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      PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器

      數據：

      STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器在單一緊湊型系統(tǒng)級封裝 (SiP) 中集成了柵極驅動器和四個N通道功率MOSFET，采用雙半橋配置。集成式功率MOSFET的漏源導通電阻或RDS (ON) 為1.38Ω，漏源擊穿電壓為600V。嵌入式柵極驅動器的高側可方便地通過集成自舉二極管供電。PWD5F60功率驅動器的集成度高，因此能在空間受限的應用中高效地驅動負載。

      PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC)，在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能，以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。PWD5F60还嵌入了两个独立的比较器，用于防止过流和过热。

      该器件采用紧凑型15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装。

      特性

      • 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET
        • R DS(ON) = 1.38Ω
        • BVDSS =600伏
      • 配置选项：
        • 全桥 
        • 双独立半桥
      • 低侧和高侧UVLO保护
      • 3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
      • 内置自举二极管
      • 独立比较器
      • 可调节的死区时间
      • 材料清单减少
      • 紧凑、简化的布局
      • 灵活的设计
      • 工作温度范围：-40°C至125°C
      • 15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装

      应用

      • 工业风扇和泵
      • 烹饪护罩和气体加热器
      • 鼓风机
      • 工业驱动器
      • 工厂自动化
      • 电源装置

      开发工具

      STMicroelectronics EVALPWD5F60演示板

      一款评估板，用于集成高压全桥的PWD5F60高密度功率驱动器。

      框图

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 PWD5F60TR 相關庫存

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