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      FGA50S110P 1100 V 50 A 短路陽極IGBT

      數據：

      飛兆半導體的短路陽極溝道IGBT系列采用先進的場截止溝道和短路陽極技術，為開關應用提供出色的導通和開關性能??。該器件為電磁爐和微波爐量身定制。
      特性
      • 內置反并聯二極管，用于軟開關應用
      • 大開關頻率范圍：10 kHz至50 kHz
      • 高溫穩定性能（T jmax = 175℃）
      • 低飽和壓降：V CE（sat） = 2.06 V，需要我 C = 50 A
      • 魯棒性鍋爐檢測噪聲抗擾度
      • 符合RoHS標準（無鉛引腳電鍍）

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（2）
      元器件購買 FGA50S110P 相關庫存
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