FDMF6824C 超小型 高性能 高頻的DrMOS模塊
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:FDMF6824CCN-D.pdf
XS?DrMOS系列器件是飛兆新一代完全優(yōu)化的超小型集成MOSFET及驅(qū)動器功率級解決方案,可用于高電流,高頻率,同步降壓DC-DC應用.FDMF6824C將驅(qū)動器IC,兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強的,超小型6 x 6毫米封裝中。
通過集成方法,可實現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器,MOSFET動態(tài)性能,系統(tǒng)電感和功率MOSFET R DS(ON)優(yōu)化.XS?DrMOS采用飛兆半導體公司的高性能PowerTrench ? MOSFET技術(shù),顯著減少開關(guān)振鈴,省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器件應用中使用的緩沖器電路。
驅(qū)動器IC通過減少死區(qū)時間和傳播延遲,可進一步提高性能。熱警告功能會發(fā)出潛在過溫情況的警告.FDMF6824C還為提高輕負載效率整合了跳躍模式(SMOD#)。FDMF6824C還提供了3態(tài)5 V PWM輸入,可實現(xiàn)與廣泛的PWM控制器的兼容性。
特性 |
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- 跳頻模式SMOD# (低側(cè)門關(guān)斷)輸入
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- SMOD#輸入和DISB#輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉
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- 飛兆PowerTrench?技術(shù)MOSFET,可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲
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- 低端MOSFET中的飛兆SyncFET?(集成肖特基二極管)技術(shù)
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- 實現(xiàn)直通保護的自適應柵極驅(qū)動時序
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- 為實現(xiàn)開關(guān)頻率達到1MHz而優(yōu)化
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電路圖、引腳圖和封裝圖
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