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一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法

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線路板濕工藝技術(shù)解決成品的沙眼、缺口、斷線等問(wèn)題

感光性樹(shù)脂合成,添加了感光劑、色料、填料及溶劑的一種藍(lán)色粘稠狀液體。基材上的凹坑、劃傷部分與濕的接觸良好,且濕主要是通過(guò)化學(xué)鍵的作用與基材來(lái)粘合的,從而濕與基材銅箔間有優(yōu)良好的附著力,使用絲網(wǎng)
2018-08-29 10:20:48

給大家介紹一種PCB設(shè)計(jì)復(fù)用方法

本文介紹了一種PCB設(shè)計(jì)復(fù)用方法,它是基于Mentor Graphics的印制電路板設(shè)計(jì)工具Board Station進(jìn)行的。
2021-05-06 07:10:13

給大家介紹一種軟件修正方法

本文介紹一種三軸正交型傳感器正交性的軟件修正方法
2021-05-07 06:53:11

芯片化學(xué)開(kāi)封了解下!

化學(xué)開(kāi)封Acid Decap,又叫化學(xué)開(kāi)封,是用化學(xué)的方法,即濃硫酸及發(fā)煙硝酸將塑封料去除的設(shè)備。通過(guò)用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去除塑料的過(guò)程又快又安全,并且
2021-12-08 17:06:31

芯片開(kāi)蓋去除封膠Decap

芯片開(kāi)蓋去除封膠Decap芯片失效分析時(shí)需分析內(nèi)部的芯片、打線、組件時(shí),因封裝膠體阻擋觀察,利用「laser蝕刻」及「濕式蝕刻」兩搭配使用,開(kāi)蓋(Decap)、去膠(去除封膠,Compound
2018-08-29 15:21:39

講述個(gè)電子愛(ài)好者自制電路板的故事

害;感光與敷銅板的接觸,是用溫度加上壓力,所以附著力不如感光油;貼跟撕需要定的技巧;用感光還要有過(guò)塑機(jī)。所需主要材料 工具: 打印機(jī)硫酸紙或菲林紙感光熱轉(zhuǎn)印機(jī)這三工藝就像疊加的三角,一種
2016-08-01 12:55:11

詳談PCB的蝕刻工藝

層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。  另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅,感光以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種
2018-09-19 15:39:21

陶瓷基板制作工藝中的相關(guān)技術(shù)介紹

程序包含了去膠渣、化學(xué)銅和電鍍銅三個(gè)程序。3、干壓合:制作感光蝕刻的阻抗層。4、內(nèi)層線路影像轉(zhuǎn)移 :利用曝光將底片的影像轉(zhuǎn)移至板面。5、 外層線路曝光:經(jīng)過(guò)感光的貼附后,電路板曾經(jīng)過(guò)類(lèi)似內(nèi)層板
2020-10-27 08:52:37

臺(tái)階厚儀

中圖儀器CP系列臺(tái)階厚儀是一種常用的厚測(cè)量?jī)x器,它是利用光學(xué)干涉原理,通過(guò)測(cè)量層表面的臺(tái)階高度來(lái)計(jì)算出層的厚度,具有測(cè)量精度高、測(cè)量速度快、適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。它可以測(cè)量各種材料的層厚度
2023-11-28 11:31:52

在PCB堿性蝕刻中常見(jiàn)的問(wèn)題的原因和故障解決方法

PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過(guò)曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:275084

PCB線路板外層電路制作的蝕刻工藝解析

在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻
2019-07-10 15:11:352708

蝕刻的原理

通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過(guò)曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173

電路板蝕刻是什么意思

蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻機(jī)將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,前者是化學(xué)方法,較常見(jiàn),后者是物理方法
2019-05-17 11:13:2122170

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過(guò)程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031004

濕法蝕刻工藝的作用:可有效去除金屬氧化物

的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對(duì)這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類(lèi)和確定,評(píng)估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780

半導(dǎo)體器件制造中的蝕刻技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義,其創(chuàng)建過(guò)程在光刻中有詳細(xì)描述。一旦掩模就位,就可以通過(guò)濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。圖1顯示了該過(guò)程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332

水痕去除的有效方法有哪些

應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見(jiàn)的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥,但從減少顆粒和防止水痕的角度來(lái)看,這都是無(wú)效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺(tái)。
2022-03-15 11:27:481021

微細(xì)加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過(guò)程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過(guò)程,每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134

如何利用原子力顯微鏡測(cè)量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法,應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜,通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鮮硅。因此,可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻,通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度,從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401

半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后的感光去除方法

通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡(jiǎn)化后處理序列,從而縮短前工藝處理時(shí)間,上述感光去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下,用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上,然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783

一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42872

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法,該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液;(b)從硅源向等離子體提供硅;以及
2022-04-24 14:58:51979

一種臭氧氧化和硅蝕刻技術(shù)

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法,在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測(cè)量,確定了成分和表面電位的深度分布,因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率,通過(guò)
2022-05-06 15:50:39366

刻蝕后殘留物的去除方法

(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物,該殘留物包含來(lái)自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物,以及最后來(lái)自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對(duì)浸金的蝕刻后殘留物無(wú)效,需要在去除殘留物之
2022-06-09 17:24:132320

使用清洗溶液實(shí)現(xiàn)蝕刻后殘留物的完全去除

我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法,其錫蝕刻速率在室溫下超過(guò)30/min,在50°c下超過(guò)100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容,適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)
2022-06-14 10:06:242210

BEOL應(yīng)用中去除蝕刻后殘留物的不同濕法清洗方法

)開(kāi)口的低k圖案化中,觀察到兩個(gè)主要問(wèn)題。首先,MHM開(kāi)口后的干剝離等離子體對(duì)暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些損傷。受損低k是非常易碎的材料,不應(yīng)該被去除,否則將獲得一些不良的輪廓結(jié)構(gòu)。其次,連續(xù)的含氟低k蝕刻等離子體導(dǎo)致聚合物
2022-06-14 16:56:371355

一種穿過(guò)襯底的通孔蝕刻工藝

通過(guò)使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法,以及開(kāi)發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序;一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分,使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516

澆注系統(tǒng)的澆口形式及尺寸設(shè)計(jì)

  澆口又稱進(jìn)料口,是連接分流道與型腔之間的一段細(xì)短流道(除直接澆口外), 它是澆注系統(tǒng)的關(guān)鍵部分。其主要作用是:
2022-11-11 11:35:064164

什么是金屬蝕刻蝕刻工藝?

金屬蝕刻一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái),原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526

深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)

蝕刻一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190

深度解讀硅微納技術(shù)之的蝕刻技術(shù)

蝕刻一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻
2023-09-06 09:36:57811

PCB的蝕刻工藝及過(guò)程控制

另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261

一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法

一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47174

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