優勢和特點

• 高隔離度：
  62 dB（1 GHz時）
  52 dB（2 GHz時）
• 正控制： 0/+5V
• 輸入IP3： 54 dBm

• 非反射式設計
• 超小型MSOP-86封裝：
• 14.8 mm2

產品詳情

HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT開關，采用低成本8引腳MSOP8G表面貼裝封裝，帶有裸露接地焊盤。 該開關非常適合蜂窩/3G和WiMAX/4G應用，實現高達60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+50 dBm的輸入IP3。 在3.8 GHz WiMAX頻段，該開關具有很高的功率處理能力，另外提供+30 dBm的P1dB壓縮性能。 片內電路可在很低的DC電流下實現0/+5伏特的正電壓控制。

應用

• 基站和中繼器
• 蜂窩/3G和WiMAX/4G
• 基礎設施和接入點
• CATV/CMTS
• 測試儀器儀表

方框圖