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FCPF600N60ZL1 N溝道SuperFET?IIMOSFET 600 V,7.4 A,600mΩ

數據:

產品信息

SuperFET?IIMOSFET是安森美半導體全新的高壓超結(SJ)MOSFET系列,利用電荷平衡技術實現出色的低導通電阻和低柵極充電性能。該技術專為最小化傳導損耗,提供卓越的開關性能,dv / dt速率和更高的雪崩能量而量身定制。因此,SuperFET II MOSFET非常適用于開關電源應用,如PFC,服務器/電信電源,FPD電視電源,ATX電源和工業電源應用。 650 V,TJ = 150°C 最大。 RDS(on)=600mΩ 超低柵極電荷(典型值Qg = 20 nC) 低效輸出電容(典型值Coss.eff = 74 pF) 100%雪崩測試 ESD改進容量

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