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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>全新Calibre xACT產(chǎn)品可滿(mǎn)足先進(jìn)工藝廣泛的寄生電路參數(shù)提取需求

全新Calibre xACT產(chǎn)品可滿(mǎn)足先進(jìn)工藝廣泛的寄生電路參數(shù)提取需求

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感情,河南全新軟啟動(dòng)柜、軟啟動(dòng)控制柜、軟啟動(dòng)綜合柜,高壓電機(jī)軟啟動(dòng)產(chǎn)品中的明星產(chǎn)品,我們終于可以以恒久品質(zhì)來(lái)滿(mǎn)足品高壓電機(jī)軟起、節(jié)電、節(jié)能的需求,專(zhuān)心努力,為全所有型號(hào)電機(jī),不同行業(yè)的電機(jī)用戶(hù)提供適合您的河南全新軟啟動(dòng)柜、軟啟動(dòng)控制柜、軟啟動(dòng)綜合柜!
2011-08-04 14:14:05

用starRC提取的spf格式的寄生參數(shù)怎么進(jìn)行轉(zhuǎn)格式?

用starRC提取的spf格式的寄生參數(shù),跑幽靈的后遺癥,結(jié)果說(shuō)是幽靈語(yǔ)言支持。網(wǎng)上大家說(shuō)要轉(zhuǎn)換格式,但沒(méi)說(shuō)怎么轉(zhuǎn)換,請(qǐng)問(wèn)一下怎么轉(zhuǎn)格式呢
2021-06-24 08:11:58

用戶(hù)需求對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的作用分析

`  人的需求產(chǎn)品設(shè)計(jì)發(fā)展的動(dòng)力。科技和社會(huì)發(fā)展讓人的需求產(chǎn)生顯著變化,已經(jīng)從對(duì)產(chǎn)品的功能滿(mǎn)足,延伸到心理滿(mǎn)足。要求產(chǎn)品設(shè)計(jì)不僅要實(shí)現(xiàn)使用功能,還要滿(mǎn)足情感化、個(gè)性化需求。用戶(hù)的心理需求
2016-01-28 16:43:39

美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝

先進(jìn)技術(shù)和工藝,研制、開(kāi)發(fā)出一系列涵蓋存儲(chǔ)系列、輸送系列、搬運(yùn)系列、工位器具及集裝單元系列等上百種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)物流設(shè)備,并可根據(jù)客戶(hù)要求規(guī)劃、設(shè)計(jì)和制造,完全能滿(mǎn)足眾多企業(yè)的個(gè)性化需求產(chǎn)品廣泛
2009-11-11 10:39:17

美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝

先進(jìn)技術(shù)和工藝,研制、開(kāi)發(fā)出一系列涵蓋存儲(chǔ)系列、輸送系列、搬運(yùn)系列、工位器具及集裝單元系列等上百種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)物流設(shè)備,并可根據(jù)客戶(hù)要求規(guī)劃、設(shè)計(jì)和制造,完全能滿(mǎn)足眾多企業(yè)的個(gè)性化需求產(chǎn)品廣泛
2009-11-12 10:23:26

美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝

先進(jìn)技術(shù)和工藝,研制、開(kāi)發(fā)出一系列涵蓋存儲(chǔ)系列、輸送系列、搬運(yùn)系列、工位器具及集裝單元系列等上百種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)物流設(shè)備,并可根據(jù)客戶(hù)要求規(guī)劃、設(shè)計(jì)和制造,完全能滿(mǎn)足眾多企業(yè)的個(gè)性化需求產(chǎn)品廣泛
2009-11-13 10:20:08

請(qǐng)問(wèn)Calibre電路版圖W L是怎么各自計(jì)算出來(lái)的?

請(qǐng)問(wèn)Calibre電路版圖W L是怎么各自計(jì)算出來(lái)的?
2021-06-23 08:03:52

高級(jí)RF收發(fā)器滿(mǎn)足SDR應(yīng)用的需求是什么?

高級(jí)RF收發(fā)器滿(mǎn)足SDR應(yīng)用的需求是什么?
2021-05-19 06:51:52

高速閃存MCU在廣泛嵌入式有什么應(yīng)用?

嵌入式系統(tǒng)是面向用戶(hù)、面向產(chǎn)品、面向應(yīng)用的,它是將先進(jìn)計(jì)算機(jī)技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)和電子技術(shù)以及各行業(yè)的具體應(yīng)用相結(jié)合的產(chǎn)物,因此它是一個(gè)高度密集、不斷創(chuàng)新的知識(shí)集成系統(tǒng)。作為嵌入式系統(tǒng),它必須能夠根據(jù)應(yīng)用的需求可以對(duì)軟硬件進(jìn)行裁剪,精簡(jiǎn)系統(tǒng)以滿(mǎn)足應(yīng)用系統(tǒng)在功能、可靠性、成本、體積等各種要求。
2020-04-14 06:45:02

非規(guī)則矩形電阻在Calibre LVS中阻值提取

本文首先介紹了Calibre LVS 的基本流程。在分析了現(xiàn)有的在LVS 過(guò)程中電阻版圖阻值提取方法的優(yōu)缺點(diǎn)基礎(chǔ)上提出了一種新穎的電阻的提取方法,經(jīng)過(guò)Calibre LVS 驗(yàn)證可以有效的減小了電
2009-12-19 15:27:5532

電路母線(xiàn)和電容組寄生參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)暫態(tài)的影響

以一臺(tái)H 橋IGBT 功率單元為對(duì)象,基于部分單元等效電路(PEEC)方法建立直流母線(xiàn)的高頻等效電路,以基于最小二乘法的曲線(xiàn)擬合提取電容組的等效參數(shù)。以單橋臂電路實(shí)驗(yàn)中獲得的
2010-02-18 12:51:0025

版圖電路節(jié)點(diǎn)提取及其壓縮算法

摘要:提出了一種版圖電路節(jié)點(diǎn)提取及節(jié)點(diǎn)壓縮算法。通過(guò)在工藝文件中設(shè)定節(jié)點(diǎn)生成過(guò)程,該方法能方便地提取各種版圖電路節(jié)點(diǎn)。關(guān)鍵詞:.版圖提取;計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì);
2010-05-13 09:29:000

基于calibre的MIC總線(xiàn)控制器專(zhuān)用集成電路版圖檢查

摘要:本文通過(guò)Calibre工具在MIC總線(xiàn)控制器遠(yuǎn)程模塊專(zhuān)用集成電路版圖中的應(yīng)用,闡述了Calibre版圖檢查工具較之通常使用的Dracula工具的諸多優(yōu)點(diǎn),介紹了基于Calibre工具的DRC和LVS檢查
2010-05-14 09:08:410

應(yīng)用Calibre xRC輔助模擬電路版圖糾錯(cuò)

在模擬電路設(shè)計(jì)中,在版圖完成之后進(jìn)行帶寄生參數(shù)仿真是必要的,該仿真能夠檢查實(shí)際的版圖在多大程度上符合我們的設(shè)計(jì)要求。Calibre xRC 是一款優(yōu)秀的版圖寄生電阻電容抽
2010-07-04 11:37:060

Laker & Calibre Bandgap 實(shí)例教程

電路圖  : BANDGAP.pdf設(shè)計(jì)規(guī)則: DesignRule.pdf教程    : Laker&
2010-07-10 14:36:2796

中芯國(guó)際已將明導(dǎo)國(guó)際Calibre產(chǎn)品認(rèn)證DFM簽核參考平臺(tái)

中芯國(guó)際已將明導(dǎo)國(guó)際Calibre產(chǎn)品認(rèn)證DFM簽核參考平臺(tái) 前不久,明導(dǎo)國(guó)際宣布中芯國(guó)際已經(jīng)將明導(dǎo)國(guó)際Calibre產(chǎn)品認(rèn)證為其65nm和更小制程的可制造性設(shè)計(jì)(DFM
2010-04-13 11:55:511021

上海華力采用明導(dǎo)國(guó)際Calibre RET方案

上海華力微電子有限公司采用了Calibre RET 和OPC計(jì)算光刻平臺(tái),以支持其65、55和45nm工藝的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)
2011-03-22 11:07:451613

提取集成電路熱阻參數(shù)試驗(yàn)方法研究

本內(nèi)容詳細(xì)介紹了提取集成電路熱阻參數(shù)試驗(yàn)方法研究
2011-10-28 15:44:4214

銳高LED驅(qū)動(dòng)器全新突破 三大系列滿(mǎn)足各色需求

TALEXX系列LED驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)全新突破,使燈具制造商開(kāi)發(fā)LED燈具更為自如。銳高提供的全新LED驅(qū)動(dòng)器系列由三大產(chǎn)品組合:TALEXX converter ECO、TOP和TEC組成,完整的產(chǎn)品組合可滿(mǎn)足各色客戶(hù)的不同需求
2013-08-13 15:51:032921

Synopsys的StarRC創(chuàng)造“寄生參數(shù)提取性能”和“可擴(kuò)展性能”新高度

其StarRC?解決方案的2015.12版本實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新,可以解決由于摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)向更精細(xì)化延伸,而引起的越來(lái)越多的寄生參數(shù)提取和簽核挑戰(zhàn)。
2016-02-22 16:11:071596

Cadence發(fā)布7納米工藝Virtuoso先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展平臺(tái)

2017年4月18日,中國(guó)上海 – 楷登電子(美國(guó)Cadence公司,NASDAQ: CDNS)今日正式發(fā)布針對(duì)7nm工藝全新Virtuoso? 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)。通過(guò)與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165

電容頻率與寄生參數(shù)的關(guān)系

當(dāng)頻率很高時(shí),電容不再被當(dāng)做集總參數(shù)看待,寄生參數(shù)的影響不可忽略。寄生參數(shù)包括Rs,等效串聯(lián)電阻(ESR)和
2017-11-17 15:10:3321230

淺談怎樣選擇滿(mǎn)足FPGA設(shè)計(jì)需求工藝

再如此。 取而代之的是,當(dāng)今的可編程邏輯供應(yīng)商必須研究各種工藝選擇,才能滿(mǎn)足采用FPGA的設(shè)計(jì)的各類(lèi)需求。本文將介紹三類(lèi)工藝特性,它們與現(xiàn)代FPGA內(nèi)部結(jié)構(gòu)的聯(lián)系,以及FPGA對(duì)采用了這些工藝的系統(tǒng)的影響。其中將特別介紹圍繞名為FinFET的晶體管
2017-12-05 13:42:169

無(wú)折衷的先進(jìn)工藝寄生參數(shù)提取方法

對(duì)于先進(jìn)納米制程,有必要結(jié)合基于規(guī)則的引擎和場(chǎng)解算器引擎,為FinFET等詳細(xì)3D結(jié)構(gòu)提供必不可少的參數(shù)提取精度,同時(shí)還能提供實(shí)現(xiàn)全芯片設(shè)計(jì)快速吞吐量所需的性能。Cal.bre@ xACTTM平臺(tái)
2018-03-02 16:24:043

三星Foundry憑借最新工藝幫助客戶(hù)設(shè)計(jì)和制造最先進(jìn)的IC產(chǎn)品

都已通過(guò)最新的三星Foundry的工藝認(rèn)證,雙方的專(zhuān)業(yè)知識(shí)再次結(jié)合,幫助設(shè)計(jì)人員快速開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證創(chuàng)新型 IC,以應(yīng)對(duì)各種高速增長(zhǎng)的市場(chǎng)和應(yīng)用需求。”
2020-08-20 13:46:12686

具有寄生提取功能的PDN阻抗分析(Q&A)

盡管我們傾向于以不同的方式來(lái)考慮 PDN 阻抗和傳輸線(xiàn)的行為,但它們之間有著密切的聯(lián)系,甚至更合適的是使用類(lèi)似的技術(shù)來(lái)提取用于電路模型的寄生效應(yīng)。讓我們更詳細(xì)地研究這個(gè)數(shù)學(xué)上豐富的主題。 寄生提取
2020-11-04 19:45:362278

基于電磁法的InP-DHBT寄生參數(shù)提取及H波段驗(yàn)證

基于電磁法的InP-DHBT寄生參數(shù)提取及H波段驗(yàn)證
2021-04-07 09:14:410

IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)介紹

關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多,對(duì)于其標(biāo)稱(chēng)的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)合,所關(guān)注的方面都不不盡相同,比如
2021-06-12 10:29:009667

如何使用EMS for Solidworks提取PCB結(jié)構(gòu)的寄生參數(shù)

EMI 或電磁干擾是來(lái)自設(shè)備或系統(tǒng)的不良電磁噪聲,會(huì)干擾相鄰設(shè)備或系統(tǒng)的正常運(yùn)行。EMI建模和預(yù)測(cè)的基本過(guò)程需要提取PCB和電路元件的寄生參數(shù)以建立高頻電路模型。
2022-04-24 15:46:013386

新思科技推出面向臺(tái)積公司N6RF工藝全新射頻設(shè)計(jì)流程

新思科技(Synopsys)近日推出面向臺(tái)積公司N6RF工藝全新射頻設(shè)計(jì)流程,以滿(mǎn)足日益復(fù)雜的射頻集成電路設(shè)計(jì)需求
2022-06-24 14:30:13868

可編程邏輯電路設(shè)計(jì)之寄生參數(shù)提取工具

寄生參數(shù)提取通常有兩類(lèi)方法:精確計(jì)算方法和快速模型方法。精確計(jì)算方法精度高,但其速度較慢,所以常用于規(guī)模較小但對(duì)精度要求較高的應(yīng)用,例如工藝分析、標(biāo)準(zhǔn)單元建庫(kù),射頻電路分析等。快速模型方法相比精確計(jì)算方法精度較差,但由于其速度快上千倍,因此被廣泛應(yīng)用于全芯片級(jí)的寄生參數(shù)提取
2022-08-30 10:15:052176

過(guò)孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是什么?它有什么影響?應(yīng)該怎么消除?

過(guò)孔的兩個(gè)寄生參數(shù)寄生電容和寄生電感。 過(guò)孔本身存在著對(duì)地的寄生電容,如果已知過(guò)孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2,過(guò)孔焊盤(pán)的直徑為D1,PCB板的厚度為T(mén),板基材介電常數(shù)為ε,則過(guò)孔的寄生電容可以
2022-10-30 13:15:182725

三個(gè)寄生參數(shù)對(duì)電路的影響

隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,由導(dǎo)線(xiàn)引起的寄生效應(yīng)產(chǎn)生的影響越來(lái)越大。三個(gè)寄生參數(shù)(電容、電阻和電感)對(duì)電路都有影響。
2023-02-13 10:38:023801

分立器件寄生參數(shù)模型與效應(yīng)

電路設(shè)計(jì)中每個(gè)器件都有其寄生參數(shù)。例如,一個(gè)電感中還存在容性和阻性分量,電容中還存在感性和阻性分量。
2023-04-08 11:43:27831

西門(mén)子EDA Calibre 平臺(tái)獲臺(tái)積電先進(jìn)N3E和N2工藝認(rèn)證

西門(mén)子EDA Calibre 平臺(tái)獲臺(tái)積電先進(jìn)N3E和N2工藝認(rèn)證 作為臺(tái)積電的長(zhǎng)期合作伙伴西門(mén)子EDA一直在加強(qiáng)對(duì)臺(tái)積電最新制程的支持 ,根據(jù)西門(mén)子EDA透露的消息顯示,sign-off 物理驗(yàn)證
2023-05-11 18:25:301872

介紹一些寄生參數(shù)提取相關(guān)的文件

itf和ict文件是工藝參數(shù)文件,記錄了每層材料的電阻率、介電常數(shù)、溫度系數(shù)、最小寬度等詳細(xì)信息。EDA工具沒(méi)有直接使用這類(lèi)文件進(jìn)行RC的抽取,因?yàn)橛?jì)算量是巨大的,將嚴(yán)重影響EDA工具的速度。
2023-05-15 10:58:053756

寄生參數(shù)分析設(shè)計(jì)過(guò)程及更改

西門(mén)子EDA將XpeditionAMS與HyperLynx Advanced 3D電磁求解器集成在一起,將電路板級(jí)寄生參數(shù)分析帶入電路設(shè)計(jì)過(guò)程,從而最有效地進(jìn)行設(shè)計(jì)更改。在設(shè)計(jì)過(guò)程的早期考慮布局寄生參數(shù),從而減少了下游設(shè)計(jì)迭代的風(fēng)險(xiǎn),并且是保持項(xiàng)目按時(shí)、按預(yù)算和按規(guī)范工作的關(guān)鍵。
2023-05-15 15:44:19717

3nm及以下的5D提取需求

模擬器件的時(shí)序特性。由于當(dāng)今的2.5D寄生提取引擎是基于模式的,因此對(duì)于FinFET與平面晶體管技術(shù),需要學(xué)習(xí)更多模式。需要為精度標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)一套強(qiáng)大的模式,同時(shí)滿(mǎn)足不斷縮短的工藝推出周期,這給 EDA 和晶圓代工廠(chǎng)供應(yīng)商帶來(lái)了巨大的壓力。
2023-05-25 14:23:56234

如何從SYZ參數(shù)提取電容C和電感L—雙端口

上期解釋了單端口計(jì)算S參數(shù),然后后處理很容易提取L或C,已經(jīng)滿(mǎn)足基本需求
2023-06-20 11:15:403516

100分的Calibre只發(fā)揮了60分的作用?

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗(yàn)證軟件,被各大Foundry廠(chǎng)廣泛認(rèn)可。用戶(hù)可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版圖驗(yàn)證結(jié)果數(shù)據(jù),使用起來(lái)極為方便。
2023-07-14 11:33:36416

EDA云實(shí)證Vol.13:暴力堆機(jī)器之王——Calibre

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗(yàn)證軟件,被各大Foundry廠(chǎng)廣泛認(rèn)可。用戶(hù)可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版圖驗(yàn)證結(jié)果數(shù)據(jù),使用起來(lái)極為方便。 今天,我們
2023-07-17 16:20:45297

EMI的PCB寄生參數(shù)有哪些

影響EMI的PCB寄生參數(shù)你都清楚嗎?
2023-07-18 12:57:15474

到底誰(shuí)能提升Calibre的效率?

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗(yàn)證軟件,被各大Foundry廠(chǎng)廣泛認(rèn)可。用戶(hù)可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版圖驗(yàn)證結(jié)果數(shù)據(jù),使用起來(lái)極為方便。
2023-07-25 10:30:14748

TDK MEMS麥克風(fēng)第2代全新封裝滿(mǎn)足先進(jìn)需求

情況的功能或錄音功能的電子設(shè)備對(duì)于MEMS麥克風(fēng)的進(jìn)一步小型化或音響特性的提高提出了更高的要求。此外,在聲音識(shí)別接口中,高性能麥克風(fēng)也是必須產(chǎn)品。TDK為滿(mǎn)足此類(lèi)先進(jìn)需求,運(yùn)用通過(guò)SAW設(shè)備等積累而來(lái)的CSMP(芯片尺寸MEMS封裝)技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)了MEM
2023-08-22 16:21:30497

如何提升跑Calibre效率呢?

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗(yàn)證軟件,被各大Foundry廠(chǎng)廣泛認(rèn)可。用戶(hù)可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版圖驗(yàn)證結(jié)果數(shù)據(jù),使用起來(lái)極為方便。
2023-08-09 09:24:56858

重內(nèi)存、可拆分,暴力堆機(jī)器……Calibre技術(shù)向攻略

寄生參數(shù)提取(Parasitic Extraction):將版圖中的寄生參數(shù)提取出來(lái),在Virtuoso中反饋結(jié)果,前端工程師會(huì)進(jìn)行后仿驗(yàn)證,重新評(píng)估電路特性并進(jìn)行修改,保證流片正確。
2023-08-16 16:19:56266

如何在Virtuoso界面集成Calibre接口呢?

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗(yàn)證軟件,被各大Foundry廠(chǎng)廣泛認(rèn)可。用戶(hù)可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版圖驗(yàn)證結(jié)果數(shù)據(jù),使用起來(lái)極為方便。
2023-08-24 11:14:131980

寄生參數(shù)抽取只會(huì)StarRC不會(huì)QRC?

寄生參數(shù)抽取 只會(huì)StarRC 不會(huì)QRC?本章節(jié)講解下QRC抽取寄生參數(shù)
2023-10-11 16:01:071335

100分的Calibre只發(fā)揮了60分的作用是何原因?

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗(yàn)證軟件,被各大Foundry廠(chǎng)廣泛認(rèn)可。用戶(hù)可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版圖驗(yàn)證結(jié)果數(shù)據(jù),使用起來(lái)極為方便。
2023-11-15 10:39:58251

calibre后仿真參數(shù)提取

進(jìn)行后仿真時(shí),可以提取一些重要的仿真參數(shù),這些參數(shù)對(duì)于評(píng)估電路的性能非常重要。本文將詳細(xì)介紹在Calibre提取后仿真參數(shù)的方法和意義。 首先,讓我們了解一下Calibre的工作流程。Calibre的后仿真主要分為三個(gè)步驟:仿真設(shè)置、仿真運(yùn)行和仿真結(jié)果提
2024-01-04 17:24:59301

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