美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:002634 
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驅動電壓VGS=10~15V不能發揮出SiC本來的低導通電阻的性能，所以為了得到充分的低導通電阻，推薦使用VGS=18V左右進行驅動。原作者：羅姆半導體集團
2023-02-07 16:40:49
設計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂祿荝OHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
柵極偏壓）試驗（+22V、150℃）中，在裝置中未發生故障和特性波動，順利通過1000小時測試。閾值穩定性（柵極正偏壓）SiC上形成的柵極氧化膜界面并非完全沒有陷阱，因此當柵極被長時間施加直流的正偏壓
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發揮了開關性能的優勢實現了Si IGBT很難實現的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
了熱管理，減小了印刷電路板的外形尺寸，有利于提高系統的穩定性。圖1 SiC MOSFET和Si MOSFET性能對比在使用SiC MOSFET進行系統設計時，工程師們通常要考慮如何以最優方式驅動（最大
2019-07-09 04:20:19
= 25 V，高溫柵極偏壓（HTGB）應力測試在175°C下在77個器件上執行，從三個不同的晶圓批次到2300小時。觀察到可忽略的偏差?！ ×硪粋€被證明長期穩定的參數設置是MOSFET的阻斷電壓和關斷狀態
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進行了壓力測試，具有
2019-07-30 15:15:17
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
650V/10A。由圖可知，第3代產品在高溫時的VF-IF曲線坡度陡峭，相對同一IF，VF較低，已經得到改善。當前供應的產品與開發計劃下面是當前供應的第2代產品和第3代產品。兩者均在持續進行機型擴充中
2018-11-30 11:51:17
設計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂祿荝OHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
`IGN1214M650A是最適合L波段雷達應用的高功率GaN晶體管。 該晶體管被指定用于AB類工作，提供1.2-1.4 GHz的工作頻率，最小650W的峰值脈沖功率，50V和10％的占空比。 該
2020-04-21 11:17:44
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
` 首先萬分感謝羅姆及電子發燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關管以提高開關頻率，縮小設備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅動，望批準！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
有羅姆，英飛凌，Cree，意法半導體等，因為羅姆在官網提供比較易得的SiC參數性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能參數，下載模型在軟件做一些簡單的仿真。這次提供的試用開發板和對應插件正好可以對比
2020-05-19 16:03:51
SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內，后續適用到產品中
2020-04-24 18:09:35
項目名稱：SiC mosfet 測試試用計劃：申請理由：公司開發雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關的資料。想通過此次試用進一步了解相關性能。試用計劃：1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設備測試Sic器件相關參數。3、編寫測試報告。
2020-04-21 15:54:54
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關速度還可能導致電壓過沖。滿足高電壓應用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業產品已經從Gen 2發展到了Gen 3，隨著技術的發展，元胞寬度持續減小，比導通電阻持續降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
電子設備和工業設備。目前推出的650V耐壓產品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
電壓范圍為 250 至 450V。基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D工程樣品構建了原型，驗證了設計的性能和熱完整性。該原型展示了 54 W/in3 的功率密度和充電
2023-02-27 09:44:36
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優勢，可以突破現有電動汽車電機設計上因器件性能而受到的限制，這是目前國內外電動汽車電機領域研發
2018-11-02 16:25:31
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
，使得電路能夠達到±3%以內的恒流精度，具有優異的線型調整率和負載調整率，并且通過RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開路保護電壓?！?b class="flag-6" style="color: red">SIC9654內部集成了650V功率MOSFET，采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
具有明顯的優勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內感和熱阻的SiC性能?！ ?200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優點
2023-02-27 14:28:47
）～14.5V（max），typ為12.5V。對此，SiC-MOSFET的VGS為20V以上，并逐漸飽和，因此一般建議使用VGS＝18V左右進行驅動。此次使用的BD7682FJ-LB的柵極驅動電壓（OUT引腳
2018-11-27 16:54:24
了一個基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D的工程樣品??的原型，以驗證設計的性能和熱完整性。該原型展示了54 W / in3的功率密度以及在充電和放電模式下的峰值效率
2019-10-25 10:02:58
母線電路需設計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261670 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:021767 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 低和熱導率高等特性。世強代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
2020-09-29 10:44:00
9 新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp （Rdson * area）。
2021-02-19 14:09:221173 在高溫下，溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的，在接近最高結溫時，溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202346 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221217 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032100 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:34663 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37264 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結構。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管。相較于傳統的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導通電阻和更優秀的耐高溫性能，可以應用于高頻、高功率和高溫環境
2023-12-21 11:15:52272 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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