RB521S30T1G

基本特性

• ?類型?：肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode）
• ?額定電壓?：30V
• ?設(shè)計(jì)用途?：適用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用、電路保護(hù)及電壓箝位。極低的正向電壓降低了傳導(dǎo)損耗，微型表面貼裝封裝非常適合手持和便攜式空間有限的應(yīng)用。

ON Semiconductor RB521S30T1G數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載：
*附件：RB521S30T1G.pdf

RB521S30T1G EDA模型 鏈接

http://m.xsypw.cn/p/e234836437

關(guān)鍵特性

• ?極快切換速度?：具有極高的開(kāi)關(guān)速度。
• ?極低正向電壓?：在IF = 200 mA時(shí)，最大正向電壓為0.5V。
• ?低反向電流?。
• ?汽車應(yīng)用?：NSV前綴表示適用于汽車及其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的應(yīng)用，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備PPAP能力。
• ?環(huán)保合規(guī)?：無(wú)鉛（Pb-Free）、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑（Halogen Free/BFR Free），符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
• 
  

封裝信息

• ?封裝類型?：SOD-523

最大額定值

• ?反向電壓?：VR = 30Vdc
• ?正向直流電流?：IF = 200mA
• ?峰值正向浪涌電流?：IFSM = 1.0A（60Hz，1個(gè)周期）

熱特性

• ?總器件耗散?：在FR-5板上，TA=25°C時(shí)，PD為200mW；溫度超過(guò)25°C時(shí)，需按1.57mW/°C進(jìn)行降額。
• ?熱阻?：結(jié)到環(huán)境熱阻為63°C/W。
• ?工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍?：-55至+125°C。

標(biāo)記與包裝

• ?標(biāo)記?：5MM表示器件代碼，M表示日期代碼。
• ?包裝?：提供3000個(gè)/卷帶（Tape & Reel）的包裝形式，有Pb-Free選項(xiàng)。

電氣特性

• ?反向泄漏電流?：在VR=10V時(shí)，IR為30nA（典型值可能因溫度不同而變化）。
• ?正向電壓?：在IF=200mA時(shí)，VF為0.50Vdc（典型值可能因溫度不同而變化）。

物理尺寸

• 提供詳細(xì)的物理尺寸圖，包括長(zhǎng)度、寬度、高度等具體數(shù)據(jù)，適用于SOD-523封裝。
  

  ON Semiconductor RB521S30T1G EDA模型下載地址：

  http://m.xsypw.cn/p/e234836437