提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24
342 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關(guān)于三星將在其HBM
2024-03-14 00:17:002494 
在半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，三星電子正尋求新的突破以縮小與競爭對(duì)手臺(tái)積電的差距。據(jù)EToday的最新報(bào)告顯示，三星決定采納英偉達(dá)的先進(jìn)“數(shù)字孿生”技術(shù)，以提升芯片生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。
2024-03-08 13:59:02146 據(jù)EToday的一份最新報(bào)告，全球科技巨頭三星正在計(jì)劃測試英偉達(dá)Omniverse平臺(tái)的“數(shù)字孿生”技術(shù)，旨在提高芯片制造過程的良品率，從而縮小與芯片制造領(lǐng)先者臺(tái)積電的差距。
2024-03-06 18:12:07781 本文提出了一種基于RDMA和CXL的新型低延遲、高可擴(kuò)展性的內(nèi)存解耦合系統(tǒng)Rcmp。其顯著特點(diǎn)是通過CXL提高了基于RDMA系統(tǒng)的性能，并利用RDMA克服了CXL的距離限制。
2024-02-29 10:05:40330 
值得注意的是，持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲(chǔ)器的結(jié)合體，具備迅速持久化特性，對(duì)于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題，存在突破解決之道。
2024-02-22 15:03:29147 據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進(jìn)一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進(jìn)的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預(yù)計(jì)將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23318 據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會(huì)將是全球固態(tài)電路領(lǐng)域的一次盛會(huì)，匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)，共同探討和展示最新的技術(shù)成果和創(chuàng)新產(chǎn)品。
2024-02-05 17:22:46608 據(jù)最新消息，三星的Exynos 2400芯片將采用扇出式晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)。這種封裝技術(shù)使得Exynos 2400在性能和散熱能力方面有了顯著提升。
2024-01-22 16:07:32453 荷蘭邊緣人工智能（AI）芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Axelera AI Solutions正在積極開發(fā)一款新型的汽車芯粒（chiplet）內(nèi)存計(jì)算AI架構(gòu)。該計(jì)劃不僅將重新定義AI芯片在汽車行業(yè)的應(yīng)用，還有望推動(dòng)汽車芯粒技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-18 18:24:571103 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
研究人員首次在標(biāo)準(zhǔn)芯片上放置光子濾波器和調(diào)制器 來源：Spectrum IEEE 悉尼大學(xué)納米研究所的Alvaro Casas Bedoya（手持新型光子芯片）和Ben Eggleton。 悉尼大學(xué)
2023-12-28 16:11:03206 三星電子發(fā)布公告稱，已與 Red Hat 合作，在真實(shí)用戶環(huán)境中成功驗(yàn)證了 CXL (Compute Express Link) 內(nèi)存操作；此舉系業(yè)內(nèi)首次，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 CXL 生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-28 09:35:27229 三星電子與開源軟件巨頭紅帽(RedHat)聯(lián)手，完成了在實(shí)際用戶環(huán)境中的CXL(ComputeExpressLink)內(nèi)存操作;此舉系業(yè)內(nèi)首次，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 CXL 生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-27 15:56:20352 近日，三星電子與業(yè)界領(lǐng)先的操作系統(tǒng)供應(yīng)商Red Hat共同取得了一項(xiàng)重要突破。雙方已成功有效地驗(yàn)證了CXL內(nèi)存擴(kuò)展技術(shù)的互操作性，成功實(shí)現(xiàn)了在實(shí)際應(yīng)用場景中的一次重大突破，這不僅有助于推動(dòng)企業(yè)計(jì)算領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，也將為廣大客戶帶來更多元化的選擇。
2023-12-27 15:49:35303 近日，三星電子聯(lián)合紅帽(Red Hat)共同完成重大技術(shù)里程碑——在實(shí)際用戶環(huán)境中全面驗(yàn)證CXL( Compute Express Link )內(nèi)存擴(kuò)展平臺(tái)的運(yùn)作。此次成功標(biāo)志著三星CXL生態(tài)系統(tǒng)的進(jìn)一步擴(kuò)張，也意味著未來有望為廣大數(shù)據(jù)中心用戶帶來更多便捷和高效服務(wù)。
2023-12-27 15:47:47390 三星透露，近期與開源軟件巨頭紅帽達(dá)成深度合作，在現(xiàn)實(shí)的用戶環(huán)境中首次證明了 Compute Express Link ?（CXL）內(nèi)存技術(shù)的可行性，此舉預(yù)計(jì)會(huì)極大拓展三星的 CXL技術(shù)生態(tài)圈。受益于生成式人工智能、自動(dòng)駕駛以及內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMDB）等
2023-12-27 15:25:25226 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
IBM 的新型模擬內(nèi)存芯片證明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30268 請(qǐng)問一下電機(jī)的星三角啟動(dòng)是不是降低電機(jī)的啟動(dòng)電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
以來迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術(shù)，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片級(jí)封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統(tǒng)封裝（SIP）等項(xiàng)技術(shù)。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和技術(shù)特點(diǎn)。同時(shí)，敘述了微電子
2023-12-11 01:02:56
據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星已主要客戶的部分先進(jìn) EUV 代工生產(chǎn)在線導(dǎo)入 EUV 光罩護(hù)膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程，但考慮到生產(chǎn)率和成本，該公司認(rèn)為即使沒有光罩護(hù)膜也可以進(jìn)行內(nèi)存量產(chǎn)。
2023-12-05 15:09:01491 1023與1224與光模塊電路問題
項(xiàng)目是利用cpld芯片處理4路數(shù)字量信號(hào)，經(jīng)曼徹斯特編碼后發(fā)送到1023串化器芯片，串化后發(fā)送到光模塊發(fā)送，經(jīng)過光纖，光模塊接收，再到1224芯片解串。但是現(xiàn)在1224的lockn引腳電壓一直不是0v，1224輸出引腳無信號(hào)輸出，找不到問題在哪
2023-12-02 17:16:47
三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級(jí)互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:30931 西門子電機(jī)繞組重繞后，星三角啟動(dòng)角型切換時(shí)跳空開，電機(jī)保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動(dòng)，西門子電機(jī)有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
GPS定位到三顆星為什么還不能實(shí)現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
介紹一種采用sTM8芯片作為核心的中小型獨(dú)立光伏充放電系統(tǒng)控制器的基本原理及其功能，詳細(xì)討論電路主回路、開關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路、供電電源、控制電路、參數(shù)檢測電路和人機(jī)交互模塊等主要組成部分的電路設(shè)計(jì)。該控制器可實(shí)現(xiàn)整個(gè)光伏充放電系統(tǒng)工作狀態(tài)控制和蓄電池的能量管理，功能完善，性能穩(wěn)定，電路簡單且成本低廉。
2023-10-10 06:37:44
在Hot Chips 2023上，三星展示了內(nèi)存技術(shù)，內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。
2023-10-07 11:03:37466 
otp芯片可以用x光擦除嗎？
2023-09-25 08:25:33
9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 隨著行動(dòng)內(nèi)存芯片市場跡象顯示出復(fù)蘇跡象，并且最早在第四季度供不應(yīng)求，三星電子已宣布將提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存芯片的價(jià)格，幅度達(dá)到10%~20%。 韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！
2023-09-04 14:28:11264 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
韓國電子通信研究院（ETRI）介紹了三星顯示器的新型QD-OLED結(jié)構(gòu)和工藝。與三星顯示器目前量產(chǎn)的QD-OLED不同，玻璃基板從兩塊減少到一塊。ETRI 表示，該研究是使用商業(yè)設(shè)備進(jìn)行的。
2023-08-30 15:54:301190 
CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性，這需要集成電路（IC）和復(fù)雜的片上系統(tǒng)（SoC）專業(yè)知識(shí)來設(shè)計(jì)、開發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲(chǔ)器解決方案方面處于強(qiáng)勢地位。目前 Rambus 正在銷售 CXL 相關(guān)解決方案，有望在 CXL 技術(shù)領(lǐng)域拓展?fàn)I收新增長點(diǎn)。
2023-08-24 09:44:50276 
8月10日， 三星半導(dǎo)體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計(jì)算中國技術(shù)峰會(huì))上分享了兩大應(yīng)對(duì)內(nèi)存墻限制的創(chuàng)新技術(shù)解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。
2023-08-10 14:16:26685 虛擬內(nèi)存技術(shù)是操作系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的一種高效的物理內(nèi)存管理方式
2023-08-10 12:57:02557 
三星半導(dǎo)體與芯馳科技聯(lián)合宣布，雙方達(dá)成長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，加強(qiáng)在車規(guī)芯片領(lǐng)域的深度合作。為進(jìn)一步推動(dòng)車規(guī)半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成和適配項(xiàng)目，芯馳科技將在全場景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導(dǎo)體的高性能存儲(chǔ)芯片，共同推進(jìn)雙方在車載領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15679 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
三星正在試圖奪取特斯拉下一代全自動(dòng)輔助駕駛（FSD）芯片的訂單，這些訂單最初是交給臺(tái)積電代工的。之前，三星已經(jīng)成功取代了臺(tái)積電，為英特爾旗下自駕技術(shù)部門Mobileye生產(chǎn)芯片。
2023-07-19 17:01:08476 1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-01 10:10:41
這篇文章提出的TMO引入了一種新型的Linux內(nèi)核機(jī)制來實(shí)時(shí)檢測由于CPU、內(nèi)存和IO的資源短缺導(dǎo)致的工作丟失。
2023-05-31 14:24:29109 
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-30 14:24:29
版）》和《深入理解微電子電路設(shè)計(jì)——模擬電子技術(shù)及應(yīng)用（原書第5版）》都是不可多得的好書。
先拍幾張精彩章節(jié)展示一下：
前段時(shí)候存儲(chǔ)芯片市場大火，最近又是我們把美光給制裁了，那么我就拿第3章節(jié)
2023-05-29 22:24:28
） 3.1 以及 PPS、QC3.0+/3.0/2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、VOOC快充協(xié)議、MTK PE
2023-05-29 16:30:29
;Delivery（PD） 3.1 以及 PPS、QC3.0+/3.0/2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、VOOC快充協(xié)議、
2023-05-29 15:14:16
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46
。競爭對(duì)手三星早與另一間GPU大廠AMD合作，將其圖形技術(shù)帶入到手機(jī)上，具備了硬件加速光線追蹤和可變速率著色功能。雖然首款產(chǎn)品Exynos 2200并不算很成功，但三星未來必然會(huì)延續(xù)這種做法，加深與AMD的合作。
2023-05-28 08:51:03
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
芯片制造商的投資放緩是盈利低迷的主要原因。內(nèi)存芯片制造商尤其受到智能手機(jī)和服務(wù)器需求下滑以及價(jià)格暴跌的沉重打擊。4 月下旬，韓國內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士下調(diào)了今年內(nèi)存市場的增長預(yù)測。Lam Research 預(yù)計(jì)今年芯片制造設(shè)備市場將萎縮 25% 或更多，超過此前預(yù)計(jì)的約 20% 的降幅。
2023-05-22 14:17:23352 "三星電子的目標(biāo)是在2028年前開發(fā)出一臺(tái)基于內(nèi)存的超級(jí)計(jì)算機(jī)，"三星電子設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)的首席執(zhí)行官Kyung Kye-hyun周四在大田的KAIST發(fā)表演講時(shí)說。
2023-05-12 11:26:43177
1.概述
XSP06 是一款集成 USB Power Delivery（PD2.0/3.0）快充協(xié)議，QC3.0/2.0 快充協(xié)議，和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB 多功能
2023-05-11 15:40:45
后發(fā)布了UWB技術(shù)的使用規(guī)定通知。UWB已被用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，比如三星的Galaxy S21，具備“一連指”功能的小米10，配置UWB芯片的iPhone11、iPhone12等。一些芯片廠商也提供
2023-05-11 11:51:43
的是 UWB 技術(shù)在消費(fèi)端未來的市場能有多大。
目前 UWB 超寬帶技術(shù)要想實(shí)現(xiàn)上述功能，最需要依附的產(chǎn)品就是智能手機(jī)。單以蘋果、三星已經(jīng)支持 UWB 技術(shù)的手機(jī)來說，就已帶動(dòng)了 UWB 芯片千萬級(jí)
2023-05-11 11:45:42
%。西安二廠預(yù)計(jì)將生產(chǎn)13.5萬片，比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認(rèn)為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因?yàn)楫?dāng)前內(nèi)存市場形勢慘淡。
【臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
，拒絕對(duì)芯片降價(jià)。據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)消息，美光日前已正式向經(jīng)銷商發(fā)出通知稱，自5月起，DRAM及NAND Flash將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢價(jià)；三星此前也已通知經(jīng)銷代理商，將不再以低于當(dāng)前價(jià)格出售
2023-05-06 18:31:29
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-26 10:22:36
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例由漢思新材料提供涉及部件：內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固問題點(diǎn)：超聲波熔接外殼后功能測試不良15%應(yīng)用產(chǎn)品：HS710底填膠方案亮點(diǎn)：運(yùn)用HS710
2023-04-25 16:44:32515 
） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議、B
2023-04-25 14:44:51
） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議
2023-04-25 11:44:53
現(xiàn)狀：目前，新型儲(chǔ)能技術(shù)正在迅速發(fā)展。鋰離子電池、納米流體電池、鈉離子電池、燃料電池和超級(jí)電容器等新型儲(chǔ)能技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于新能源汽車、家庭能源儲(chǔ)存等領(lǐng)域。尤其是鋰離子電池，已成為了主流的新型儲(chǔ)能技術(shù)
2023-04-21 16:28:194328 的充電速度，可以在更短的時(shí)間內(nèi)存儲(chǔ)更多的能量，縮短了儲(chǔ)能的時(shí)間。
3. 更長的使用壽命：新型儲(chǔ)能系統(tǒng)通常具有更長的使用壽命，并能更好地承受充、放電循環(huán)帶來的損耗，因此可以更加可靠地提供能源。
2023-04-21 16:19:533823 相星三角變壓器，初級(jí)側(cè)Y連接，次級(jí)側(cè)三角形連接，如下圖所示。極性標(biāo)記在每個(gè)相位上都標(biāo)明。繞組上的點(diǎn)表示在未接通的端子上同時(shí)為正的端子。 星側(cè)的相位標(biāo)記為A，B，C，三角洲側(cè)的相位標(biāo)記為a，b，c
2023-04-20 17:39:25
快充協(xié)議、華為FCP 協(xié)議和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB Type-C 多功能取電芯片，支持和其它 MCU共用 D+D-網(wǎng)絡(luò)，自動(dòng)識(shí)別電腦或充電器。支持從充電器/車充等電源上
2023-04-11 10:38:57
報(bào)、每日經(jīng)濟(jì)報(bào)、澎湃新聞、新浪網(wǎng)、搜狐網(wǎng)、大眾日?qǐng)?bào)、山東衛(wèi)視、美通社、大公網(wǎng)、彭博社、北極星光伏網(wǎng)、能源界、索比光伏網(wǎng)、國際能源網(wǎng)、中國儲(chǔ)能網(wǎng)、ofweek太陽能光伏網(wǎng)、pv001光伏網(wǎng)、PVP365
2023-04-08 10:36:29
、180uA、330uA☆ 兩組獨(dú)立DP、DM（一組與CC復(fù)用）☆ 支持華為FCP、SCP☆ 支持三星AFC☆ 支持VOOC☆ 支持Apple2.4、三星充電協(xié)議、BC1.2☆ 支持UFCS2、典型
2023-04-03 09:31:51
各家的Intel 600、700系列主板都已陸續(xù)更新BIOS，搭檔12代、13代酷睿，可以順利使用24GB、48GB內(nèi)存，AMD平臺(tái)呢？
2023-03-27 14:27:49294
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