一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底;通過(guò)在基底上施加一層材料來(lái)形成非金屬掩模層;形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域;并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域,同時(shí)以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:27
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本文描述了我們?nèi)A林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關(guān)鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎(chǔ)的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小,金屬硬掩模(MHM)蝕刻后留下的光刻
2022-05-31 16:51:51
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(BEOL)蝕刻中,在不去除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性是非常具有挑戰(zhàn)性的。概述了現(xiàn)狀、問(wèn)題和一些新的方法。
2022-07-04 17:04:08
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在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述,一旦掩模就位,可以通過(guò)濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻,圖1顯示了這一過(guò)程的示意圖。
2022-07-06 17:23:52
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字符 目的:字符是提供的一種便于辯認(rèn)的標(biāo)記。 流程:綠油終鋦后→冷卻靜置→調(diào)網(wǎng)→印字符→后鋦 鍍金手指 目的:在插頭手指上鍍上一層要求厚度的鎳金層,使之更具有硬度的耐磨性。 流程:上板
2018-11-28 11:32:58
本發(fā)明涉及機(jī)械控制技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種伺服電機(jī)的控制方法。背景技術(shù):隨著機(jī)械控制領(lǐng)域的高速發(fā)展,對(duì)于伺服電機(jī)的需要也日益增加,因此對(duì)于伺服 電機(jī)的控制已引起越來(lái)越多人的重視。目前傳統(tǒng)的伺服電機(jī)
2021-09-03 08:53:04
針對(duì)密集波分復(fù)用(DWDM)技術(shù)中所使用的梳狀濾波器,對(duì)固體腔研磨厚度指標(biāo)要求極高Δν=200GHz,Δd≤13.37nm,本文提出運(yùn)用法布里-珀羅干涉理論(Fabry-Perot),研究設(shè)計(jì)了一種
2010-05-13 09:04:51
達(dá)到這個(gè)要求。而基片集成波導(dǎo)(SIW)技術(shù)為設(shè)計(jì)這種濾波器提供了一種很好的選擇。SIW的雙膜諧振器具有一對(duì)簡(jiǎn)并模式,可以通過(guò)對(duì)諧振器加入微擾單元來(lái)使這兩個(gè)簡(jiǎn)并模式分離,因此,經(jīng)過(guò)擾動(dòng)后的諧振器可以看作一
2019-07-03 07:08:15
我試過(guò)很多方法制作pcb覺(jué)得感光油墨法制作pcb是最好的方法,成功率高,做出來(lái)的板子和工廠的沒(méi)什么區(qū)別!
2012-02-11 22:20:15
感光干膜和濕膜的優(yōu)缺點(diǎn).濕膜刷不平也不影響么?誰(shuí)有經(jīng)驗(yàn)講講吧?到底哪個(gè)好,工廠是用哪個(gè)?
2012-11-05 19:40:37
層需要全部蝕刻,而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法,我們主要討論化學(xué)方法,主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進(jìn)入容器中,容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢,而且會(huì)存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi):浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
本文概述了開(kāi)發(fā)這種系統(tǒng)所必須面對(duì)的各種設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),并講解了Altium公司的最新電子設(shè)計(jì)環(huán)境Nexar如何為FPGA設(shè)計(jì)提供一種全新的方法。這種方法不僅可將處理器有效地集成入FPGA之中,而且成為一種挖掘現(xiàn)有以及未來(lái)大容量、低成本FPGA部件應(yīng)用潛力的系統(tǒng)級(jí)
2021-05-08 06:02:24
,通過(guò)光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
組成的圖形。 3)然后烘干、修版。PCB制作第三步光學(xué)方法(1)直接感光法 其工藝過(guò)程為:覆銅板表面處理一涂感光膠一曝光一顯影一固膜一修版。修版是蝕刻前必須要做的工作,可以把毛刺、斷線、砂眼等進(jìn)行
2018-08-30 10:07:20
導(dǎo)線線寬十分精細(xì)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生一系列的問(wèn)題。同時(shí),側(cè)腐蝕(見(jiàn)圖4)會(huì)嚴(yán)重影響線條的均勻性。 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻
2018-11-26 16:58:50
MEI001規(guī)定的方法處理,防止污染環(huán)境。 內(nèi)層干菲林 一、原理 在板面銅箔上貼上一層感光材料(感光油或干膜),然后通過(guò)黑菲林進(jìn)行對(duì)位曝光,顯影后形成線路圖形。 二、工藝流程圖: 三、化學(xué)清洗
2018-09-19 16:23:19
于聚四氟乙烯材料化學(xué)沉銅前的活化處理,但總結(jié)起來(lái),能達(dá)到保證產(chǎn)品質(zhì)量并適合于批生產(chǎn)的,主要有以下兩種方法: (A) 化學(xué)處理法 金屬鈉和萘,于非水溶劑如四氫呋喃或乙二醇二甲醚等溶液內(nèi)反應(yīng),形成一種萘鈉
2018-09-21 16:35:33
的。經(jīng)過(guò)線路制程曝光后,透明部份因干膜阻劑受光照而起化學(xué)作用硬化。顯影制程會(huì)把沒(méi)有硬化的干膜沖掉,然后在銅面上鍍錫鉛,然后去膜,接著用堿性藥水蝕刻去除透明的那部分銅箔,剩下的黑色或棕色底片便是我們需要的線路
2016-12-19 17:39:24
等。【2】干膜(壓干膜/貼膜/貼干膜)通過(guò)壓膜機(jī),在銅面上,貼附感光材料(干膜)。【3】曝光利用感光照相原理,使感光材料(干膜)受到紫外光照射(即曝光)后,發(fā)生聚合反應(yīng),完成圖形轉(zhuǎn)移。注:曝光又為圖形
2023-02-17 11:46:54
。 (5)要根據(jù)電路圖形的密度情況及導(dǎo)線精度,確保銅層厚度的一致性,可采用刷磨削平工藝方法。 (6)經(jīng)修補(bǔ)的油墨必須進(jìn)行固化處理,并檢查和清洗已受到沾污的滾輪。 8.問(wèn)題:印制電路板中蝕刻后發(fā)現(xiàn)
2018-09-19 16:00:15
還提出了另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。 目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中。氨性蝕刻劑是普遍
2018-09-13 15:46:18
:MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝,可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性,此外,它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽谘趸瘎ɡ邕^(guò)氧化氫 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
十分精細(xì)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生一系列的問(wèn)題。同時(shí),側(cè)腐蝕會(huì)嚴(yán)重影響線條的均勻性。在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作
2018-04-05 19:27:39
的制作是PCB制作的根本。所以圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程對(duì)PCB制作來(lái)說(shuō),有非常重要的意義。內(nèi)層干膜包括內(nèi)層貼膜、曝光顯影、內(nèi)層蝕刻等多道工序。內(nèi)層貼膜就是在銅板表面貼上一層特殊的感光膜,就是我們所說(shuō)的干膜。這種膜遇
2018-09-20 17:27:19
三防漆固化后的線路板還有可能會(huì)返修,這就需要把漆膜去除掉,然后才能更換元件。這里敏通給大家列舉幾種比較常見(jiàn)的去除方法。一,加熱法,不到萬(wàn)不得已不建議采用此方法。加熱法的具體操作是,一般采用
2017-05-28 10:44:47
為什么要提出一種并行通信方法?并行通信方法有什么特點(diǎn)?
2021-05-27 06:16:02
本文將介紹一種使用WSL來(lái)編譯nodemcu固件的方法。
2022-02-15 07:34:55
本文介紹了一種可以高精度的測(cè)量電阻的方法。
2021-05-10 06:38:57
介紹一種基于分級(jí)的RFID隱私保護(hù)方法
2021-05-26 06:17:01
稱光罩(mask)制造。這一部分是流程銜接的關(guān)鍵部分,是流程中造價(jià)最高的一部分,也是限制最小線寬的瓶頸之一。光掩膜除了應(yīng)用于芯片制造外,還廣泛的應(yīng)用與像LCD,PCB等方面。常見(jiàn)的光掩膜的種類(lèi)有四種
2012-01-12 10:36:16
分享一種具有低功耗意識(shí)的FPGA設(shè)計(jì)方法
2021-04-29 06:15:55
本文介紹了一種基于FPGA利用VHDL硬件描述語(yǔ)言的數(shù)字秒表設(shè)計(jì)方法,
2021-05-11 06:37:32
分享一種在車(chē)身控制模塊(BCM)設(shè)計(jì)中新的失效保護(hù)方法。
2021-05-14 06:15:48
的速度方向都是垂直向下的,噴淋的速度都是一致的,為u0; (4) 噴淋時(shí),認(rèn)為在凹槽中蝕刻液是從凹槽中央噴射出來(lái)的,如圖1所示: (5) 在凹槽中,將反應(yīng)后流體看成是凹槽內(nèi)的環(huán)境流體,對(duì)噴射有一
2018-09-10 15:56:56
光亮鍍錫鉛合金以及上述電鍍的各種 鍍前處理溶液中,聚合后的于膜抗蝕層應(yīng)無(wú)表面發(fā)毛、滲鍍、起翹和脫落現(xiàn)象。 ◎去膜性能 曝光后的干膜,經(jīng)蝕刻和電鍍之后,可以在強(qiáng)堿溶液中去除,一般采用3—5%的氫氧化
2010-03-09 16:12:32
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:48 編輯
印制電路板蝕刻過(guò)程中的問(wèn)題蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡(jiǎn)單,但實(shí)際上,如果在蝕刻階段出現(xiàn)問(wèn)題將會(huì)影響板
2013-09-11 10:58:51
漏印 絲網(wǎng)漏印(簡(jiǎn)稱絲印)是一種古老的印制工藝,與油印機(jī)類(lèi)似。絲網(wǎng)漏印就是在絲網(wǎng)(真絲、滌綸絲等)上通過(guò)貼感光膜(制膜、曝光、顯影、去膜)等感光化學(xué)處理,將圖形轉(zhuǎn)移到絲網(wǎng)上,或在絲網(wǎng)上黏附一層漆膜或
2023-04-20 15:25:28
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:49 編輯
印制電路板用干膜防焊膜干膜阻焊劑不為液態(tài)或糊劑狀,它是以一種光敏聚合物膜的形態(tài)出現(xiàn)的,這層光敏聚合物膜夾在兩層保護(hù)層之間
2013-09-11 10:56:17
干膜阻焊劑不為液態(tài)或糊劑狀,它是以一種光敏聚合物膜的形態(tài)出現(xiàn)的,這層光敏聚合物膜夾在兩層保護(hù)層之間,這兩層保護(hù)層保護(hù)中間的感光乳劑膜以防止其在操作過(guò)程中受到破壞。應(yīng)用干膜防焊膜的步驟詳述如下
2018-09-05 16:39:00
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù),它只需一個(gè)裝滿蝕刻洛液的槽,把板子整個(gè)浸入到溶液中,如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成,這就需要很長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間,且蝕刻速度非常緩慢。可以通過(guò)加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
癥狀。這一故障現(xiàn)象可通過(guò)活性炭吸附處理后進(jìn)行過(guò)濾,并重新調(diào)整其他成分予以解決。 圖2鍍錫前后對(duì)比 2、褪錫 脫膜工藝中的褪錫是將已完成線路蝕刻后的線路抗蝕層(即:經(jīng)鍍錫工藝形成的錫層)去除,露出
2018-09-20 10:24:11
。印刷電路板基本制作方法:一、刀刻法這種方法是把已設(shè)計(jì)好的印刷板圖用復(fù)寫(xiě)紙復(fù)寫(xiě)到敷銅板上面,用鋒利的刻刀沿線路刻劃,然后把不要的那部分銅箔用刻刀挑起來(lái)并撕掉。這種方法只適用于線路比較簡(jiǎn)單的電路,是一種最經(jīng)濟(jì)
2018-09-13 16:01:07
邊待用。取出一包蝕刻劑(190克),配800毫升水。注意不要誤差太大。配好后放在一邊待用。注意!蝕刻劑和顯影劑不接觸金屬物品!!!曝光完成后,去掉白紙,把感光板放在一個(gè)合適的孰料盆里,倒入適量的顯影劑
2012-10-06 20:47:05
→曝光→顯影(貼干膜→曝光→顯影)→形成負(fù)相圖象→圖形鍍銅→圖形電鍍金屬抗蝕層→去膜→蝕刻→進(jìn)入下工序 圖像轉(zhuǎn)移有兩種方法,一種是網(wǎng)印圖像轉(zhuǎn)移
2010-03-09 16:22:39
OSD是什么?OSD包含的基本元素有哪些?如何去實(shí)現(xiàn)一種OSD?有什么方法嗎?
2021-06-02 06:04:06
基于NFC的新智能連接調(diào)試方法是什么?如何去實(shí)現(xiàn)一種NFC智能連接調(diào)試方法?
2021-06-30 07:23:45
一種基于VxWorks的多路高速串口的通信方法設(shè)計(jì)
2021-06-03 06:36:54
本文介紹了一種去除傳輸線的方法。
2021-05-21 07:10:45
怎樣去使用一種異域加密的方法呢?
2022-01-20 07:01:33
法令紋是皺紋中的一種,在生活除皺 http://www.fh21.com.cn/meirong/zs/中非常的常見(jiàn),對(duì)于它的去除也有非常多的方法,關(guān)鍵是選擇一種適合自己的方法,同時(shí)也要選擇正規(guī)
2012-09-27 11:44:27
等。【2】干膜(壓干膜/貼膜/貼干膜)通過(guò)壓膜機(jī),在銅面上,貼附感光材料(干膜)。【3】曝光利用感光照相原理,使感光材料(干膜)受到紫外光照射(即曝光)后,發(fā)生聚合反應(yīng),完成圖形轉(zhuǎn)移。注:曝光又為圖形
2023-02-17 11:54:22
晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái),特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機(jī),在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(dynamic random access memory,DRAM)的制造過(guò)程中,為了提高產(chǎn)率,便采用
2018-03-16 11:53:10
來(lái)講不太適合。現(xiàn)在介紹一種高精度低成本快速制版的方法——感光法~感光法分為干膜和濕膜,干膜是利用成品感光干膜貼在覆銅板上,熱壓后,再進(jìn)行感光。濕膜是將感光油膜涂抹在覆銅板上,待干透后即可進(jìn)行感光~下面將
2012-09-30 22:31:23
分析了I2C總線的工作原理及其特點(diǎn)提出一種在I2C總線應(yīng)用下的EEPROM測(cè)試方法
2021-04-09 06:09:12
求大神分享一種高檔FPGA可重構(gòu)配置方法
2021-04-29 06:16:54
求推薦一種高響應(yīng)和高靈敏度的感光芯片。要求芯片可對(duì)瞬間的微弱的閃光做成響應(yīng)。
2016-06-11 11:58:05
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程,該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓,也稱為基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料層,以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ);最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
加水補(bǔ)滿,但請(qǐng)不要超過(guò)650c.c.因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致濃度不足,蝕刻時(shí)間上也會(huì)增加。 補(bǔ)充一點(diǎn),目前市面上的蝕刻液分為兩種,一種為傳統(tǒng)使用的氯化鐵,另一種則為本范例使用的環(huán)保蝕刻液,但由於氯化鐵回收不易,噴
2012-12-06 09:41:20
感光性樹(shù)脂合成,添加了感光劑、色料、填料及溶劑的一種藍(lán)色粘稠狀液體。基材上的凹坑、劃傷部分與濕膜的接觸良好,且濕膜主要是通過(guò)化學(xué)鍵的作用與基材來(lái)粘合的,從而濕膜與基材銅箔間有優(yōu)良好的附著力,使用絲網(wǎng)
2018-08-29 10:20:48
本文介紹了一種PCB設(shè)計(jì)復(fù)用方法,它是基于Mentor Graphics的印制電路板設(shè)計(jì)工具Board Station進(jìn)行的。
2021-05-06 07:10:13
本文介紹一種三軸正交型傳感器正交性的軟件修正方法。
2021-05-07 06:53:11
化學(xué)開(kāi)封Acid Decap,又叫化學(xué)開(kāi)封,是用化學(xué)的方法,即濃硫酸及發(fā)煙硝酸將塑封料去除的設(shè)備。通過(guò)用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去除塑料的過(guò)程又快又安全,并且
2021-12-08 17:06:31
芯片開(kāi)蓋去除封膠Decap芯片失效分析時(shí)需分析內(nèi)部的芯片、打線、組件時(shí),因封裝膠體阻擋觀察,利用「laser蝕刻」及「濕式蝕刻」兩種搭配使用,開(kāi)蓋(Decap)、去膠(去除封膠,Compound
2018-08-29 15:21:39
害;感光膜與敷銅板的接觸,是用溫度加上壓力,所以附著力不如感光油;貼膜跟撕膜需要一定的技巧;用感光膜還要有過(guò)塑機(jī)。所需主要材料 工具: 打印機(jī)硫酸紙或菲林紙感光膜熱轉(zhuǎn)印機(jī)這三種工藝就像疊加的三角,一種
2016-08-01 12:55:11
一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。 另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種
2018-09-19 15:39:21
程序包含了去膠渣、化學(xué)銅和電鍍銅三個(gè)程序。3、干膜壓合:制作感光性蝕刻的阻抗層。4、內(nèi)層線路影像轉(zhuǎn)移 :利用曝光將底片的影像轉(zhuǎn)移至板面。5、 外層線路曝光:經(jīng)過(guò)感光膜的貼附后,電路板曾經(jīng)過(guò)類(lèi)似內(nèi)層板
2020-10-27 08:52:37
中圖儀器CP系列臺(tái)階膜厚儀是一種常用的膜厚測(cè)量?jī)x器,它是利用光學(xué)干涉原理,通過(guò)測(cè)量膜層表面的臺(tái)階高度來(lái)計(jì)算出膜層的厚度,具有測(cè)量精度高、測(cè)量速度快、適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。它可以測(cè)量各種材料的膜層厚度
2023-11-28 11:31:52
PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過(guò)曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:27
5084 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻
2019-07-10 15:11:35
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通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過(guò)曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:36
14173 蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻機(jī)將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,前者是化學(xué)方法,較常見(jiàn),后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:21
22170 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過(guò)程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:00
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的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對(duì)這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類(lèi)和確定,評(píng)估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種濕蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:35
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在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義,其創(chuàng)建過(guò)程在光刻中有詳細(xì)描述。一旦掩模就位,就可以通過(guò)濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。圖1顯示了該過(guò)程的示意圖。
2022-03-10 13:47:36
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應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見(jiàn)的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥,但從減少顆粒和防止水痕的角度來(lái)看,這都是無(wú)效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺(tái)。
2022-03-15 11:27:48
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微加工過(guò)程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過(guò)程,每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:58
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本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法,應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜,通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鮮硅。因此,可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻,通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度,從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18
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通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡(jiǎn)化后處理序列,從而縮短前工藝處理時(shí)間,上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下,用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上,然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43
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本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42
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本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法,該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液;(b)從硅源向等離子體提供硅;以及
2022-04-24 14:58:51
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本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法,在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測(cè)量,確定了成分和表面電位的深度分布,因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率,通過(guò)
2022-05-06 15:50:39
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(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物,該殘留物包含來(lái)自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物,以及最后來(lái)自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對(duì)浸金的蝕刻后殘留物無(wú)效,需要在去除殘留物之
2022-06-09 17:24:13
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我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法,其錫蝕刻速率在室溫下超過(guò)30/min,在50°c下超過(guò)100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容,適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)
2022-06-14 10:06:24
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)開(kāi)口的低k圖案化中,觀察到兩個(gè)主要問(wèn)題。首先,MHM開(kāi)口后的干剝離等離子體對(duì)暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些損傷。受損低k是非常易碎的材料,不應(yīng)該被去除,否則將獲得一些不良的輪廓結(jié)構(gòu)。其次,連續(xù)的含氟低k蝕刻等離子體導(dǎo)致聚合物
2022-06-14 16:56:37
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通過(guò)使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法,以及開(kāi)發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序;一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分,使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57
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澆口又稱進(jìn)料口,是連接分流道與型腔之間的一段細(xì)短流道(除直接澆口外), 它是澆注系統(tǒng)的關(guān)鍵部分。其主要作用是:
2022-11-11 11:35:06
4164 金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:43
3172 器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái),原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05
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蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03
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蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32
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在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57
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另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45
261 一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47
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評(píng)論