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      3天內不再提示

      FGB20N60SFD 600V 20A 場截止IGBT

      數據：

      飛兆半導體的場截止IGBT系列采用新型場截止IGBT技術，為光伏逆變器，UPS，焊機和PFC等低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
      特性
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 2.2V @ I C = 20A
      • 高輸入阻抗
      • 快速開關：E OFF = 8uJ / A
      • 符合RoHS標準
      應用
      • 其他工業

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（3）
      元器件購買 FGB20N60SFD 相關庫存
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