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IGBT及其子器件的幾種失效模式
- IGBT(242700)
- 其子器件(5892)
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干貨：動力電池系統(tǒng)失效模式分析！
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7818引起IGBT失效的原因與保護方法
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7841微波器件在使用中失效的主要原因、分類及其分布
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6642一文詳解電子元器件失效的分類、檢測和案例
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3854關(guān)于IGBT的封裝失效機理的詳細講解
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1379元器件失效機理有哪幾種？資料下載
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18動力電池系統(tǒng)失效模式的分類
考慮各種失效模式以提高動力電池安全性。 動力電池系統(tǒng)通常由電芯、電池管理系統(tǒng)、Pack系統(tǒng)含功能元器件、線束、結(jié)構(gòu)件等相關(guān)組建構(gòu)成。動力電池系統(tǒng)失效模式，可以分為三種不同層級的失效模式，即電芯失效模式、電池管理系
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3381電容失效模式和失效機理分析
電容器的常見失效模式有： ――擊穿短路；致命失效 ――開路；致命失效 ――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效 ――漏液；部分功能失效 ――引線腐蝕
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2688電阻器常見的失效模式與失效機理
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接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境，在什么條件下算是高濕？而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預(yù)防IGBT模塊因為高濕失效？
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摘要：常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設(shè)備損壞．這是 TvS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免
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4603連接器的電接觸失效及其原因
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1045引起IGBT失效的原因有幾種
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實際應(yīng)用中，IGBT常見的兩種失效機理：
突發(fā)失效：即自發(fā)的，不可預(yù)知的失效
漸變失效：可預(yù)測的失效，隨著時間推移慢慢產(chǎn)生，制造商起著決定性的作用
1、突發(fā)失效：應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過
2023-02-24 15:08:582
2瑞隆源電子自研項目一種外置失效裝置的開路失效模式放電管及其電子電路
圖1 氣體放電管 深圳市瑞隆源電子有限公司（下稱：瑞隆源電子）研發(fā)了一種外置失效裝置的開路失效模式放電管及其電子電路，如圖1所示，其放電管包括瓷管以及將瓷管兩端貫通的端口封閉的兩端電極，瓷管與端電極
2023-03-06 16:22:58414
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元器件失效分析方法
出現(xiàn)同一類問題是非常可怕的。失效分析基本概念定義：對失效電子元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾
2021-06-26 10:42:531186
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連接器最主要的失效模式是什么？
CNLINKO凌科電氣連接器知識分享連接器作為重要的電子元器件，擔負著系統(tǒng)內(nèi)部以及系統(tǒng)之間的信號連接和電能傳輸?shù)闹厝巍Ｔ陂L期使用的過程中不免會存在不同程度失效的情況。那么連接器主要的失效模式
2022-10-18 09:40:19521
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芯片小課堂 | 失效模式與FMEDA
失效模式與FMEDA-第88期-PART01失效模式首先，何謂失效？ISO26262中對“故障”、“錯誤”、“失效”的定義如下：故障（Fault）:可引起要素或相關(guān)項失效的異常情況。錯誤（Error
2023-03-06 10:36:324330
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瑞隆源電子自研項目一種外置失效裝置的開路失效模式放電管及其電子電路
圖1氣體放電管深圳市瑞隆源電子有限公司（下稱：瑞隆源電子）研發(fā)了一種外置失效裝置的開路失效模式放電管及其電子電路，如圖1所示，其放電管包括瓷管以及將瓷管兩端貫通的端口封閉的兩端電極，瓷管與端電極之間
2023-03-06 17:40:34337
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半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機理分析
本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機理；并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930
930p柱浮空的超結(jié)IGBT器件的設(shè)計案例
摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點的問題，設(shè)計了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000
0低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？
。今天我們就來詳細了解一下低溫對電子元器件的影響及其失效原因。 1. 低溫對電子元器件的影響 低溫是指物體的溫度在0℃以下的狀態(tài)。在這種環(huán)境下，電子元器件的物理、化學和電學性質(zhì)都會發(fā)生變化，主要表現(xiàn)為以下幾個方面。
2023-08-29 16:29:019855
9855芯片粘接失效模式和芯片粘接強度提高途徑
芯片粘接質(zhì)量是電路封裝質(zhì)量的一個關(guān)鍵方面，它直接影響電路的質(zhì)量和壽命。文章從芯片粘接強度的失效模式出發(fā)，分析了芯片粘接失效的幾種類型，并從失效原因出發(fā)對如何在芯片粘接過程中提高其粘接強度提出了四種
2023-10-18 18:24:02399
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IGBT一定要加負壓才能關(guān)斷嗎？IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種？
IGBT的工作原理 IGBT一定要加負壓才能關(guān)斷嗎？IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種？ 一、IGBT的工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即增強型
2023-10-19 17:08:082592
2592igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269
1269光耦失效的幾種常見原因及分析
光耦失效的幾種常見原因及分析? 光耦是一種光電耦合器件，由發(fā)光二極管和光探測器組成。它能夠?qū)㈦娏餍盘栟D(zhuǎn)換為光信號，或者將光信號轉(zhuǎn)換為電流信號。但是，由于各種原因，光耦可能會出現(xiàn)失效的情況。本文
2023-11-20 15:13:441445
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IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721
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