ISO5852S-Q1器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV _RMS 增強型隔離柵極驅動器，具有分離輸出（OUTH和OUTL）以及2.5A的拉電流能力和5A的灌電流能力。輸入端由2.25V至5.5V的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為15V至30V。兩個互補CMOS輸入控制柵極驅動器的輸出狀態.76ns的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。中的文本由“3V至5.5V單電源”更改為“2.25V至5.5V單電源”中的文本由“ IGBT處于過載狀態“更改為”IGBT處于過流狀態“

內置的去飽和（DESAT）故障檢測功能可識別IGBT何時處于過流狀態。檢測到DESAT時，靜音邏輯會立即阻斷隔離器輸出，并啟動軟關斷過程以禁用OUTH引腳并將OUTL引腳拉至低電平持續2μs。當OUTL引腳達到2V時（相對于最大負電源電勢V _{EE2 < /子>），柵極驅動器會被“硬”拉至V EE2 電勢，從而立即將IGBT關斷。已將中的文本由“并降低OUTL的電壓持續2μs以上”更改為“并將OUTL拉至低電平持續2μs”< /p>}

當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以及輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關斷期間激活。 FLT 的輸出狀態將被鎖存，并只能在RDY引腳變為高電平后通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。已更改的第3段

如果在由double極輸出電源供電的正常運行期間關斷IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為V _EE2 。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止IGBT在高電壓瞬態狀態下發生動態導通。

柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY輸出會變為低電平，否則該輸出為高電平。

ISO5852S-Q1采用16引腳小外形尺寸集成電路（SOIC）封裝。此器件的額定工作環境溫度范圍為-40°C至+ 125°C。