提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24
342 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）據(jù)報道，三星電子在半導體制造領域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關于三星將在其HBM
2024-03-14 00:17:002494 
在半導體市場的激烈競爭中，三星電子正尋求新的突破以縮小與競爭對手臺積電的差距。據(jù)EToday的最新報告顯示，三星決定采納英偉達的先進“數(shù)字孿生”技術，以提升芯片生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。
2024-03-08 13:59:02146 據(jù)EToday的一份最新報告，全球科技巨頭三星正在計劃測試英偉達Omniverse平臺的“數(shù)字孿生”技術，旨在提高芯片制造過程的良品率，從而縮小與芯片制造領先者臺積電的差距。
2024-03-06 18:12:07781 本文提出了一種基于RDMA和CXL的新型低延遲、高可擴展性的內(nèi)存解耦合系統(tǒng)Rcmp。其顯著特點是通過CXL提高了基于RDMA系統(tǒng)的性能，并利用RDMA克服了CXL的距離限制。
2024-02-29 10:05:40330 
值得注意的是，持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲器的結合體，具備迅速持久化特性，對于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題，存在突破解決之道。
2024-02-22 15:03:29147 據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進混合鍵合技術的整合工作。據(jù)悉，應用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合鍵合設備，這些設備預計將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23318 據(jù)報道，三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會將是全球固態(tài)電路領域的一次盛會，匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)，共同探討和展示最新的技術成果和創(chuàng)新產(chǎn)品。
2024-02-05 17:22:46608 據(jù)最新消息，三星的Exynos 2400芯片將采用扇出式晶圓級封裝（FOWLP）技術。這種封裝技術使得Exynos 2400在性能和散熱能力方面有了顯著提升。
2024-01-22 16:07:32453 荷蘭邊緣人工智能（AI）芯片設計領域的領軍企業(yè)Axelera AI Solutions正在積極開發(fā)一款新型的汽車芯粒（chiplet）內(nèi)存計算AI架構。該計劃不僅將重新定義AI芯片在汽車行業(yè)的應用，還有望推動汽車芯粒技術的發(fā)展。
2024-01-18 18:24:571103 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內(nèi)存技術的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術難關，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
研究人員首次在標準芯片上放置光子濾波器和調(diào)制器 來源：Spectrum IEEE 悉尼大學納米研究所的Alvaro Casas Bedoya（手持新型光子芯片）和Ben Eggleton。 悉尼大學
2023-12-28 16:11:03206 三星電子發(fā)布公告稱，已與 Red Hat 合作，在真實用戶環(huán)境中成功驗證了 CXL (Compute Express Link) 內(nèi)存操作；此舉系業(yè)內(nèi)首次，將進一步擴大其 CXL 生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-28 09:35:27229 三星電子與開源軟件巨頭紅帽(RedHat)聯(lián)手，完成了在實際用戶環(huán)境中的CXL(ComputeExpressLink)內(nèi)存操作;此舉系業(yè)內(nèi)首次，將進一步擴大其 CXL 生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-27 15:56:20352 近日，三星電子與業(yè)界領先的操作系統(tǒng)供應商Red Hat共同取得了一項重要突破。雙方已成功有效地驗證了CXL內(nèi)存擴展技術的互操作性，成功實現(xiàn)了在實際應用場景中的一次重大突破，這不僅有助于推動企業(yè)計算領域的蓬勃發(fā)展，也將為廣大客戶帶來更多元化的選擇。
2023-12-27 15:49:35303 近日，三星電子聯(lián)合紅帽(Red Hat)共同完成重大技術里程碑——在實際用戶環(huán)境中全面驗證CXL( Compute Express Link )內(nèi)存擴展平臺的運作。此次成功標志著三星CXL生態(tài)系統(tǒng)的進一步擴張，也意味著未來有望為廣大數(shù)據(jù)中心用戶帶來更多便捷和高效服務。
2023-12-27 15:47:47390 三星透露，近期與開源軟件巨頭紅帽達成深度合作，在現(xiàn)實的用戶環(huán)境中首次證明了 Compute Express Link ?（CXL）內(nèi)存技術的可行性，此舉預計會極大拓展三星的 CXL技術生態(tài)圈。受益于生成式人工智能、自動駕駛以及內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMDB）等
2023-12-27 15:25:25226 DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
IBM 的新型模擬內(nèi)存芯片證明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30268 請問一下電機的星三角啟動是不是降低電機的啟動電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
以來迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片級封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統(tǒng)封裝（SIP）等項技術。介紹它們的發(fā)展狀況和技術特點。同時，敘述了微電子
2023-12-11 01:02:56
據(jù)報導，三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產(chǎn)在線導入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程，但考慮到生產(chǎn)率和成本，該公司認為即使沒有光罩護膜也可以進行內(nèi)存量產(chǎn)。
2023-12-05 15:09:01491 1023與1224與光模塊電路問題
項目是利用cpld芯片處理4路數(shù)字量信號，經(jīng)曼徹斯特編碼后發(fā)送到1023串化器芯片，串化后發(fā)送到光模塊發(fā)送，經(jīng)過光纖，光模塊接收，再到1224芯片解串。但是現(xiàn)在1224的lockn引腳電壓一直不是0v，1224輸出引腳無信號輸出，找不到問題在哪
2023-12-02 17:16:47
三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:30931 西門子電機繞組重繞后，星三角啟動角型切換時跳空開，電機保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動，西門子電機有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
GPS定位到三顆星為什么還不能實現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
介紹一種采用sTM8芯片作為核心的中小型獨立光伏充放電系統(tǒng)控制器的基本原理及其功能，詳細討論電路主回路、開關管驅動電路、供電電源、控制電路、參數(shù)檢測電路和人機交互模塊等主要組成部分的電路設計。該控制器可實現(xiàn)整個光伏充放電系統(tǒng)工作狀態(tài)控制和蓄電池的能量管理，功能完善，性能穩(wěn)定，電路簡單且成本低廉。
2023-10-10 06:37:44
在Hot Chips 2023上，三星展示了內(nèi)存技術，內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄嶋H的計算引擎。
2023-10-07 11:03:37466 
otp芯片可以用x光擦除嗎？
2023-09-25 08:25:33
9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導，三星電子近期與客戶（谷歌等手機制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20％。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場或將供不應求。
2023-09-14 10:56:18206 隨著行動內(nèi)存芯片市場跡象顯示出復蘇跡象，并且最早在第四季度供不應求，三星電子已宣布將提高動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存芯片的價格，幅度達到10%~20%。 韓國經(jīng)濟日報報道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！
2023-09-04 14:28:11264 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 內(nèi)存芯片在驅動ic市場和ic技術發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
韓國電子通信研究院（ETRI）介紹了三星顯示器的新型QD-OLED結構和工藝。與三星顯示器目前量產(chǎn)的QD-OLED不同，玻璃基板從兩塊減少到一塊。ETRI 表示，該研究是使用商業(yè)設備進行的。
2023-08-30 15:54:301190 
CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術復雜性，這需要集成電路（IC）和復雜的片上系統(tǒng)（SoC）專業(yè)知識來設計、開發(fā)和執(zhí)行復雜的 SoC。在 CXL 存儲器解決方案方面處于強勢地位。目前 Rambus 正在銷售 CXL 相關解決方案，有望在 CXL 技術領域拓展營收新增長點。
2023-08-24 09:44:50276 
8月10日， 三星半導體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計算中國技術峰會)上分享了兩大應對內(nèi)存墻限制的創(chuàng)新技術解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務戰(zhàn)略。
2023-08-10 14:16:26685 虛擬內(nèi)存技術是操作系統(tǒng)實現(xiàn)的一種高效的物理內(nèi)存管理方式
2023-08-10 12:57:02557 
三星半導體與芯馳科技聯(lián)合宣布，雙方達成長期戰(zhàn)略合作關系，加強在車規(guī)芯片領域的深度合作。為進一步推動車規(guī)半導體的系統(tǒng)集成和適配項目，芯馳科技將在全場景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導體的高性能存儲芯片，共同推進雙方在車載領域的技術創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15679 DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
三星正在試圖奪取特斯拉下一代全自動輔助駕駛（FSD）芯片的訂單，這些訂單最初是交給臺積電代工的。之前，三星已經(jīng)成功取代了臺積電，為英特爾旗下自駕技術部門Mobileye生產(chǎn)芯片。
2023-07-19 17:01:08476 1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22
供應SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關鍵參數(shù) ，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
這篇文章提出的TMO引入了一種新型的Linux內(nèi)核機制來實時檢測由于CPU、內(nèi)存和IO的資源短缺導致的工作丟失。
2023-05-31 14:24:29109 
供應XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
版）》和《深入理解微電子電路設計——模擬電子技術及應用（原書第5版）》都是不可多得的好書。
先拍幾張精彩章節(jié)展示一下：
前段時候存儲芯片市場大火，最近又是我們把美光給制裁了，那么我就拿第3章節(jié)
2023-05-29 22:24:28
） 3.1 以及 PPS、QC3.0+/3.0/2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、VOOC快充協(xié)議、MTK PE
2023-05-29 16:30:29
;Delivery（PD） 3.1 以及 PPS、QC3.0+/3.0/2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、VOOC快充協(xié)議、
2023-05-29 15:14:16
供應XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
。競爭對手三星早與另一間GPU大廠AMD合作，將其圖形技術帶入到手機上，具備了硬件加速光線追蹤和可變速率著色功能。雖然首款產(chǎn)品Exynos 2200并不算很成功，但三星未來必然會延續(xù)這種做法，加深與AMD的合作。
2023-05-28 08:51:03
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
芯片制造商的投資放緩是盈利低迷的主要原因。內(nèi)存芯片制造商尤其受到智能手機和服務器需求下滑以及價格暴跌的沉重打擊。4 月下旬，韓國內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士下調(diào)了今年內(nèi)存市場的增長預測。Lam Research 預計今年芯片制造設備市場將萎縮 25% 或更多，超過此前預計的約 20% 的降幅。
2023-05-22 14:17:23352 "三星電子的目標是在2028年前開發(fā)出一臺基于內(nèi)存的超級計算機，"三星電子設備解決方案業(yè)務的首席執(zhí)行官Kyung Kye-hyun周四在大田的KAIST發(fā)表演講時說。
2023-05-12 11:26:43177
1.概述
XSP06 是一款集成 USB Power Delivery（PD2.0/3.0）快充協(xié)議，QC3.0/2.0 快充協(xié)議，和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB 多功能
2023-05-11 15:40:45
后發(fā)布了UWB技術的使用規(guī)定通知。UWB已被用于消費類電子產(chǎn)品中，比如三星的Galaxy S21，具備“一連指”功能的小米10，配置UWB芯片的iPhone11、iPhone12等。一些芯片廠商也提供
2023-05-11 11:51:43
的是 UWB 技術在消費端未來的市場能有多大。
目前 UWB 超寬帶技術要想實現(xiàn)上述功能，最需要依附的產(chǎn)品就是智能手機。單以蘋果、三星已經(jīng)支持 UWB 技術的手機來說，就已帶動了 UWB 芯片千萬級
2023-05-11 11:45:42
%。西安二廠預計將生產(chǎn)13.5萬片，比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因為當前內(nèi)存市場形勢慘淡。
【臺積電28nm設備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
，拒絕對芯片降價。據(jù)臺灣電子時報消息，美光日前已正式向經(jīng)銷商發(fā)出通知稱，自5月起，DRAM及NAND Flash將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢價；三星此前也已通知經(jīng)銷代理商，將不再以低于當前價格出售
2023-05-06 18:31:29
供應XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例由漢思新材料提供涉及部件：內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固問題點：超聲波熔接外殼后功能測試不良15%應用產(chǎn)品：HS710底填膠方案亮點：運用HS710
2023-04-25 16:44:32515 
） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議、B
2023-04-25 14:44:51
） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議
2023-04-25 11:44:53
現(xiàn)狀：目前，新型儲能技術正在迅速發(fā)展。鋰離子電池、納米流體電池、鈉離子電池、燃料電池和超級電容器等新型儲能技術已經(jīng)應用于新能源汽車、家庭能源儲存等領域。尤其是鋰離子電池，已成為了主流的新型儲能技術
2023-04-21 16:28:194328 的充電速度，可以在更短的時間內(nèi)存儲更多的能量，縮短了儲能的時間。
3. 更長的使用壽命：新型儲能系統(tǒng)通常具有更長的使用壽命，并能更好地承受充、放電循環(huán)帶來的損耗，因此可以更加可靠地提供能源。
2023-04-21 16:19:533823 相星三角變壓器，初級側Y連接，次級側三角形連接，如下圖所示。極性標記在每個相位上都標明。繞組上的點表示在未接通的端子上同時為正的端子?！ ?b class="flag-6" style="color: red">星側的相位標記為A，B，C，三角洲側的相位標記為a，b，c
2023-04-20 17:39:25
快充協(xié)議、華為FCP 協(xié)議和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB Type-C 多功能取電芯片，支持和其它 MCU共用 D+D-網(wǎng)絡，自動識別電腦或充電器。支持從充電器/車充等電源上
2023-04-11 10:38:57
報、每日經(jīng)濟報、澎湃新聞、新浪網(wǎng)、搜狐網(wǎng)、大眾日報、山東衛(wèi)視、美通社、大公網(wǎng)、彭博社、北極星光伏網(wǎng)、能源界、索比光伏網(wǎng)、國際能源網(wǎng)、中國儲能網(wǎng)、ofweek太陽能光伏網(wǎng)、pv001光伏網(wǎng)、PVP365
2023-04-08 10:36:29
、180uA、330uA☆ 兩組獨立DP、DM（一組與CC復用）☆ 支持華為FCP、SCP☆ 支持三星AFC☆ 支持VOOC☆ 支持Apple2.4、三星充電協(xié)議、BC1.2☆ 支持UFCS2、典型
2023-04-03 09:31:51
各家的Intel 600、700系列主板都已陸續(xù)更新BIOS，搭檔12代、13代酷睿，可以順利使用24GB、48GB內(nèi)存，AMD平臺呢？
2023-03-27 14:27:49294
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