FDMF6704V XS?DrMOS - 超小型 高性能 高頻DrMOS模塊
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:FDMF6704VCN-D.pdf
XS?DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案,適用于高電流,高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用.FDMF6704V XS?DrMOS將驅(qū)動(dòng)器IC,兩個(gè)功率MOSFET和自舉肖特基二極管以及集成的5 V柵極驅(qū)動(dòng)LDO調(diào)節(jié)器集成到一個(gè)熱增強(qiáng)的,超小型6x6mm封裝中。通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET動(dòng)態(tài)性能,系統(tǒng)感抗和R DS(ON),對(duì)整個(gè)開(kāi)關(guān)功率級(jí)進(jìn)行了優(yōu)化。這極大地降低了封裝的寄生效應(yīng)和與傳統(tǒng)分立解決方案相關(guān)的布局挑戰(zhàn).XS?DrMOS采用飛兆的高性能PowerTrench?5 MOSFET技術(shù),大幅降低了同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的振鈴。驅(qū)動(dòng)IC具有先進(jìn)的功能,例如提高輕負(fù)載效率的SMOD和與兼容廣泛PWM控制器的三態(tài)PWM輸入。針對(duì)最低端FET裸焊盤(pán)區(qū)域優(yōu)化的5V柵極驅(qū)動(dòng)和增強(qiáng)的PCB接口,可確保更高的性能。該產(chǎn)品兼容新的Intel 6 mm x 6 mm DrMOS規(guī)格。
特性 |
- 12 V至5 V的內(nèi)部調(diào)節(jié)器。
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- 同步驅(qū)動(dòng)器加FET多芯片模塊。
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- 飛兆的PowerTrench?5技術(shù)MOSFET,可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲。
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- 針對(duì)最高可達(dá)1 MHz的開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行優(yōu)化。
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- 跳躍模式SMOD [低端柵極關(guān)閉]輸入。
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- 低端MOSFET中的飛兆SyncFET?[集成]式肖特基二極管]技術(shù)。
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- 實(shí)現(xiàn)直通護(hù)的自適應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序。
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- 驅(qū)動(dòng)器輸出禁用功能[DISB#引腳]。
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- 飛兆綠色封裝并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。薄型SMD封裝。
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電路圖、引腳圖和封裝圖
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