FDMF6820A 超小型高性能高頻的DrMOS模塊

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：FDMF6820ACN-D.pdf

XS?DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案，適用于高電流，高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用.FDMF6820A將驅(qū)動器IC，兩個(gè)功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個(gè)熱增強(qiáng)的，超小型6x6mm封裝中。
通過集成方法，可實(shí)現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器，MOSFET動態(tài)性能，系統(tǒng)電感和功率MOSFET R _DS（ON）優(yōu)化.XS?DrMOS采用飛兆半導(dǎo)體公司的高性能PowerTrench?MOSFET技術(shù)，顯著減少開關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。
FDMF6820A還為提高輕負(fù)載效率整合了跳躍模式（SMOD＃）。了3態(tài)3.3V PWM輸入，可實(shí)現(xiàn)與廣泛的PWM控制器的兼容性。

特性
超過93％的峰值效率
高電流處理能力：55A
高性能PQFN銅片封裝
3態(tài)3.3 V PWM輸入驅(qū)動器
跳躍模式SMOD＃（低端柵極關(guān)閉）輸入
為過溫情況提供熱警告標(biāo)志
驅(qū)動器輸出禁用功能（DISB＃引腳）
分別為SMOD＃和DISB＃輸入提供內(nèi)部上拉電阻和下拉電阻
飛兆PowerTrench?技術(shù)MOSFET，可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲
低端MOSFET中的飛兆SyncFET?（集成肖特基二極管）技術(shù)
集成自舉肖特基二極管
實(shí)現(xiàn)直通保的自適應(yīng)柵極驅(qū)動時(shí)序
欠壓閉鎖（UVLO）
為實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率達(dá)到1MHz而優(yōu)化
薄型SMD封裝
基于英特爾?4.0DrMOS標(biāo)準(zhǔn)
飛兆綠色封裝并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用
服務(wù)器，臺式電腦，筆記本電腦，游戲機(jī)，網(wǎng)絡(luò)，存儲的核心電源，電信大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器多相DC-DC轉(zhuǎn)換器