率電信技術的質量。雖然微波和光纖被用于長距離傳輸，但光網絡也將對高比特率信息的局部分布發揮至關重要的作用。
2023-03-23 10:36:32346 
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